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FACULTAD DE INGENIERÍAS Y ARQUITECTURA
ESCUELA ACADÉMICO PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y
TELECOMUNICACIONES
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
SÍLABO
I.
II.
DATOS GENERALES
CARRERA PROFESIONAL
:
CÓDIGO CARRERA PROFESIONAL
ASIGNATURA
CÓDIGO DE ASIGNATURA
CÓDIGO DE SÍLABO
Nº DE HORAS TOTALES
Nº DE HORAS TEORÍA
N° DE HORAS PRÁCTICA
Nº DE CRÉDITOS
CICLO
PRE-REQUISITO
TIPO DE CURSO
DURACIÓN DEL CURSO
CURSO REGULAR
EXAMEN SUSTITUTORIO
DURACIÓN DEL CURSO
EN LA MODALIDAD A DISTANCIA
CURSO REGULAR
EXAMEN SUSTITUTORIO
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INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y
TELECOMUNICACIONES
29
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
2902-29305
2930530072014
4 HORAS SEMANALES
2 HORAS SEMANALES
2 HORAS SEMANALES
3 CRÉDITOS
V CICLO
2902-29210
OBLIGATORIO
18 SEMANAS EN TOTAL
17 SEMANAS
1 SEMANA
9 SEMANAS EN TOTAL
8 SEMANAS
1 SEMANA
DESCRIPCIÓN DE LA ASIGNATURA
Conducción en semiconductores. Diodos semiconductores. Transistores
bipolares. Transistores unipolares. Transistor de efecto de campo.
Dispositivos de potencia. Dispositivos optoelectronicos, Circuitos integrados.
Practicas y exposiciones.
III.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS
Comprender los principales conceptos de la física de semiconductores y
aplicarlos. Comprender cualitativa y cuantitativamente el funcionamiento y
CICLO V
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aplicación de: diodo semiconductor, transistor bipolar, transistor de efecto
campo, dispositivos optoelectronicos, circuitos integrados.
IV.
METODOLOGÍA
Se emplea la exposición magistral y luego se motiva la discusión de un caso
de estudio, basado en la ejemplificación y planteamiento de ejercicios
prácticos. Teniendo como materiales de enseñanza la pizarra, proyector,
tizas, plumones y dispositivos electrónicos.
V.
EVALUACIÓN
Asistencia: Obligatoria
NF = 30% EP + 30% EF + 40% PP
DONDE:
NF = Nota Final
EP = Examen Parcial
EF = Examen Final
PP = Prácticas Calificadas
VI.
CONTENIDO
Semana 01:
Conceptos de bandas de energía, portadores eléctricos, tipos de materiales,
corrientes eléctricas, discusión de aplicaciones y trabajo.
Semana 02:
Ecuación de la continuidad, estudios de casos de semiconductores sometidos
a excitación-problemas de aplicación, trabajo de investigación.
Semana 03:
La juntura P-N, concentraciones de portadores, potenciales de contacto con
polarización y sin polarización campo eléctrico en el interior del diodo
semiconductor.
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Semana 04:
Deducción del modelo matemático del diodo semiconductor, determinación de
sus parámetros, deducción del modelo circuital y aplicaciones. Trabajo de
investigación.
Semana 05:
Efectos parásitos en el diodo semiconductor, capacidad de transición,
capacidad de difusión, fenómenos de ruptura, aplicaciones. Diodo Zener,
características y aplicaciones.
Diodo Túnel, características y aplicaciones. Exposición magistral.
Semana 06:
Estructura del BTT, distribución de concentraciones y potenciales a lo largo
del BTT, deducción del modelo matemático del BTT. Trabajo practico.
Semana 07:
Modelamiento circuital del BTT, Parámetro en los BTT, Parámetros
importantes estudio en estados de polarización en zona activa. Introducción a
la respuesta en frecuencia experimento de laboratorio.
Semana 08:
Estudio del BTT en estados de corte y saturación, elementos de análisis y de
diseño.
Semana 09:
EXAMEN PARCIAL
Semana 10:
Aplicaciones del dispositivo en la electrónica digital. Experimento de
laboratorio tiempos de conmutación.
Semana 11:
Estructura del FET, clasificación, estudio físico del JFET y del MOSFET,
modelamiento matemático del FET (JFET y MOSFET), estudio diferenciado
del FET, del funcionamiento en las diversas zonas.
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Semana 12:
Modelamiento circuito del FET, elementos parásitos en los FETS. Estudio de
funcionamiento y aplicaciones en la zona de “PINCH-OFF”. Aplicaciones
Fundamentales.
Semana 13:
Estudio del FET en estados de corte y región tríodo, introducción al análisis y
diseño de aplicaciones digitales, características del funcionamiento del
dispositivo en celdas básicas digitales. Tiempos de retardo y consumo de
potencia.
Semana 14:
Estudio del principio de funcionamiento de los fotodiodos, fototransistores,
leds, celdas fotovoltaicas, aplicaciones, trabajos de investigación.
Semana 15:
Estudio del funcionamiento cualitativo y cuantitivo de los optocopladores y
switchs ópticos. Aplicaciones y ejercicios.
Semana 16:
Estudio del proceso básico de fabricación de circuitos integrados.
Introducción al análisis y diseño de CI,analógicos y digitales.
La microelectrónica- visión, actuar y proyecciones, metodología de análisis,
diseño y características de circuitos integrados.
Semana 17:
EXAMEN FINAL
Semana 18:
EXAMEN SUSTITUTORIO
VII.
BIBLIOGRAFÍA
Además de la bibliografía básica, la complementaria y la electrónica, el
alumno tendrá acceso al uso del Internet para ampliar los temas de
investigación y consulta que requiera.
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A. BIBLIOGRAFÍA BÁSICA
1. Shilling, Donald y Belove ,Charles: Circuitos Electrónicos Discretos e
Integrados, 2da edicion , Editorial Marcombo, 1975, Pág. 629
2. Boylestad Robert y Nashelsky Louis . Electronica Teoria de Circuitos.
3. 5ta edicion, editorial Prentice Hall, 1994 , pág. 916
B. BIBLIOGRAFÍA COMPLEMENTARIA
1. Millman, Jacob y Halkias, Cristos; Electrónica Integrada. Circuitos y
Sistemas Analógicos y Digitales, editorial Hispano Europea Barcelona(
España), 1976 , Pág. 917.
2. Malvino Albert Paul , Buban Peter, Schmitt Marshal, Electricidad y
Electrónica .
3. Aplicaciones Practicas, tomo I, II, III, IV, editorial Mac Graw Hill,1987,
Pág. 872
4. Wolf Stanley , Smith Richard , Guía para Mediciones Electrónicas y
Practicas de Laboratorio, 1era edición, editorial prentice Hall
Hispanoamericana S.A., 1992, Pág. 584
5. Warner Raymond , Fordemwalt James, Circuitos Integrados. Principios
de diseño y fabricación, primera edición, editorial Diana México, 1978,
Pág. 524.
C. BIBLIOGRAFÍA ELECTRÓNICA
1.
2.
3.
4.
CICLO V
http://www.pablin.com.ar/
http://www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/
http://es.wikipedia.org/wiki/Optoelectr%C3%B3nica
http://www.unicrom.com/
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