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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica Sección de Estudios de Posgrado e Investigación DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Diseño e Implementación de una Interfaz de Potencia para un Variador de Velocidad de Motores de Inducción TESIS QUE PARA OBTENER EL GRADO DE MAESTRO EN CIENCIAS CON ESPECIALIDAD EN INGENIERÍA ELÉCTRICA P R E S E N T A: MANUEL TORRES SABINO MÉXICO, D.F. MAYO, 2006 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL COORDINACION GENERAL DE POSGRADO E INVESTIGACION CARTA SESION DE DERECHOS En la Ciudad de México, Distrito Federal, el día 19 del mes Mayo del año 2006, el que suscribe Ing. Manuel Torres Sabino alumno del Programa de Maestría en Ciencias con Especialidad en Ingeniería Eléctrica con número de registro B031510, adscrito a la Sección de Estudios de Posgrado e Investigación de la ESIME Unidad Zacatenco, manifiesta que es autor intelectual del presente Trabajo de Tesis bajo la dirección del Dr. Raúl Ángel Cortés Mateos y cede los derechos del trabajo intitulado: Diseño e Implementación de una Interfaz de Potencia para un Variador de Velocidad de Motores de Inducción , al Instituto Politécnico Nacional para su difusión, con fines académicos y de investigación. Los usuarios de la información no deben reproducir el contenido textual, gráficas o datos del trabajo sin el permiso expreso del autor y/o director del trabajo. Éste puede ser obtenido escribiendo a las siguientes direcciones: mtorres_77@hotmail.com; rcortes@ipn.mx. Si el permiso se otorga, el usuario deberá dar el agradecimiento correspondiente y citar la fuente del mismo. Manuel Torres Sabino Nombre y firma IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica RESUMEN En este trabajo de tesis se diseña una interfaz de potencia para el accionamiento eléctrico de motores de inducción trifásicos con capacidad máxima de 1.5HP. La interfaz fue diseñada empleando la topología de control y accionamiento de un inversor de potencia fuente de voltaje. Esta interfaz de potencia permite variar la frecuencia y el voltaje, es decir, la velocidad de un motor de inducción implementando algoritmos de control en un microcontrolador DSP. El microcontrolador DSP genera las señales de control que son enviadas primeramente a los optoacopladores, después al controlador de compuertas y éste las envía a las compuertas de los IGBT´s del inversor. Las señales que controlan las compuertas de los IGBT´s se generan de acuerdo al método de control empleado. El voltaje a la salida del inversor dependerá de las señales de control; este voltaje alimenta la carga. La interfaz se probó con dos técnicas de control, como son, PWM Sinusoidal y PWM Sinusoidal más tercera armónica. Esta interfaz cuenta con protecciones de sobrecorriente, sobretemperatura, sobrevoltajes y de aislamiento. La protección de sobrecorriente se hace con un circuito integrado sensor de corriente. En la protección de sobretemperatura se tienen dos esquemas, protección por disipador de calor y protección por termoresistor que se encuentra integrado en el módulo inversor de potencia empleado. En la protección de sobrevoltajes se implementaron circuitos de ayuda a la conmutación o mejor conocidos como redes de snubber. La protección por aislamiento se lleva a cabo mediante optoacopladores. La implementación de la interfaz de potencia se llevó acabo mediante un circuito impreso. El diseño del circuito impreso fue asistido por computadora. El software utilizado para el diseño del circuito impreso es el Protel 99se. Se definen las reglas para el diseño del impreso, se dan las principales sugerencias de diseño que recomiendan los fabricantes, se muestran los diagramas esquemáticos y los diagramas del circuito impreso por ambas caras realizados en Protel. i IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica ABSTRACT In this work a drive system for induction motor with maximum capacity of 1.5 HP is designed using the topology of a three-phase voltage source inverter (VSI). This system allows varying the induction motor's speed, varying the frequency and voltage implementing control algorithms in a DSP microcontroller. The DSP microcontroller generates the control signals which are firstly sent to the optocouplers, later to the bridge driver of gates and finally to the IGBTs' gates of inverter. The signals which control the IGBTs' inverter are generated according to the used control method. The inverter output voltage will depend on the control signals; this voltage feeds the load. The drive system was proved with two control techniques, Sinusoidal PWM and Sinusoidal PWM with Third Harmonic Injection. This system has overcurrent, overheat, overvoltage and isolation protections. The overcurrent protection is made with a current sensing integrated circuit. The overheat protection has two schemes, heatsink protection and thermistor protection. Thermistor protection is integrated in the inverter power module. In the overvoltage protection, commutation help circuits were implemented, better known as snubber circuits. The isolation protection is carried out by means of optocouplers. The implementation of the drive system was carried out by means of a printed circuit board. The design of the printed circuit board was aided by computer. The software used for the printed circuit design is the Protel 99se. The rules for the printed circuits design are defined, and the main design suggestions recommended by the manufacturers are given, the schematic and the printed circuit diagrams are shown by both layers. ii IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CONTENIDO RESUMEN........................................................................................................................ i ABSTRACT ..................................................................................................................... ii AGRADECIMIENTOS .................................................................................................... iv ÍNDICE DE FIGURAS ...................................................................................................xii ÍNDICE DE TABLAS.....................................................................................................xix NOMENCLATURA ........................................................................................................ xx GLOSARIO DE TÉRMINOS ........................................................................................xxvi CAPÍTULO I. INTRODUCCIÓN 1.1. Generalidades.....................................................................................1 1.2. Objetivo de la tesis.............................................................................4 1.3. Justificación .......................................................................................5 1.4. Descripción del problema ................................................................6 1.5. Estado del Arte ...................................................................................6 1.6. Aportaciones ....................................................................................14 1.7. Estructura de la Tesis ......................................................................15 CAPÍTULO 2. LA INTERFAZ DE POTENCIA 2.1. Esquema a Bloques de la Interfaz de Potencia ..............................17 2.2. Motor de Inducción para el cual se Diseño la Interfaz de Potencia .............................................................................................19 2.3. Convertidores de Potencia ...............................................................20 2.4. Rectificador de Potencia...................................................................20 2.4.1. Parámetros de Rendimiento del Rectificador ................................................. 21 iii IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica 2.4.2. Rectificador Trifásico...................................................................................... 24 2.4.2.1. Carga resistiva.................................................................................... 24 2.4.2.2. Carga R-L ........................................................................................... 27 2.4.3. Selección del Puente Rectificador ................................................................. 29 2.4.4. Características del Puente Rectificador......................................................... 29 2.4.5. Cálculo del Capacitor del Bus de CD del Puente Rectificador ...................... 30 2.5. Inversor de Potencia .........................................................................32 2.5.1. Fundamento Teórico del Inversor ................................................................. 32 2.5.2. Conceptos Básicos del Inversor ................................................................... 33 2.5.3. Modulación por Ancho de Pulso ................................................................... 34 2.5.4. Inversores Trifásicos..................................................................................... 38 2.5.5. PWM en Inversores Trifásicos Fuente de Voltaje ......................................... 39 2.5.6. Modulación Lineal en Inversores Trifásicos ( ma ≤ 1 )..................................... 40 2.5.7. Sobremodulación en Inversores Trifásicos ( ma > 1 )...................................... 40 2.5.8. Voltajes de Fase a Neutro en Inversores Trifásicos ..................................... 41 2.5.9. Selección del Módulo de Potencia-Inversor Trifásico ................................... 43 2.5.10. Características del Módulo de Potencia EMP25P12B ............................. 43 2.5.11. Descripción del Módulo de Potencia............................................................. 44 2.6. Controlador de Compuertas Trifásico.............................................45 2.6.1. Selección del Circuito Integrado Controlador de Compuertas....................... 46 2.6.2. Características del Controlador de Compuertas............................................ 46 2.6.3. Descripción del Controlador de Compuertas................................................. 47 2.6.4. Circuito de Bootstrap en el Controlador de Compuertas ............................... 49 2.6.5. Factores que Afectan la Fuente de Bootstrap ............................................... 50 2.6.6. Cálculo del Capacitor de Bootstrap ............................................................... 50 2.7. Optoacopladores ...............................................................................53 2.7.1. Selección de Optoacopladores...................................................................... 53 2.7.2. Características de los Optoacopladores Seleccionados................................ 54 2.8. Sensores ............................................................................................54 iv IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica 2.9. Microcontrolador DSP.......................................................................55 2.9.1. Características de la Tarjeta de Desarrollo 56F8300DEMO.......................... 55 2.9.2. Descripción de la Tarjeta de Desarrollo 56F8300DEMO............................... 56 CAPÍTULO 3. PROTECCIONES PARA LA INTERFAZ DE POTENCIA EN EL ACCIONAMIENTO DE UN MOTOR DE INDUCCIÓN 3.1. Esquema a Bloques de la Interfaz de Potencia..............................58 3.2. Protecciones en la Interfaz de Potencia .........................................60 3.2.1. Protección de Sobrecorriente ..................................................................... 60 3.2.1.1. Sensor de corriente IR2175 ................................................................ 61 3.2.1.2. Características del Sensor IR2175..................................................... 62 3.2.1.3. Descripción del Sensor IR2175........................................................... 62 3.2.1.4. Funcionamiento y Operación del esquema de protección de sobrecorriente con el Sensor IR2175 ................................................. 63 3.2.2. Protección de Sobretemperatura................................................................ 65 3.2.2.1. Disipador de Calor .............................................................................. 65 3.2.2.2. Termoresistor del Módulo de Potencia .............................................. 68 3.2.3. Protección de Sobrevoltaje ......................................................................... 69 3.2.3.1. Circuitos Amortiguadores o Circuitos de Snubber .................................. 69 3.2.3.1.1. Clasificación de los circuitos de snubber....................................... 72 3.2.3.1.2. Cálculo del circuito de snubber ..................................................... 73 3.2.3.1.2.1. Selección del diodo de snubber.......................................... 75 3.2.3.1.2.2. Capacitor de desacople para el bus de CD ........................ 76 3.2.3.2. Protección de Sobrevoltaje debido al Frenado Dinámico ...................... 77 3.2.4. Protección por Aislamiento......................................................................... 78 3.2.5. Protecciones del Controlador de Compuertas IR2136.............................. 79 v IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 4. DISEÑO DEL CIRCUITO IMPRESO PARA LA INTERFAZ DE POTENCIA 4.1. Diseño del Circuito Impreso Asistido por Computadora ..............81 4.2. Clasificación de Circuitos Impresos................................................83 4.3. Reglas a Considerar en el Diseño de un Circuito Impreso ...........84 4.4. Puntos Críticos en el Diseño de Circuitos Impresos .....................86 4.4.1. Cruzamiento de Pistas ................................................................................... 86 4.4.2. Pistas Largas.................................................................................................. 86 4.4.3. Intensidad de Corriente .................................................................................. 86 4.4.4. Componentes Fuera de la Placa .................................................................... 87 4.5. Recomendaciones y Sugerencias de Diseño en el Accionamiento de IGBTs.............................................................................................87 4.5.1. Distancia de los Voltajes del Lado Alto y Bajo en el Controlador de Compuertas ................................................................................................. 87 4.5.2. Plano de Tierra ............................................................................................ 87 4.5.3. Lazos del Accionamiento de Compuertas.................................................... 87 4.5.4. Capacitores de suministro del controlador de compuertas .......................... 88 4.6. Factores que Influyen en el Precio de un Circuito Impreso ..........88 4.7. Medios Necesarios para Realizar el Diseño de un Circuito Impreso por Software........................................................................89 4.8. Información que se Requiere para la Fabricación de Circuitos Impresos ............................................................................................90 4.9. Montaje de los componentes en un Circuito Impreso.................90 4.10. Diagramas Eléctricos del Sistema a Montar en el Circuito Impreso ............................................................................................91 4.11. Diagramas Esquemáticos del Sistema .........................................93 vi IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica 4.12. Circuito Impreso del Sistema.........................................................95 4.12.1. Diagrama PCB por Arriba........................................................................... 96 4.12.2. Diagrama PCB por Abajo ........................................................................... 97 4.12.3. Diagrama PCB por Ambas Caras .............................................................. 98 4.12.4. Placa del Circuito Impreso Visto por Arriba sin Componentes ................... 99 4.12.5. Placa del Circuito Impreso Visto por Abajo sin Componentes ................ 100 4.13. Tarjeta Terminada con Todos sus Componentes Montados ....101 CAPÍTULO 5. PRUEBAS Y RESULTADOS 5.1. Pruebas y Resultados en las Salidas del Microcontrolador DSP...................................................................................................102 5.2. Pruebas y Resultados en las Salidas de los Optoacopladores.............................................................................105 5.2.1. Pruebas de Señales Complementarias a la Salida de los Optoacopladores .......................................................................................... 106 5.2.2. Pruebas de Frecuencias y Voltajes a la Salida de los Optoacopladores...... 108 5.2.3. Pruebas de Tiempos Muertos a la Salida de los Optoacopladores .............. 109 5.2.4. Comparación de los Métodos de Control PWM Sinusoidal y Sinusoidal más Tercera Armónica......................................................................................... 112 5.3. Pruebas y Resultados en las salidas del Controlador de Compuertas ....................................................................................114 5.3.1. Pruebas de Señales Complementarias, Voltaje y Frecuencia a la Salida del IR2136.......................................................................................................... 116 5.3.2. Pruebas de de Tiempos Muertos a la Salida del IR2136 ............................. 117 5.3.3. Señales PWM que Forman el Voltaje Sinusoidal de cada Fase a la Salida del IR2136.......................................................................................................... 118 5.4. Pruebas y Resultados en las Salidas del Inversor ......................121 vii IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica 5.4.1. Pruebas con Cargas Resistivas ................................................................... 121 5.4.2. Pruebas con Cargas Inductivas.................................................................... 126 5.4.2.1. Voltajes de Línea a la Salida del Inversor con un Motor de 1/8HP ....... 126 5.4.2.2. Voltajes de Línea a la Salida del Inversor con un Motor de 1/2HP ....... 129 5.4.2.2.1. Medición de Voltajes de Línea con una Amplitud del 100%.......... 130 5.4.2.2.2. Comparación entre los Métodos de Control SPWM y THSPWM .. 131 5.4.2.2.3. Comparación Entre los Métodos de Control SPWM y THSPWM con Filtro .............................................................................................. 132 CAPÍTULO 6. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES PARA TRABAJOS FUTUROS 6.1. Conclusiones...................................................................................136 6.2. Recomendaciones para Trabajos Futuros ...................................139 6.3. Aportaciones de la Tesis................................................................139 Referencias ....................................................................................140 Apéndices .....................................................................................144 Apéndice A. INICIALIZAR CON PROCESSOR EXPERT LOS DISPOSITIVOS DEL DSP ..................................................................................................................... 145 A.1. Inicializar dispositivos con Processor Expert................................................. 145 A.1.1. Cápsula Comunicación serie con PC_Master .............................................. 147 A.1.2. Cápsula PWMMC............................................................................................. 148 A.1.3. Cápsula ADC ................................................................................................... 152 A.1.4. Cápsula Disparador de ADC por Temporizador ........................................... 154 viii IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica A.1.5. Cápsula Captura.............................................................................................. 155 A.1.6. Cápsula Botón IRQA....................................................................................... 156 Apéndice B. PROGRAMA DE CONTROL ESCALAR VOLTAJE/FRECUENCIA EN LAZO ABIERTO.................................................................................................... 158 B.1. Programa Principal ............................................................................................ 158 B.2. Subrutinas de Interrupción ............................................................................... 160 B.3. Funciones ........................................................................................................... 165 Apéndice C. INTERFAZ VISUAL EN LA PC ................................ 168 C.1. Control y visualización de resultados con páginas WEB mediante el vínculo con el programa FreeMaster..................................................................................... 168 ix IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica ÍNDICE DE FIGURAS Figura 2.1. Esquema a bloques de los diferentes módulos que conforman la interfaz de potencia………………………………………………………..18 Figura 2.2. Motor de inducción de 1.5 HP trifásico para el que se diseñó la interfaz de potencia…………………………………………………………...…....19 Figura 2.3. Formas de onda del voltaje y corriente de entrada de un rectificador...........................................................................................23 Figura 2.4. Rectificador trifásico y numeración de los diodos de acuerdo a la secuencia de conducción....................................................................25 Figura 2.5. Formas de onda y ángulo de conducción de los diodos del rectificador trifásico................................................................................................25 Figura 2.6. Rectificador trifásico con carga RL......................................................27 Figura 2.7. Diagrama eléctrico y forma física del puente rectificador 36MT120....29 Figura 2.8. Formas de onda de voltaje de CA rectificado mostrando el periodo de conducción desde Vmáx a Vmín.............................................................30 Figura 2.9. Diagrama eléctrico de la fuente de voltaje para el inversor trifásico................................................................................................31 Figura 2.10. Inversor Monofásico: a) A modo de interruptores, b) Formas de onda a la salida del inversor, c) Cuadrantes del plano i0-v0 del inversor........33 Figura 2.11. Pierna del Inversor a Modo de Interruptores.......................................34 Figura 2.12. Voltaje sinusoidal de salida producido por PWMs..............................35 Figura 2.13. Periodo de conmutación considerando vcontrol constante.....................36 Figura 2.14. Diagrama del Inversor trifásico............................................................38 Figura 2.15. Formas de onda PWM trifásicas.........................................................39 Figura 2.16. Regiones de modulación en inversores trifásicos...............................41 Figura 2.17. Diagrama de bloques de un inversor fuente de voltaje que alimenta a un motor de CA...................................................................................41 Figura 2.18. Módulo de potencia EMP25P12B de International Rectifier................43 x IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica Figura 2.19. Diagrama eléctrico interno del módulo de potencia............................44 Figura 2.20. Identificación de los diferentes pines del módulo de potencia............45 Figura 2.21. Circuito Integrado Controlador de compuertas IR2136.......................46 Figura 2.22. Conexión típica del CI IR2136.............................................................47 Figura 2.23. Diagrama funcional del CI IR2136.......................................................48 Figura 2.24. Dispositivos internos del optoacoplador HCPL-2531..........................53 Figura 2.25. Circuito integrado del optoacoplador HCPL-2531...............................54 Figura 2.26. Tarjeta de desarrollo 56F8300DEMO de Freescale Semiconductor.....................................................................................55 Figura 3.1. Esquema a bloques de los diferentes módulos que conforman la interfaz de potencia.............................................................................59 Figura 3.2. Circuito integrado sensor de corriente IR2175....................................61 Figura 3.3. Diagrama de conexión de los sensores de corriente IR2175..............62 Figura 3.4. Diagrama eléctrico del módulo inversor trifásico EMP25P12B de IR.........................................................................................................63 Figura 3.5. Esquema de protección de sobrecorriente conectado a las resistencias sensoras del inversor..........................................................................64 Figura 3.6. Analogía eléctrica de la transferencia de calor: (a) Estructura multicapa, (b) Circuito equivalente basado en resistencias térmicas..65 Figura 3.7. Disipador de calor................................................................................67 Figura 3.8. Resistencia térmica vs Temperatura de la placa del módulo EMP25P12B........................................................................................68 Figura 3.9. Circuito Divisor de voltaje para la protección de sobretemperatura................................................................................69 Figura 3.10. Circuito de un convertidor mostrando: a) las inductancias parásitas, b) Trayectoria de conmutación y c) Formas de onda de corriente y voltaje durante el encendido y el apagado del transistor................................70 xi IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Figura 3.11. Maestría en Ingeniería Eléctrica Circuitos de snubbers individuales: a) Circuito de snubber RC, b) Circuito de snubber RCD de carga y descarga y c) Circuito de snubber RCD supresor en la descarga.............................................................72 Figura 3.12. Circuitos de snubbers de una pieza: a) Circuitos de snubber C, b) Circuitos de snubber RCD...................................................................73 Figura 3.13. Circuitos de snubber y capacitor de desacople implementados en el inversor................................................................................................76 Figura 3.14. Esquema de protección de sobrevoltaje en el frenado dinámico........77 Figura 3.15. Diagrama eléctrico de los optoacopladores........................................78 Figura 3.16. Controlador de compuertas con sus diferentes dispositivos auxiliares.............................................................................................79 Figura 4.1. Circuito Impreso en una placa aislante de fibra de vidrio....................82 Figura 4.2. Reglas para el diseño de pistas con ángulos de 90° y distancias entre pistas...................................................................................................84 Figura 4.3. Lazo del accionamiento de compuertas en aplicaciones con IGBTs..................................................................................................88 Figura 4.4. Diagrama eléctrico del sistema a montar en el circuito impreso................................................................................................91 Figura 4.5. Diagrama eléctrico de las fuentes de alimentación montadas en el impreso................................................................................................92 Figura 4.6. Diagrama esquemático de las fuentes de alimentación montadas en el circuito impreso...................................................................................93 Figura 4.7. Diagrama esquemático de los sensores de corriente IR2175, hecho en Protel...................................................................................................94 Figura 4.8. Diagrama esquemático de optoacopladores, controlador de compuertas y módulo inversor............................................................95 Figura 4.9. Diagrama de circuito impreso con las formas de los componentes por ambas caras y pistas por arriba..........................................................96 xii IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Figura 4.10. Maestría en Ingeniería Eléctrica Diagrama de circuito impreso con las formas de los componentes por ambas caras y pistas por abajo...........................................................97 Figura 4.11. Diagrama de circuito impreso con las formas de los componentes y pistas por ambas caras.......................................................................98 Figura 4.12. Placa del circuito impreso con las formas de los componentes y pistas por arriba.............................................................................................99 Figura 4.13. Placa del circuito impreso con las formas de los componentes y pistas por abajo............................................................................................100 Figura 4.14. Tarjeta de la interfaz de potencia con todos sus componentes.....................................................................................101 Figura 5.1. Tarjeta de desarrollo 56F8300DEMO de Freescale Semiconductor...................................................................................103 Figura 5.2. Señales de control en los pines de salida de la tarjeta de desarrollo...........................................................................................104 Figura 5.3. Diagrama eléctrico de los optoacopladores......................................105 Figura 5.4. Montaje en el circuito impreso de los optoacopladores y sus dispositivos auxiliares........................................................................106 Figura 5.5. Señales de control complementarias en los pines de salida de los optoacopladores................................................................................107 Figura 5.6. Señales de control complementarias en los pines de salida de los optoacopladores................................................................................108 Figura 5.7. Señales de control complementarias a la salida de los optoacopladores: (a) Señales para una pierna del inversor, (b) Tiempo muerto entre ellas de 3μs..................................................................109 Figura 5.8. Señales de control complementarias a la salida de los optoacopladores: (a) Señales para una pierna del inversor, (b) Tiempo muerto entre ellas de 2μs en el extremo izquierdo, (c) Tiempo muerto entre ellas de 2μs en el extremo derecho.........................................110 xiii IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Figura 5.9. Señales Maestría en Ingeniería Eléctrica de control complementarias a la salida de los optoacopladores: (a) Señales para una pierna del inversor, (b) Tiempo muerto entre ellas de 1.5μs...............................................................111 Figura 5.10. Señales de control complementarias a la salida de los optoacopladores con un tiempo muerto entre ellas de 1.0μs y 0.7μs..................................................................................................111 Figura 5.11. Ciclos de trabajo trifásicos con amplitud del 100%: (a) sinusoidal y (b) sinusoidal más tercera armónica.......................................................112 Figura 5.12. Formas de ondas sinusoidales trifásicas con inyección de tercer armónica, con 100% de amplitud......................................................113 Figura 5.13. Señales PWM con 100% de amplitud: (a) método de control SPWM (b) método de control THSPWM.......................................................114 Figura 5.14. Controlador de compuertas IR2136 con sus circuitos auxiliares.......115 Figura 5.15. Montaje en el circuito impreso del controlador de compuertas IR2136 con sus circuitos auxiliares................................................................116 Figura 5.16. Señales complementarias de 15V a la salida del controlador de compuertas........................................................................................117 Figura 5.17. Medición de tiempo muerto de señales complementarias de 15V a la salida del controlador de compuertas................................................117 Figura 5.18. Medición de tiempo muerto de señales complementarias de 15V a la salida del controlador de compuertas................................................118 Figura 5.19. Señales PWM a 30Hz que forman el voltaje sinusoidal de cada fase a la salida del controlador de compuertas............................................119 Figura 5.20. Señales PWM a 60Hz que forman el voltaje sinusoidal de cada fase a la salida del controlador de compuertas............................................119 Figura 5.21. Señales PWM que forman el voltaje sinusoidal de cada fase a la salida del controlador de compuertas..........................................................120 Figura 5.22. Señales PWM que forman el voltaje sinusoidal de cada fase a la salida del controlador de compuertas..........................................................121 xiv IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Figura 5.23. Maestría en Ingeniería Eléctrica Sistema a bloques con carga resistiva conectada en "Y" indicando los posibles puntos de medición con el osciloscopio..............................122 Figura 5.24. Conexión física de la prueba con carga resistiva..............................122 Figura 5.25. Voltajes de fase a neutro a 30Hz con carga resistiva: (a) con el 100% de amplitud, (b) con el 50% de amplitud...........................................123 Figura 5.26. Voltajes de fase a neutro a 30Hz con carga resistiva: (a) con el 25% de amplitud, (b) con el 12.5% de amplitud........................................123 Figura 5.27. Voltajes de fase a neutro a 60Hz con carga resistiva: (a) con el 100% de amplitud, (b) con el 50% de amplitud...........................................124 Figura 5.28. Voltajes de fase a neutro a 60Hz con carga resistiva: (a) con el 25% de amplitud, (b) con el 12.5% de amplitud........................................124 Figura 5.29. Voltajes de fase a neutro a 90Hz con carga resistiva: (a) con el 100% de amplitud, (b) con el 50% de amplitud...........................................125 Figura 5.30. Voltajes de fase a neutro a 90Hz con carga resistiva: (a) con el 25% de amplitud, (b) con el 12.5% de amplitud........................................125 Figura 5.31. Sistema completo con un motor de 1/8HP........................................126 Figura 5.32. Voltaje de línea a la salida del inversor con un motor de 1/8HP: (a) Señal sin filtro a 10Hz, (b) señal filtrada a 10Hz...............................127 Figura 5.33. Voltaje de línea a la salida del inversor con un motor de 1/8HP: (a) Señal sin filtro a 30Hz, (b) señal filtrada a 30Hz...............................127 Figura 5.34. Voltaje de línea a la salida del inversor con un motor de 1/8HP: (a) Señal sin filtro a 60Hz, (b) señal filtrada a 60Hz...............................128 Figura 5.35. Voltaje de línea a la salida del inversor con un motor de 1/8HP: (a) Señal sin filtro a 90Hz, (b) señal filtrada a 90Hz...............................128 Figura 5.36. Sistema completo con un motor de 1/2HP........................................129 Figura 5.37. Voltaje de línea a línea a la salida del inversor con un motor de 1/2HP.................................................................................................130 Figura 5.38. Voltaje de línea a línea a la salida del inversor con un motor de 1/2HP: (a) método de control SPWM, (b) método de control THSPWM...........................................................................................131 xv IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Figura 5.39. Maestría en Ingeniería Eléctrica Voltaje de línea a línea a la salida del inversor con un motor de 1/2HP: (a) Zoom del método de control SPWM, (b) Zoom del método de control THSPWM...............................................................................131 Figura 5.40. Voltajes filtrados de línea a línea a la salida del inversor 40 Hz, con un motor de 1/2HP: (a) método de control SPWM, (b) método de control THSPWM...........................................................................................133 Figura 5.41. Voltajes filtrados de línea a línea a la salida del inversor a 60 Hz, con un motor de 1/2HP: (a) método de control SPWM, (b) método de control THSPWM...............................................................................133 Figura A.1. Ambiente de programación “Processor Expert”................................145 Figura A.2. Cápsulas de los periféricos del control..............................................146 Figura A.3. Cápsula de comunicación serie con FreeMaster..............................147 Figura A.4. Cápsula modulación de ancho de pulso para control de motores.....148 Figura A.5. Cápsula modulación de ancho de pulso para control de motores.....152 Figura A.6. Cápsula Disparador de ADC por temporizador.................................154 Figura A.7. Cápsula Captura................................................................................155 Figura A.8. Cápsula Botón IRQA.........................................................................156 Figura C.1. Página HTML de bienvenida al control escalar voltaje/frecuencia de lazo abierto........................................................................................169 Figura C.2. Página de control de motor de inducción..........................................170 Figura C.3. Página de Instrumentación virtual.....................................................171 xvi IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica ÍNDICE DE TABLAS Tabla 2.1. Especificaciones del motor de inducción ZDM3584T de Baldor Motors and Drives........................................................................................................19 Tabla 2.2. Parámetros principales y características nominales del rectificador 36MT120...................................................................................................29 Tabla 4.1. Espesores de pista recomendados para conducir la corriente que se indica.........................................................................................................85 xvii IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica NOMENCLATURA CA Corriente Alterna CD Corriente Directa PWM Modulación de Ancho de Pulso – Pulse Width Modulation IGBT Transistor Bipolar de Compuerta Aislada – Insulated Gate Bipolar Transistor MOSFET Transistor de Efecto de Campo de Óxido de Metal Semiconductor Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor DSP Procesador de Señales Digitales – Digital Signals Processor PC Computadora Personal - Personal Computer HP Caballos de Potencia – Horse Power Vcd, Vd Voltaje promedio a la salida del rectificador Icd Corriente promedio a la de salida del rectificador Pcd Potencia de salida en CD rms Raíz Cuadrada Media Vrms Voltaje rms Irms Corriente rms Pca Potencia de salida en CA η Eficiencia o razón de rectificación de un rectificador Vca Voltaje de corriente alterna FF Factor de Forma del voltaje de salida de un rectificador RF Factor de Rizo de un rectificador – Ripple Factor TUF Factor de Utilización de Transformador – Transformer Utilization Factor Vs Voltaje rms del secundario del transformador Is Corriente rms del secundario del transformador vs Voltaje sinusoidal instantáneo a la entrada del rectificador is Corriente instantánea a la entrada del rectificador is1 Componente Fundamental de la corriente de entrada xviii IPN SEPI ESIME-ZACATENCO φ Maestría en Ingeniería Eléctrica Ángulo de desplazamiento entre la componente fundamental de corriente y la de voltaje a la entrada del rectificador DF Factor de Desplazamiento – Displacement Factor HF Factor Armónico – Harmonic Factor THD Distorsión Armónica Total – Total Harmonic Distortio PF Factor de Potencia – Power Factor CF Factor de Cresta – Crest Factor Vm Voltaje pico de fase νan, νbn, νcn Voltajes instantáneos de fase Im Corriente pico a través de un diodo Ir Valor rms de la corriente en cada diodo ν0(t) Voltaje instantáneo de salida de un rectificador R Resistencia Ω Ohm L Inductancia E Fuente de voltaje Vab Voltaje rms entre la fase "A" y la fase "B" i0 Corriente de carga Z Impedancia de carga θ Ángulo de la impedancia de carga ω Velocidad angular t Tiempo IR International Rectifier IFSM VRRM TJ Temperatura de la unión del dispositivo DV Diferencia de voltaje Cmín Capacitancia mínima del bus de CD Pin Potencia de la carga f Frecuencia xix IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica VSI Inversor Fuente de Voltaje – Voltage Source Inverter CSI Inversor Fuente de Corriente – Current Source Inverter v0 Voltaje de carga o voltaje de salida del inversor p0 Potencia instantánea ^ V tri Amplitud pico de la señal triangular fs Frecuencia de conmutación o carrier de la forma de onda triangular vtri Señal triangular vcontrol Señal de control ma Amplitud de la relación de modulación ^ V control Amplitud pico de la señal de control mf Relación de modulación de frecuencia f1 Frecuencia de la señal de control TA+, TA- Interruptores v Ao Voltaje del punto "A" al "0" VAo Voltaje promedio del punto "A" al "0" v AN Voltaje del punto "A" al "N" ^ (V AN )1 Valor pico de la componente fundamental VLL1 Voltaje fundamental rms de línea a línea n Neutro de la carga vkN Voltajes de fase a la salida del inversor con respecto al neutro k Fase A,B o C RBSOA Área de Operación Segura de Polarización Inversa – Reverse Bias Safe Operating Area Vce Voltaje Colector–Emisor VF Voltaje de polarización directa ppm Puntos por millón Th+ Terminal positiva del termoresistor del módulo de potencia xx IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica Th- Terminal negativa del termoresistor del módulo de potencia DBC Direct Bondable Copper CI Circuito Integrado IR International Rectifier dV/dt Cambio o pendiente de voltaje di/dt Cambio o pendiente de corriente Vcc Fuente fija de voltaje Vss Tierra lógica HIN Entradas lógicas para las salidas del controlador de compuertas de lado alto. LIN Entradas lógicas para las salidas del controlador de compuertas de lado bajo FAULT Pin de falla negativo lógico, salida open-drain EN Entrada lógica para habilitar la funcionalidad I/O (Input/Output) ITRIP Entrada analógica para disparo por sobrecorriente. RCIN Entrada de Red RC VB1, 2, 3 Fuente flotada del lado alto HO1, 2, 3 Salidas del controlador de compuertas del lado alto VS1, 2, 3 Retornos de la fuente flotada de alto voltaje LO1, 2, 3 Salidas del controlador de compuertas del lado bajo Cbs Capacitor de bootstrap Vbs Voltaje de bootstrap Dbs Diodo de bootstrap ΔVBS Caída de voltaje mínima en lado alto del controlador VGEmín Voltaje Gate-Emisor mínimo para mantener la conducción en IGBT VCEon Voltaje Colector-Emisor del lado bajo del IGBT VBSUV- Caída de voltaje negativo de la fuente del lado alto QG Carga de compuerta requerida para la conducción del IGBT ILK_GE Corriente de fuga Gate-Emisor del IGBT IQBS Corriente fija de la sección flotada xxi IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica ILK Corriente de fuga de la sección flotada ILK_DIODE Corriente de fuga del diodo de bootstrap IDS- Corriente del diodo antiparalelo cuando está encendido QLS Carga requerida por los cambiadores de nivel internos por ciclo ILK_CAP Corriente de fuga del capacitor de bootstrap THON Tiempo de encendido del lado alto SW1 Interruptor para el usuario de la tarjeta de desarrollo 56F8300DEMO IRQA Interruptor de la tarjeta de desarrollo 56F8300DEMO P1 Puerto de comunicación paralelo SCI Puerto de comunicación serie – Serial Comunication Interface GPIO/SERIAL Puerto de 16 pines de entrada/salida de propósito general TIMER/PWM Puerto de 16 pines dispuesto para las salidas PWMs ADC Convertidor Analógico a Digital CAN Puerto de comunicación – Controller Area Network MHz Mega-Hertz kHZ Kilo-Hertz MIPS Millones de instrucciones por segundo IPR Registro de Prioridad de Interrupciones THSPWM Third Harmonic Sinusoidal Pulse Width Modulation SPWM Sinusoidal Pulse Width Modulation COM Tierra lógica VIN+ Entrada de voltaje positivo del sensor de corriente IR2175 VB Suministro de voltaje del lado alto del sensor de corriente IR2175 Vs Retorno del lado alto del sensor de corriente IR2175 PO Salida PWM del sensor de corriente IR2175 OC Salida de sobrecorriente Lógica Negativa del sensor IR2175 NC No Conexión DC- Negativo del bus de CD PA Pérdidas promedio de potencia RJC Resistencia térmica de unión a la caja xxii IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica RCS Resistencia térmica del encapsulado al disipador RSA Resistencia térmica del disipador al ambiente TJ Temperatura de la unión del dispositivo TC Temperatura del casco TS Temperatura del disipador TA Temperatura ambiente Dfwd Diodo de libre camino Ls Iinductancias parásitas I0 Corriente máxima de conmutación o de colector del IGBT fsw Frecuencia de conmutación Vcc Voltaje en el bus de CD Vpk Voltaje pico máximo del capacitor de snubber Csn Capacitor de snubber Rsn Resistencia de la red de snubber PR Pérdidas en la resistencia de snubber LC Longitud del cable φ Diámetro del cable ton Tiempo de encendido toff Tiempo de apagado TFLTCLR Tiempo de limpiado de falla mm Milímetro m Metro A Amper PCB Placa de Circuito Impreso – Printed Circuit Board CAM Manufactura asistida por computadora–Computer Aided Manufacturing CAD Diseño asistido por computadora – Computer Aided Design ASCII Código Internacional Estándar para Intercambio de Información HTML HyperText Markup Language xxiii IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica GLOSARIO DE TÉRMINOS CAD. Diseño asistido por computadora. ambiente electromagnético sin Sistema que ayuda a diseñar y ver el interferencia con otros dispositivos. crear producto en una pantalla gráfica o en el Excellon. Excellon es una estructura resultado será un diagrama de circuito estándar que facilita el intercambio de impreso. datos entre CAD y CAM. Un Archivo una impresión. En electrónica, Excellon CAM. Manufactura asistida por contiene las coordenadas donde debe haber perforaciones en un circuito impreso y la lista de herramientas computadora. requeridas (para el tamaño de los CEM-1. Clasificación NEMA para una hoyos). placa industrial con substrato de fibra de vidrio en la superficie y un núcleo de FR-1. Versión de menor grado del FR-2. papel. propiedades FR-2. Clasificación NEMA para una eléctricas y mecánicas, aunque inferiores placa industrial retardante de flama con a las del FR-4. un substrato de papel y una cubierta Tiene buenas fenólica. Es más económico que las Diodo de Libre Camino. Diodo que se placas de fibra de vidrio (como el FR-4). conecta en antiparalelo en las terminales de los dispositivos de potencia, como FR-4. Clasificación NEMA para una IGBTs, cuales placa industrial retardante de flama con minimizan el proceso de recuperación un substrato de fibra de vidrio y cubierta inversa. de epoxido. El FR-4 es el material MOSFET, etc; los dieléctrico más comúnmente usado en la EMC. Compatibilidad electromagnética. construcción de PCBs. 1) Habilidad de un equipo electrónico de operar sin degradación en un ambiente Gerber. El formato gerber es una forma electromagnético y 2) Habilidad de un simple equipo electrónico de operar en su información de un circuito impreso a una xxiv y genérica de transferir IPN SEPI ESIME-ZACATENCO variedad de Maestría en Ingeniería Eléctrica dispositivos CAM. Inversor. circuito que convierte una Virtualmente cada sistema PCB CAD señal de voltaje de CD a un voltaje de genera datos gerber. El formato gerber CA. es de hecho una familia de tipos de datos que pertenecen al estándar EIA Inversor RS-274D. El formato gerber extendido, trifásico, en el cual los disposiyivos que también lo integran conmutan seis veces en un llamado RS-274X, incluye mejoras en el manejo de llenado de de Seis Pasos. Inversor ciclo. polígonos, composición negativa/positiva de la imagen, aperturas incluidas, entre Inversor Fuente de Corriente. Circuito otras. inversor que mantiene constante la corriente de salida independientemente Hoyo Platinado ó plated through hole (PTH). Proceso en el que de la carga que alimenta. se interconectan patrones conductivos de Inversor Fuente de Voltaje. Circuito diferentes caras, al metalizar la pared de inversor que mantiene constante el una perforación. Esta perforación puede voltaje de la carga que alimenta. ser parte de un pad o una via creada únicamente para interconectar capas. Mascara Antisoldante. Recubrimiento En los prototipos, es común el uso de aplicado sobre áreas selectas del circuito "eyelets", para sustituir al PTH. Los impreso que permite el soldado de las "eyelets" son una especie de remaches áreas expuestas, usualmente solo los de pads. cobre que se insertan en la perforación para interconectar "pads" de ambas caras. Pad. Área que permite la unión con soldadura entre el componente IGBT. Siglas en Inglés del transistor de electrónico o mecánico y las pistas. potencia de compuerta aislada. Puede tener forma circular, ovalada o cuadrada. xxv IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica PCB de Doble Cara. Un PCB con patrón Rectificador. Circuito que convierte una conductivo en ambos lados, sin capas señal de CA en una señal unidireccional intermedias. de CD. Pista (track). Conexión eléctrica entre 2 Silkscreen ó leyenda de componentes. ó mas puntos en un PCB. Identificación de componentes impresa en la placa. Aunque no es indispensable, Pitch. Separación entre dos pines contiguos (de centro a centro). para posterior solución de problemas. Placa de circuito impreso (PCB). Un circuito impreso es un componente electrónico diseñado para interconectar otros consiste componentes. de un patrón Usualmente de Tecnologia de montaje superficial (SMT). Los componentes se montan en la superficie de un circuito impreso, en lugar de insertarse en hoyos. material conductivo sobre un substrato aislante. PWM. Siglas en Inglés de la modulación de ancho de pulso. puede ser muy útil en el ensamble, y Vias. Perforaciones conductivas utilizadas para comunicar pistas de distintas caras. xxvi IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 CAPÍTULO I INTRODUCCIÓN En este capítulo se aborda el problema a resolver en este trabajo exponiendo las generalidades, objetivos, justificación, descripción del problema, estado del arte, aportaciones y la estructura de la tesis. Se da una breve reseña general de lo que se conoce de los elementos más importantes empleados en la solución del problema; se plantean las metas, el alcance y hacia donde va enfocado el trabajo; se justifica el por qué es importante la realización del trabajo y se describe el problema a resolver; se presentan los antecedentes y lo que se conoce en la actualidad del tema; y finalmente, se describe la estructura del trabajo por capítulos. 1.1. Generalidades Las máquinas eléctricas en la actualidad juegan un papel importante en la industria y en la vida cotidiana del ser humano. Una máquina eléctrica convierte energía mecánica en eléctrica y viceversa. En cuanto al voltaje de alimentación las máquinas eléctricas se dividen en dos tipos, máquinas de corriente alterna (CA) y máquinas de corriente directa (CD). Las máquinas de corriente alterna a su vez se dividen en, máquinas síncronas y máquinas de inducción [1, 2, 3, 4, 5]. Una de las máquinas más utilizadas en la actualidad es el motor de inducción. El motor de inducción es una máquina rotatoria diseñada para operar con una fuente trifásica de voltaje alterno. La máquina de inducción está compuesta principalmente por dos elementos el estator y el rotor. El estator es trifásico con los devanados desplazados 120°. Hay dos tipos diferentes de rotores que pueden disponerse dentro del estator del motor de inducción, rotor jaula de ardilla o simplemente rotor de jaula y rotor devanado. El tipo más común de motor de inducción es el de rotor jaula de ardilla. 1 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 En este tipo de rotores los conductores de aluminio o barras están cortocircuitados en cada extremo por anillos de cortocircuitado [3, 4, 5]. Una gran parte de los equipos y procesos utilizados en la industria moderna funcionan a velocidades variables. Estos equipos requieren un control preciso de la velocidad para lograr una adecuada productividad, una buena terminación del producto elaborado, o garantizar la seguridad de las personas y del propio equipo. En la actualidad, la velocidad variable de los motores de inducción se logra con variadores de velocidad [5, 6]. El variador de velocidad, es un control para el motor de inducción que energiza, protege y permite la variación de la velocidad en el motor, sin ningún accesorio extra entre el motor y la carga. La ventaja principal de los variadores de velocidad es que disminuyen los consumos de energía eléctrica en algunos de los procesos que controlan, dando como resultado considerables disminuciones de costos de operación. Los principales dispositivos que intervienen en el accionamiento y en las topologías modernas de control para variar la velocidad de motores de inducción son: • Convertidores de Potencia • Controladores de Compuertas (Driver) • Optoacopladores • Sensores de corriente y de voltaje • Microcontrolador DSP (Digital Signal Processor) Las regulaciones de consumo de energías actuales y futuras demandan dispositivos con mayor ahorro energético. Con el fin de cumplir con estos requisitos energéticos, se utilizan nuevas tecnologías de motores y esquemas de control alternativos. Una parte importante de los esquemas de control comúnmente utilizado para el accionamiento de motores de CA, son los convertidores de potencia, como pueden ser el rectificador y el inversor. 2 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 El rectificador es un circuito que convierte una señal de CA en una señal unidireccional de CD y se clasifican en monofásicos y trifásicos. El inversor es un circuito que convierte un voltaje de CD a un voltaje de CA. Con el inversor, se pueden generar voltajes a determinadas amplitudes y frecuencias mediante el uso de una técnica de modulación, denominada Modulación de Ancho de Pulso (PWM) [1, 2, 6]. Los inversores se pueden clasificar básicamente en dos tipos [2, 6]: • Inversores Monofásico • E Inversores Trifásicos Y estos a su vez en: • Inversores fuente de voltaje (VSI) • Inversores fuente de corriente (CSI) El inversor trifásico consiste de tres ramas o piernas de medio puente dónde el interruptor superior y el inferior se controlan complementariamente. Como el tiempo de apagado del dispositivo es mayor que el tiempo de encendido, se debe insertar un tiempo muerto entre el apagado de uno de los transistores del medio puente y el encendido del otro. En los inversores ideales, las formas de onda de voltaje de salida deberían ser sinusoidales. Sin embargo, en los inversores reales no son sinusoidales y contienen cierta cantidad de armónicas. Dada la disponibilidad actual de los dispositivos semiconductores de potencia, es posible minimizar o reducir significativamente este contenido armónico del voltaje de salida mediante las técnicas de conmutación [6]. La mayoría de los dispositivos de potencia empleados en el inversor en aplicaciones de control de motores son IGBT’s o MOSFET’s (de sus siglas en inglés, Insulated Gate Bipolar Transistor y Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors respectivamente) [2]. 3 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 Un MOSFET de potencia es un transistor controlado por voltaje. Tiene poca caída de voltaje y por tanto, bajas pérdidas comparado con otros transistores; sin embargo la saturación y la sensibilidad a la temperatura lo limitan a ciertas aplicaciones. El IGBT es un transistor bipolar controlado por un MOSFET que requiere corriente de accionamiento mínima, tiene tiempos de interrupción muy rápido y es apropiado para altas frecuencias. Su desventaja es la caída de voltaje del transistor bipolar que causa pérdidas de conducción mayores en comparación con el MOSFET, sin embargo son los más utilizados para aplicaciones de accionamiento de motores [6]. La técnica de control PWM para la conmutación de los IGBT's del inversor puede ser generada por distintos métodos. Por ejemplo, en la técnica sinusoidal se hace la comparación de una onda triangular con una onda sinusoidal de frecuencia fundamental, y los puntos de intersección determinan los puntos de interrupción del dispositivo de potencia del inversor [1, 2, 6, 7]. Las técnicas actuales y algoritmos de control para variar la velocidad de los motores de CA son programados en la PC y cargados en el microcontrolador el cual genera las señales de control. Los microcontroladores DSP cuentan en la actualidad con las herramientas y los periféricos necesarios, así como, la capacidad en memoria para implementar algoritmos modernos de control. 1.2. Objetivo de la Tesis El objetivo de este trabajo es realizar el diseño y la implementación de la interfaz de potencia para el accionamiento de motores de inducción para una capacidad máxima 1.5 HP, que permita probar diferentes algoritmos de control; así como también, el diseño del circuito impreso y la prueba de dicha interfaz con dos técnicas de modulación de ancho de pulso como son PWM sinusoidal y PWM sinusoidal más tercera armónica, implementadas mediante un Microcontrolador DSP. 4 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 1.3. Justificación En el accionamiento de motores de inducción una parte importante es la interfaz de potencia, la cual, permite la comunicación entre la etapa de control, en este caso la PC y el Microcontrolador DSP, la fuente de corriente alterna y el motor de inducción. Una de las partes principales de la interfaz es el inversor de potencia. Este inversor puede ser controlado por un microcontrolador. Implementando algoritmos de control en el microcontrolador, se pueden tener voltajes y frecuencias variables a la salida del inversor, lo que da como resultado el control sobre la máquina de inducción. Diversos algoritmos de control para motores de inducción han sido estudiados y simulados digitalmente en el departamento de posgrado en ingeniería eléctrica de la Sección de Estudios de Posgrado e Investigación de la ESIME-Zacatenco, pero no han sido implementados, debido a que no se tiene una interfaz de potencia. Aquí la justificación de diseñar una interfaz que pueda ser utilizada para la implementación, pruebas y prácticas en el laboratorio de Electrónica de Potencia de este departamento. Este diseño, permite probar diferentes algoritmos de control, mediante un Microcontrolador DSP, así como, tener la interfaz visual mediante la PC, utilizando herramientas actuales como el "FreeMaster" de "Freescale Semiconductor" que permite hacer el control de los motores de inducción en un ambiente lógico y sencillo, a diferencia de los que hay en el mercado que solo están diseñados para ciertos controles y capacidades de motores y no cuentan con este tipo de interfaz visual. Otra característica particular de este diseño, es que esta interfaz está hecha por módulos en forma accesible, para identificar con mayor rapidez los dispositivos que puedan llegar a fallar y reemplazarlos, a diferencia de los que existen en el mercado que están encapsuladas lo que hace difícil de localizar el elemento fallado. El diseño por módulos, también permite que los alumnos que trabajan en esta área, puedan probar cada módulo por separado y ver el comportamiento de las diferentes señales a las salidas de cada uno de éstos, lo que hace más fácil de comprender, y vincular la teoría con la práctica. 5 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 1.4. Descripción del Problema Actualmente, la implementación de técnicas y algoritmos de control moderno para el accionamiento de la máquina de inducción, requiere de una interfaz que permita la comunicación entre los módulos de control y de potencia. Éste es un problema que se tiene en el Departamento de Ingeniería Eléctrica de la Sección de Estudios de Posgrado, ya que en el área de control de motores de inducción se ha simulado digitalmente diferentes algoritmos de control, pero debido a que no se tiene la interfaz que permita la comunicación entre los módulos de control y potencia, la implementación de estos algoritmos no se ha podido llevar a cabo. Hoy en día los Microcontroladores DSP juegan un papel importante en la implementación de técnicas y algoritmos de control moderno para el accionamiento y control de motores de inducción. Sin embargo los microcontroladores no tienen la capacidad para manejar el voltaje y la corriente que se necesita en un motor trifásico por lo cual, la interfaz requiere ser diseñada. 1.5. Estado del Arte Una máquina eléctrica es un dispositivo que puede convertir energía mecánica en energía eléctrica o energía eléctrica en energía mecánica. Cuando este dispositivo se utiliza para convertir energía mecánica en energía eléctrica, se denomina generador; cuando convierte energía eléctrica en energía mecánica, se llama motor [1, 3, 4, 5, 8]. En cuanto al voltaje de alimentación las máquinas eléctricas se dividen en dos tipos, máquinas de corriente alterna y máquinas de corriente directa. Las máquinas de corriente alterna a su vez se dividen en, máquinas síncronas y máquinas de inducción [1, 2, 4, 5]. 6 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 Hasta las últimas décadas del siglo XX, las máquinas de corriente alterna tendían a ser empleadas principalmente como aparatos de una sola velocidad. Lo típico era que se operaran a partir de fuentes de frecuencias fija, en la mayoría de los casos era la red de distribución de 50 o 60Hz [4]. En el caso de los motores de CA, el control de la velocidad requiere una fuente de frecuencia variable y no se disponía de este tipo de fuentes con facilidad. Por tanto, para las aplicaciones en las que se requería velocidad variable se usaban las máquinas de corriente directa, las cuales proporcionan un control de velocidad altamente flexible, aunque con cierto costo, ya que son más complejas más caras y requieren más mantenimiento que sus contraparte de CA [4]. La disponibilidad de contar con interruptores de estado sólido cambió totalmente este panorama. Ahora es posible construir dispositivos a base de Electrónica de Potencia capaces de alimentar el accionamiento de voltaje-corriente variable, con frecuencia variable, requerido para lograr el comportamiento de velocidad variable a partir de las máquinas de CA [4]. En la actualidad, las máquinas de CA han reemplazado a las de CD y se ha desarrollado una amplia gama de nuevas aplicaciones debido a que son más simples y más baratas en cuanto a mantenimiento [4, 9]. Durante los últimos treinta y cinco años ha ocurrido una revolución en la aplicación de los motores eléctricos. El desarrollo de paquetes de accionamientos de estado sólido para motores ha progresado hasta el punto de que prácticamente cualquier problema de control de potencia puede ser resuelto utilizándolos [5]. Con tales accionamientos de estado sólido es posible manejar los motores de corriente continua con fuentes de corriente alterna y los motores de corriente alterna, con fuentes de potencia de corriente continua. De la misma manera, es posible cambiar potencia de una frecuencia a potencia alterna de otra frecuencia [5]. 7 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 Además, los costos de los sistemas de accionamiento de estado sólido han disminuido drásticamente mientras que su confiabilidad se ha incrementado. La versatilidad y el bajo costo relativo de los controles y accionamiento de estado sólido han generado muchas aplicaciones nuevas para los motores de corriente alterna en los cuales éstos tienen comportamientos que normalmente se asocian a las máquinas de corriente continua, que también han ganado flexibilidad mediante la aplicación de los accionamientos de estados sólido [5]. Este gran cambio ha resultado del desarrollo y el mejoramiento de una serie de accionamientos de estado sólido, es decir, de la Electrónica de Potencia [5]. La máquina eléctrica rotatoria, es el dispositivo electromecánico fundamental de los sistemas de accionamientos eléctricos. Los sistemas de accionamiento son ampliamente usados en diferentes aplicaciones, como bombas, ventiladores, molinos de papel y de textiles, elevadores, vehículos eléctricos y de transportación subterránea, aparatos electrodomésticos, sistemas de generación de viento, servos y robots, periféricos computacionales, molinos de acero y cemento, propulsión de barcos, entre otras [1, 10, 11]. Sin lugar a duda los accionamientos eléctricos actuales no serían posibles sin la Electrónica de Potencia, por lo que es necesario una reseña histórica desde que aparecieron los primeros dispositivos semiconductores hasta la actualidad [1, 12]. La Electrónica de Potencia en su definición más general, es la parte de la Electrónica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el procesamiento, control y conversión de la energía eléctrica [13]. Sin embargo, varios autores especializados en la disciplina de la Electrónica de Potencia tienen diferentes criterios. A continuación se exponen algunos de los criterios más relevantes: 8 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 Muhammad H. Rashid en [6] considera que la Electrónica de Potencia combina potencia, electrónica y control. El Control se ocupa de las características estáticas y dinámicas de los sistemas en lazo cerrado. La Potencia se encarga de los sistemas de potencia móviles y estáticos para la generación, transmisión y distribución de la potencia eléctrica. Por último, la Electrónica trata con los componentes de estado sólido y circuitos para el tratamiento de señales con el objetivo de obtener el control necesario. Por tanto, Electrónica de Potencia se puede definir como la aplicación de la electrónica de estado sólido para el control y conversión de la potencia eléctrica. Ned Mohan, Tore M. Undeland y William P. Robbins en [2] definen la Electrónica de Potencia como el procesamiento y control de la energía eléctrica suministrando voltajes y corrientes en la manera más óptima para ser utilizada por diferentes cargas. Joseph Vithayathil en [14] define a la Electrónica de Potencia como la tecnología que liga la potencia eléctrica con la electrónica. Bimal K. Bose en la introducción de [15] menciona cómo la Electrónica de Potencia combina la conversión y el control de la potencia eléctrica para diversas aplicaciones, tales como fuentes de alimentación reguladas CA y CD, control de iluminación y calefacción, soldadura eléctrica, procesos electroquímicos, calentamiento por inducción, control de máquinas CD y CA, etc. La evolución en Electrónica de Potencia a través de los años, ha desembocado en el concepto actual de la disciplina Electrónica de Potencia como la síntesis de múltiples disciplinas tecnológicas. La historia de la Electrónica de Potencia se inicia en 1900 con la introducción del rectificador de arco de mercurio. Después se introdujeron en forma gradual el rectificador de tanque metálico, el de tubo al vacío controlado por rejilla, el ignitrón el fanotrón y el tiratrón. Estos dispositivos se aplicaban para el control de potencia hasta la década de 1950 [6]. 9 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 La primera revolución electrónica comenzó en 1948, con la invención del transistor de silicio en los "Bell Telephone Laboratories", por Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor parte de las tecnologías modernas se pueden rastrear a partir de ese invento. La microelectrónica moderna ha evolucionado a través de los años a partir de los semiconductores de silicio. El siguiente adelanto, en 1956, también fue logrado en "Los Bell Laboratories", o sea la invención del transistor de disparo PNPN, que se definió como tiristor, o rectificador controlado de silicio (SCR) [6]. La segunda revolución electrónica comenzó en 1958, con el desarrollo del tiristor comercial, por la "General Electric Company". Fue el principio de una nueva era de la Electrónica de Potencia. Desde entonces se han introducido muchas clases distintas de dispositivos semiconductores de potencia y de técnicas de conversión. La revolución microelectrónica permitió tener la capacidad de procesar una cantidad gigantesca de información con una rapidez increíble. La revolución en la Electrónica de Potencia está permitiendo conformar y controlar grandes cantidades de potencia con una eficiencia siempre creciente [6, 16]. Debido al enlace entre la Electrónica de Potencia y la microelectrónica, están surgiendo hoy muchas aplicaciones potenciales de la Electrónica de Potencia, y esta tendencia va a continuar. Dentro de los siguientes 30 años, la Electrónica de Potencia conformará y acondicionará la electricidad en algún lugar de la red de transmisión entre su generación y todos los usuarios. La generación de la Electrónica de Potencia ha adquirido impulso desde los fines de la década de 1980 y a principios de 1990 [6]. Desde que se desarrolló el primer tiristor SCR a finales de 1957, ha habido un progreso impresionante en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se habían usado exclusivamente para el control de potencia en aplicaciones industriales. A partir de 1970 se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia, como los diodos, tiristores y transistores, que entraron al comercio [6]. 10 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 Cada vez son más los dispositivos y sistemas que en una o varias de sus etapas son accionados por energía eléctrica. Los accionamientos consisten, en general, en procesos que transforman la energía eléctrica en otro tipo de energía, o en el mismo tipo, pero con diferentes características. Los encargados de realizar dichos procesos son los sistemas a base de Electrónica de Potencia [13]. Las aplicaciones de la electrónica estuvieron limitadas durante mucho tiempo a las técnicas de alta frecuencia, como, emisores, receptores, etc. En la evolución de la electrónica industrial, las posibilidades estaban limitadas por la falta de fiabilidad de los elementos electrónicos entonces disponibles (tubos amplificadores, tiratrones, resistencias, condensadores). Esta fiabilidad era insuficiente para responder a las altas exigencias que se requerían en las nuevas aplicaciones del campo industrial [13]. La Electrónica de Potencia se desarrolla fundamentalmente a partir del nacimiento del tiristor. A partir de esa fecha los conceptos electrotécnicos se convierten en electrónicos. Se desarrollan entre los años 1965 y 1980 gran cantidad de convertidores para el procesamiento de la potencia eléctrica basados en este dispositivo. Cabe agrupar los desarrollos en este sentido en convertidores AC/DC (rectificadores controlados), convertidores DC/AC y AC/AC (inversores), y convertidores DC/DC (choppers de potencia) [13]. A partir de la década de 1980 se produce un fuerte incremento de la penetración en el mercado de equipos de potencia debido fundamentalmente a la incorporación por parte de estos otros nuevos elementos de potencia como el transistor, MOSFET, IGBT, que permiten mayores frecuencias de conmutación y consecuentemente la reducción del tamaño de los equipos [13]. La siguiente tabla muestra un resumen de la evolución histórica de la Electrónica de Potencia. 11 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 Como se puede ver en la tabla anterior la evolución de la Electrónica de Potencia se dio junto con los dispositivos semiconductores. Con la evolución de los dispositivos semiconductores, tales como, tiristores, MOSFET's e IGBT's se dieron los avances de los sistemas de accionamientos eléctricos hasta llegar a los módulos inteligentes en la década de 1990. Los módulos inteligentes, Electrónica de Potencia avanzada, integran el módulo de potencia y el circuito periférico. El circuito periférico consiste en el seccionamiento de la entrada o la salida respecto a, e interconexión con, el sistema de señal y de alto voltaje, un circuito de excitación, un circuito de protección y de diagnóstico (contra exceso de corriente, cortocircuitos, sobrecalentamiento y exceso de voltaje), control por 12 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 microcomputadora y una fuente de corriente de control. Los usuarios solo deben conectar las fuentes externas (flotantes) [6, 17]. La industria de la Electrónica de Potencia ofrece una importante oportunidad de integrar las tecnologías para la conservación de la energía con el progreso del entorno de la humanidad, tanto en los procesos de fabricación como en los de aplicación de los productos electrónicos de potencia [13]. La variación de la velocidad en los motores eléctricos se puede lograr sin una pérdida apreciable de eficiencia mediante la utilización de un inversor electrónico de potencia de frecuencia variable. Sistemas de control de velocidad variable son la razón del ahorro energético y deben jugar un importante papel en la manipulación de la demanda de energía, de diversos sistemas industriales. La llave que posibilita dicha tecnología es la utilización del transistor bipolar de compuerta aislada ó IGBT [13]. Ante la expectativa creada en la actualidad, dada la necesidad de avance tecnológico, la Electrónica de Potencia junto con los rápidos sistemas de control proporcionan una oportunidad de crear un sistema flexible que pueda responder al amplio espectro de aplicaciones en los sistemas de potencia. Los sistemas electrónicos de potencia pueden utilizarse para regular tensión, adecuar las exigencias de potencia para controlar cargas, alimentar motores, así como para muchas más aplicaciones actuales y futuras [13]. Actualmente, existen diversos sistemas de accionamiento electrónico de motores de inducción basados principalmente en Electrónica de Potencia. Estos sistemas de accionamientos son llamados comúnmente módulos inteligentes variadores de velocidad o convertidores de frecuencia. En el mercado actual existe una amplia gama de módulos variadores de velocidad de diversas capacidades y funcionalidades que satisfacen las necesidades más demandantes de las distintas aplicaciones con máquinas de inducción. Algunos de los 13 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 fabricantes y distribuidores de semiconductores y de módulos variadores de velocidad más importantes son: ABB Semiconductor, International Rectifier, Baldor Motors and Drives, Fuji Electric, Freescale Semiconductor, Semikron, Siemens, Powerex, entre otros. En las páginas electrónicas de cada uno de los fabricantes anteriores se puede consultar los diferentes tipos y capacidades de variadores de velocidad. 1.6. Aportaciones Las aportaciones de este trabajo de tesis son las siguientes: a. El prototipo de una interfaz de potencia para el accionamiento de motores de inducción diseñada de forma flexible, de bajo costo comparada con las que existen en el mercado, y accesible, es decir, por módulos separados que permite implementar y probar diferentes algoritmos de control. b. El diseño del circuito impreso asistido por computadora realizado en un programa llamado PROTEL, que reduce los problemas de fallas por conexiones erróneas, cables sueltos y soldadura de los mismos. c. Se dan los puntos a seguir en el diseñó de circuitos impresos asistidos por computadora. d. Este trabajo puede servir como guía práctica para realizar el diseño y/o la mejora de los elementos que conforman la interfaz de potencia. 14 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 1.7. Estructura de la Tesis El presente trabajo se encuentra ordenado de la siguiente manera: CAPÍTULO 1. En este capítulo se da una introducción al problema que se aborda en este trabajo exponiendo las generalidades, objetivos, justificación, descripción del problema, estado del arte, aportaciones y la estructura de la tesis. CAPÍTULO 2. En este capítulo, se presenta un esquema completo a bloques de la interfaz de potencia, se muestra el motor de inducción para el cual fue diseñada, se dan los fundamentos teóricos de los principales dispositivos, se seleccionan éstos y se diseñan los circuitos auxiliares empleados en la interfaz de potencia. CAPÍTULO 3. En este capítulo se diseñan y describen los diferentes esquemas de protección para la interfaz de potencia de un motor de inducción de 1.5 HP, así como la operación y funcionamiento de éstos. Los esquemas de protección que se diseñaron son, protección por sobrecorriente, por sobretemperatura, por sobrevoltaje y de aislamiento. CAPÍTULO 4. En este capítulo se definen las reglas para el diseño del circuito impreso, se dan las principales sugerencias de diseño que recomiendan los fabricantes, se muestra el diagrama eléctrico del sistema completo, los diagramas esquemáticos, los diagramas del circuito impreso por ambas caras con componentes, el circuito impreso físicamente con y sin componentes y el impreso montado al sistema. CAPÍTULO 5. En este capítulo se reportan las pruebas realizadas a cada uno de los módulos que conforma la interfaz de potencia y se presentan los resultados obtenidos. Las pruebas se hicieron a la salida del Microcontrolador DSP, Optoacopladores, Controlador de Compuertas e Inversor de Potencia. 15 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO CAPÍTULO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 1 6. En este capítulo se presentan las conclusiones del trabajo y las recomendaciones para trabajos futuros. 16 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 CAPÍTULO 2 LA INTERFAZ DE POTENCIA En este capítulo, se presenta un esquema completo a bloques de la interfaz de potencia, se muestra el motor de inducción para el cual fue diseñada, se dan los fundamentos teóricos de los principales dispositivos, se seleccionan éstos y se diseñan los circuitos auxiliares empleados en la interfaz de potencia. La selección de los dispositivos se hizo después de consultar diferentes fuentes de información, como catálogos, hojas de datos, notas de aplicación, sugerencias de diseño y páginas de Internet, hasta llegar a la selección de los mismos de acuerdo a los requerimientos de la aplicación. 2.1. Esquema a Bloques de la Interfaz de Potencia Actualmente, para el accionamiento de motores de inducción en aplicaciones de velocidad variable se requiere un inversor que permita variar la frecuencia y el voltaje de salida. Para diseñar una fuente de voltaje o frecuencia variable mediante un inversor, es necesaria la implementación de técnicas y algoritmos de control en un Microcontrolador DSP y una interfaz que permita la comunicación entre la etapa de control y la de potencia. Esta interfaz está compuesta de un convertidor CA-CD, un convertidor CDCA, un controlador de compuertas, optoacopladores y sensores de corriente y temperatura. La figura 2.1 muestra el diagrama completo a bloques de una de las topologías actuales que se requieren para variar la velocidad de un motor de inducción. La interfaz de potencia forma parte de este esquema y se compone de los módulos siguientes: 17 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Figura 2.1. Esquema a bloques de los diferentes módulos que conforman la interfaz de potencia. • Motor de inducción • Puente rectificador de potencia (convertidor CA-CD) • Inversor trifásico (Convertidor CD-CA) • Controlador de compuertas para IGBT’s • Optoacopladores • Sensores (de temperatura, voltaje, corriente y velocidad) • Microcontrolador DSP (el control) 18 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.2. Motor de Inducción para el cual se Diseño la Interfaz de Potencia Para iniciar con el diseño de la interfaz de potencia primeramente es necesario conocer la capacidad y características de la carga para la cual será diseñada. El motor que se tomó como capacidad de referencia para el diseño de la interfaz se muestra en la figura 2.2; es un motor de CA de inducción jaula de ardilla de “Baldor Motors and Drives”. Figura 2.2. Motor de inducción de 1.5 HP trifásico para el que se diseñó la interfaz de potencia. Este motor tiene los datos y especificaciones que se muestran en la tabla 2.1: Tabla 2.1. Especificaciones del motor de inducción ZDM3584T de Baldor Motors and Drives. ESPECIFICACIONES: POTENCIA 1.5 HP o 1.12 kW VOLTAJE 230/460 V FRECUENCIA 60 Hz FASES 3 CORRIENTE A PLENA CARGA 4.2/2.1 A VELOCIDAD 1750 RPM FACTOR DE SERVICIO 1.0 CÓDIGO DE DISEÑO NEMA B CLASE DE AISLAMIENTO H EFICIENCIA A PLENA CARGA 87.5 % FACTOR DE POTENCIA 78.0 % 19 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.3. Convertidores de Potencia Para el control o el acondicionamiento de la potencia eléctrica, es necesaria la conversión de ésta de una forma a otra, y que las características de conmutación de los dispositivos de potencia permitan esas conversiones. Los convertidores de potencia hacen estas funciones y se clasifican básicamente en seis tipos [6]: 1. Convertidores de CA-CD (rectificadores a diodos voltaje de salida fijo) 2. Convertidores de CA-CD (rectificadores controlados, con tiristores) 3. Convertidores de CA-CA (controladores de voltaje de CA) 4. Convertidores de CD-CD (convertidores de CD) 5. Convertidores de CD-CA (inversores) 6. Interruptores estáticos De acuerdo a la necesidad que se tiene y siguiendo el orden esquemático de la figura 2.1 se requiere primeramente un rectificador. Éste es el primer convertidor que se seleccionó. Se diseñó el filtro capacitivo para la salida de este convertidor para obtener el voltaje de CD que se requiere a la entrada del inversor. 2.4. Rectificador de Potencia Los rectificadores dependiendo de la clase de suministro en la entrada se clasifican como sigue [2, 6]: 1. Monofásicos • De media onda • Y de onda completa 2. Trifásicos • En puente de onda completa El rectificador que se requiere en este trabajo de acuerdo a la aplicación es a diodos trifásico en puente de onda completa. 20 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.4.1. Parámetros de Rendimiento del Rectificador Un rectificador es un procesador de potencia que debe producir un voltaje de salida de CD con un contenido mínimo de armónicas. Al mismo tiempo debe mantener la corriente de entrada tan sinusoidal como sea posible, y en fase con el voltaje de entrada, para que el factor de potencia sea cercano a la unidad. La calidad de procesamiento de potencia de un rectificador requiere la determinación del contenido de armónicas de la corriente de entrada, el voltaje y la corriente de salida. Se pueden usar desarrollos de la serie de Fourier para determinar el contenido de armónicas de voltajes y corrientes. Los rendimientos de un rectificador se evalúan, en función de los siguientes parámetros [6]: El valor promedio de voltaje de salida (o de carga), Vcd El valor promedio de la corriente de salida (o de carga), Icd La potencia de salida en CD: Pcd = Vcd I cd (2.1) El valor de raíz cuadrada media (rms) del voltaje de salida, Vrms El valor rms de la corriente de salida, Irms La potencia de salida en CA: Pca = Vrms I rms (2.2) La eficiencia o razón de rectificación de un rectificador, permite comparar la eficacia, y se define como: η= Pcd Pca (2.3) Se puede considerar que el voltaje de salida está formado por dos componentes: 1. El valor de CD 2. El componente de CA o rizo 21 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 El valor efectivo (rms) de la componente de CA en el voltaje de salida es: 2 Vca = Vrms − Vcd2 (2.4) El Factor de Forma, que es una medida de la forma del voltaje de salida, es: FF = Vrms Vcd (2.5) El Factor de Rizo (RF, del inglés Ripple Factor), que es una medida del contenido alterno residual, se define como: RF = Vca Vcd (2.6) Si se sustituye la ecuación (2.4) en la ecuación (2.6), el RF se puede expresar como: 2 ⎛V ⎞ RF = ⎜⎜ rms ⎟⎟ − 1 = FF 2 − 1 ⎝ Vcd ⎠ (2.7) El Factor de Utilización de Transformador (TUF, de Transformer Utilization Factor) se define como: TUF = Pcd Vs I s (2.8) Donde, Vs e Is son el voltaje y la corriente rms del secundario del transformador, respectivamente. Considerando las formas de onda de la figura 2.3, donde vs es el voltaje sinusoidal de entrada, is es la corriente instantánea de entrada e is1 es su componente fundamental [6]. 22 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Figura 2.3. Formas de onda del voltaje y corriente de entrada de un rectificador. Si φ es el ángulo entre las componentes fundamentales de la corriente y el voltaje de entrada, a φ se la llama ángulo de desplazamiento. El Factor de Desplazamiento (DF, de Displacement Factor) se define como [6]: DF = cos φ (2.9) También se le llama con frecuencia factor de potencia de desplazamiento (DPF, de Displacement Power Factor). El Factor Armónico (HF, de Harmonic Factor) de la corriente de entrada se define como: 1/ 2 ⎛ I2 − I2 ⎞ HF = THD = ⎜⎜ s 2 s1 ⎟⎟ ⎝ I s1 ⎠ ⎡⎛ I ⎞ 2 ⎤ = ⎢⎜⎜ s ⎟⎟ − 1⎥ ⎢⎣⎝ I s1 ⎠ ⎥⎦ 1/ 2 (2.10) Donde, Is1 es la componente fundamental de la corriente de entrada Is. Tanto Is1 como Is se expresan en valor rms. HF es una medida de la distorsión de una forma de onda, y también se llama Distorsión Armónica Total (THD, de Total Harmonic Distortion) [6]. 23 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 El Factor de Potencia (PF) se define como: PF = Vs I s1 I cos φ = s1 cos φ Vs I s Is (2.11) Si la corriente de entrada is es puramente sinusoidal, Is1=Is, y el factor de potencia es igual al factor de desplazamiento DF. El ángulo de desplazamiento φ viene a ser el ángulo de impedancia θ = tan −1 (ωL / R ) para una carga RL. El Factor de Cresta (CF, de Crest Factor), es una medida de la corriente pico de entrada I s ( pico ) en comparación con Is, su valor rms, interesa con frecuencia para especificar las capacidades de corriente pico de los dispositivos y los componentes. El CF de la corriente de entrada se define por: CF = I s ( pico ) Is (2.12) Un rectificador ideal debería tener η = 100% , Vca=0, RF=0, TUF=1, HF=THD=0, FP=PDF=1. 2.4.2. Rectificador Trifásico 2.4.2.1. Carga resistiva El rectificador trifásico en puente de onda completa se muestra en la figura 2.4, éste produce rizos de seis pulsos por ciclo en el voltaje de salida. Los diodos están numerados en orden de secuencia de conducción, cada uno de ellos conduce durante 120o. La secuencia de conducción de los diodos es 1-2, 2-3, 3-4, 4-5, 5-6, y 6-1. El par de diodos conectados entre el par de líneas de alimentación que tengan la diferencia de potencial instantáneo más alto de línea a línea serán los que conduzcan [6]. 24 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Figura 2.4. Rectificador trifásico y numeración de los diodos de acuerdo a la secuencia de conducción. El voltaje de línea a línea es 3 veces el voltaje de fase, para una fuente trifásica conectada en Y. Las formas de onda y los ángulos de conducción de los diodos se ven en la figura 2.5 [6]. Figura 2.5. Formas de onda y ángulo de conducción de los diodos del rectificador trifásico. Si Vm es el valor pico del voltaje de fase, los voltajes instantáneos de fase se pueden describir como [6]: 25 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 van = Vm sen(ωt ) (2.13) vbn = Vm sen(ωt − 120°) (2.14) vcn = Vm sen(ωt − 240°) (2.15) Ya que el voltaje de línea a línea está 30° adelantado al voltaje de fase, los voltajes instantáneos de línea a línea se pueden describir como: vab = 3Vm sen(ωt + 30°) (2.16) vbc = 3Vm sen(ωt − 90°) (2.17) vca = 3Vm sen(ωt − 210°) (2.18) El voltaje promedio de salida se determina como: Vcd = 2 π /6 3 3 3Vm cos ωt d (ωt ) = V = 1.654Vm ∫ 2π / 6 0 π m (2.19) Donde, Vm es el voltaje pico de fase. El voltaje rms de salida es: Vrms ⎡ 4 π /6 =⎢ ∫ ⎣ 2π / 6 0 ⎤ 3V cos ωt d (ωt )⎥ ⎦ 2 m 2 1/ 2 1/ 2 ⎛3 9 3⎞ ⎟⎟ Vm = 1.6554Vm = ⎜⎜ + π 2 4 ⎠ ⎝ (2.20) Como la carga es puramente resistiva, la corriente pico a través de un diodo es Im= 3 Vm/R, y el valor rms de la corriente en cada diodo es [6]: ⎡ 4 Ir = ⎢ ⎣ 2π ∫ π /6 0 ⎤ I cos ωt d (ωt )⎥ ⎦ 2 m 2 1/ 2 ⎡1 ⎛π 1 2π = I m ⎢ ⎜ + sen 6 ⎣π ⎝ 6 2 ⎞⎤ ⎟⎥ ⎠⎦ 1/ 2 = 0.5518 I m (2.21) Para un rectificador trifásico la siguiente ecuación define el voltaje instantáneo de salida como: 2 2 ⎛ ⎞ v0 (t ) = 0.9549Vm ⎜1 + cos(6ωt ) − cos(12ωt ) + ... ⎟ 143 ⎝ 35 ⎠ (2.22) 26 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.4.2.2. Carga R-L Con una carga resistiva, la corriente de carga tiene forma idéntica a la del voltaje de salida. En la práctica, la mayor parte de las cargas son inductivas hasta cierto grado, y la corriente de carga depende de los valores de la resistencia de carga R y de la inductancia de carga L, figura 2.6. Se agrega una fuente de voltaje E con el objeto de deducir ecuaciones generalizadas [6]. Figura 2.6. Rectificador trifásico con carga RL. En la figura 2.5 se puede ver que el voltaje de salida es: vd = vab = 2Vab senωt para π 3 ≤ ωt ≤ 2π 3 (2.23) Donde Vab es el voltaje rms de entrada, de línea a línea [6]. La corriente de carga i0, se puede determinar a partir de: L di0 + Ri0 + E = 2Vab senωt dt (2.24) Cuya solución es: i0 = 2Vab E sen(ωt − θ ) + A1e- (R/L)t − Z R (2.25) 27 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Donde la impedancia de carga Z= [R2+(ωL)2]1/2 y el ángulo de la impedancia es θ=tan-1(ωL/R). La constante A1 de la ecuación 2.25 se puede determinar a partir de la condición, cuando ωt= π/3, i0= I0 [6]. ⎡ ⎤ E 2Vab π A1 = ⎢ I 0 + − sen( − θ )⎥ e ( R / L )(π / 3ω ) R Z 3 ⎣ ⎦ (2.26) Sustituyendo A1 en (2.25) i0 = ⎡ ⎤ 2Vab 2Vab π E E sen(ωt − θ ) + ⎢ I 0 + − sen( − θ )⎥ e( R / L )(π / 3ω − t ) − 3 Z R Z R ⎣ ⎦ (2.27) Bajo condiciones de estado permanente, i0 (ωt=2π/3)=i0 (ωt=π/3). Esto es, i0 (ωt=2π/3)= I0 [6]. Aplicando esta condición se obtiene el valor de I0 como: I0 = 2Vab sen(2π / 3 − θ ) − sen(π / 3 − θ )e − ( R / L )(π / 3ω ) E − Z 1 − e − ( R / L )(π / 3ω ) R para I 0 ≥ 0 (2.28) Que después de sustituir en la ecuación (2.27) y simplificando, se tiene que: i0 = sen(2π / 3 − θ ) − sen(π / 3 − θ ) ( R / L )(π / 3ω − t ) ⎤ E ⎡ e ⎢⎣ sen(ωt − θ ) + ⎥⎦ − R 1 − e − ( R / L )(π / 3ω − t ) 2Vab Z para π / 3 ≤ ωt ≤ 2π / 3 e (2.29) i0 ≥ 0 La corriente rms en cada diodo es: ⎡ 2 Ir = ⎢ ⎣ 2π 2π/3 ∫π /3 ⎤ 2 i0 d (ωt )⎥ ⎦ 1/2 (2.30) Y la corriente rms de salida se puede determinar entonces combinando la corriente rms de cada diodo [6]: ( I rms = I r2 + I r2 + I r2 ) 1/2 = 3I r (2.31) 28 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.4.3. Selección del Puente Rectificador Después de consultar con los diferentes fabricantes y proveedores y de acuerdo a la corriente que debe soportar el dispositivo se seleccionó el convertidor trifásico 36MT120 de International Rectifier (IR), es un rectificador trifásico en puente, compacto que soporta hasta 35A, encapsulado, que brinda eficiencia y confiabilidad de operación. Diseñado para propósitos generales y aplicaciones de instrumentación. Las características principales se muestran en la tabla 2.2 y figura 2.7 [18]. Tabla 2.2. Parámetros principales y características nominales del rectificador 36MT120. Parámetros 36 MT Unidades 35 A 60 °C IFSM @ 50Hz 475 A @ 60Hz 500 A @ 50Hz 1130 A2s @ 60Hz 1030 A2s 100 a 1600 V -55 a 150 °C I0 @ Tc 2 It VRRM TJ 2.4.4. Características del Puente Rectificador • Encapsulado con alta conductividad térmica • Aislamiento eléctrico del casco • Terminales soldables (a) (b) Figura 2.7. Diagrama eléctrico y forma física del puente rectificador 36MT120. 29 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 2.4.5. Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Cálculo del Capacitor del Bus de CD del Puente Rectificador Se sabe que el voltaje de salida después de ser rectificado tiene las formas de onda que se muestran en la figura 2.8, este voltaje no es continuo y por tanto el promedio del mismo es menor, por tal razón, es necesario hacer un filtrado, disminuyendo al máximo el rizo de las formas de onda y aumentando el voltaje promedio a la salida del rectificador [19]. Figura 2.8. Formas de onda de voltaje de CA rectificado mostrando el periodo de conducción desde Vmáx a Vmín. Se utiliza un capacitor electrolítico. Esta capacitancia está en función inversa de la diferencia de voltaje máxima permitida, DV, y se puede calcular de la ecuación siguiente [19]: Cmín = 2 máx (V 2 Pin 2 ) f rect . − Vmín (2.32) Donde: Pin = la potencia de la carga, en Watts Vmáx = el voltaje pico de línea Vmín = el voltaje mínimo permitido y DV= Vmáx - Vmín. Se debe tener en cuenta que los capacitores electrolíticos pierden algo de capacitancia a través del tiempo, por tanto, se debe considerar una tolerancia al valor de la capacitancia inicial al momento de la selección. 30 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Para este diseño se tienen los siguientes datos: Vmáx= VLínea x 2 = 220 x 2 = 311 V Vmín= 300 V, propuesto. Pin= 1.12 kW, potencia del motor. frect= flínea x 6, donde 6 es el número de pulsos por ciclo. Por tanto, para este caso es: f = 60 x6 = 360 Hz Sustituyendo estos valores en la ecuación (2.32) se tiene: Cmín = 2(1.12 x103 ) = 0.0009258 = 925.8μF (3112 − 3002 )(360) De acuerdo al cálculo anterior se debe poner como mínimo una capacitancia de 925.8 μF. En este diseño se utilizó una capacitancia de 1360 μF en el bus de corriente directa como se ve en la figura 2.9. Figura 2.9. Diagrama eléctrico de la fuente de voltaje para el inversor trifásico. La fuente de voltaje que alimenta al inversor se muestra en la figura 2.9. Se puede ver la conexión del puente rectificador trifásico 36MT120 y el capacitor del bus de corriente directa. El termistor que se ve en el diagrama de la figura 2.9 se utiliza como una técnica de arranque suave para evitar el incremento de voltaje en el capacitor debido a las inductancias del cableado o a algún transitorio de voltaje cuando éste se conecta a la línea [19]. En este diseño se tienen cuatro termistores SL32 1R036, dos en paralelo y en serie con otro arreglo de dos en paralelo. 31 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.5. Inversor de Potencia 2.5.1. Fundamento Teórico del Inversor Los inversores, son convertidores de CD a CA. La función de un inversor es cambiar un voltaje de entrada de CD a un voltaje simétrico de salida de CA con la magnitud y frecuencia deseadas. Tanto el voltaje como la frecuencia pueden ser fijos o variables. Si se modifica el voltaje de entrada de CD y la ganancia del inversor se mantiene constante, es posible obtener un voltaje variable de salida [6]. Por otra parte, si el voltaje de entrada de CD es fijo y no es controlable, se puede obtener un voltaje de salida variable si se varía la ganancia del inversor, controlando la modulación del ancho de pulso (PWM). La ganancia del inversor se puede definir como la relación entre el voltaje de salida de CA y el voltaje de entrada de CD [6]. Los inversores se usan en accionamiento de motores de CA y en fuentes de potencia de CA ininterrumpibles donde el objetivo es producir una salida sinusoidal de CA cuya magnitud y frecuencia puedan ser controladas [2, 6]. Los inversores se pueden clasificar básicamente en dos tipos [2, 6]: • Inversores Monofásico • E Inversores Trifásicos Y estos a su vez se pueden clasificar en Inversores Fuente de Voltaje e Inversores Fuente de Corriente (por sus siglas en Inglés, VSI y CSI respectivamente) [2, 6]. Los inversores fuentes de voltaje también se pueden dividir en tres categorías generales [2]: • Inversores Modulados por Ancho de Pulso • Inversores de Onda-Cuadrada • Inversores Monofásicos con Cancelación de Voltaje 32 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.5.2. Conceptos Básicos del Inversor Por simplicidad, se considera un inversor monofásico, el cual se muestra en la figura 2.10(a), donde el voltaje de salida del inversor se filtra, por tanto, se considera que v0 es sinusoidal. Puesto que los inversores normalmente alimentan cargas inductivas, como motores de CA, la corriente i0 se atrasa al voltaje v0, como se muestra en la figura 2.10(b). Las formas de onda de salida de la figura 2.10(b) muestran que durante el intervalo 1, i0 y v0 son positivos, mientras que en el intervalo 3, i0 y v0 son negativos. Por tanto, durante el intervalo 1 y 3, el flujo de potencia instantánea p0 (=v0 i0) es del lado de CD al lado de CA, que corresponde a un modo de operación “inversor” [2]. Figura 2.10. Inversor Monofásico: a) A modo de interruptores, b) Formas de onda a la salida del inversor, c) Cuadrantes del plano i0-v0 del inversor. Cuando, v0 e i0 son de signo opuesto durante el intervalo 2 y 4, el flujo p0 va del lado de CA al lado de CD del inversor que corresponde al modo de operación “rectificador”. Por tanto, el inversor debe ser capaz de operar en los cuatro cuadrantes del plano i0-v0 durante cada ciclo de la salida de CA, como se ve en la figura 2.10(c) [2]. 33 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 En la figura 2.11, se muestra una sola rama (pierna) del inversor. Todas las topologías de inversores CD-CA descritas en esta sección se derivan del convertidor de una sola pierna. Por facilidad, se asumirá que en el inversor de la figura 2.11 el punto medio del voltaje de entrada de CD esta disponible, aunque en la mayoría de los inversores no es así [2]. Figura 2.11. Pierna del Inversor a Modo de Interruptores. Para entender las características del inversor CD-CA de una sola pierna, primero se asume que el voltaje de entrada Vd es constante y que los interruptores del inversor se modulan por ancho de pulso para formar y controlar el voltaje de salida. 2.5.3. Modulación por Ancho de Pulso Para producir una forma de onda de voltaje de salida sinusoidal en los inversores, a una frecuencia deseada, se compara una señal de control sinusoidal a la frecuencia deseada, con una forma de onda triangular como se ve en la figura 2.12(a). La frecuencia de la forma de onda triangular establece la frecuencia de conmutación del ^ inversor y se mantiene generalmente con amplitud constante V tri [2, 7]. 34 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Figura 2.12. Voltaje sinusoidal de salida producido por PWMs. La frecuencia f s de la forma de onda triangular vtri se le conoce como frecuencia de conmutación o carrier, ver figura 2.12(a). La señal de control, vcontrol , se usa para modular el ciclo de trabajo del interruptor y tiene una frecuencia f1 ; esta frecuencia es la fundamental o de modulación deseada del voltaje de salida del inversor. La amplitud de la relación de modulación ma se define como [2]: ^ ma = V control (2.33) ^ V tri ^ ^ Donde, V control es la amplitud pico de la señal de control y V tri la amplitud de la señal triangular. La relación de modulación de frecuencia m f se define como: 35 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO mf = Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 fs f1 (2.34) En el inversor de la figura 2.11, los interruptores TA+ y TA- se controlan en base a la comparación de vcontrol y vtri , como los dos interruptores nunca están apagados o encendidos, simultáneamente, el voltaje de salida v Ao varía entre vcontrol > vtri , vcontrol < vtri , TA + encendido, TA − encendido, 1 1 Vd y − Vd [2]: 2 2 1 v Ao = Vd 2 1 v Ao = − Vd 2 (2.35) El espectro armónico de v Ao , para ma ≤ 1.0 , da algunos elementos importantes [2]: • La salida de voltaje promedio VAo en un periodo de tiempo (Ts=1/fs), depende de ^ la relación de vcontrol y V tri para un Vd dado [2, 7]: VAo = vcontrol Vd ^ 2 V ^ vcontrol ≤ Vtri (2.36) tri Figura 2.13. Periodo de conmutación considerando vcontrol constante. 36 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Si se asume que vcontrol es constante en un periodo de conmutación Ts, figura 2.13, la ecuación (2.36) indica cómo varía el valor “Promedio instantáneo” de v Ao de un periodo de conmutación a otro. Este “Promedio instantáneo” es el mismo que el de la componente fundamental de v Ao . Por tanto, vcontrol se elige sinusoidal, puesto que así se obtiene una salida de voltaje de la misma forma, por supuesto, con algo de contenido armónico. Además, permite que el voltaje de control varíe sinusoidalmente a la frecuencia deseada o fundamental f1 = ω1 / 2π de la salida del inversor [2]: (2.37) ^ vcontrol = V control senω1t Donde ^ vcontrol ≤ Vtri Sustituyendo la ecuación (2.37) en (2.36), las cuales muestran que la componente fundamental (v Ao )1 , varía sinusoidalmente y está en fase con vcontrol en función del tiempo: ^ (v Ao )1 = V control ^ senω1t Vtri Vd V = ma senω1t d 2 2 para ma ≤ 1.0 (2.38) Por tanto ^ (V Ao )1 = ma Vd 2 ma ≤ 1.0 (2.39) De donde se puede ver que en un PWM sinusoidal, la amplitud de la componente fundamental del voltaje de salida varía linealmente ( para ma ≤ 1.0 ). Por tanto, el rango de ma de 0 a 1 se le llama rango lineal [2]. • En el inversor de la figura 2.11 se puede ver que: 1 v AN = v Ao + Vd 2 (2.40) Por lo tanto, las componentes armónicas de voltaje en v AN y v Ao son iguales: ^ ^ (V AN ) h = (V Ao ) h (2.41) 37 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 • La armónica mf debe ser un entero impar [2]. El valor de la frecuencia de conmutación mínima se determina por la calidad de resolución con la que se desea que se reproduzca la frecuencia fundamental y no incrementen el contenido armónico, también se debe salir de la frecuencia auditiva. La frecuencia de conmutación máxima se establece de las pérdidas por interrupción de los IGBT’s. Por lo tanto, el rango recomendado para cubrir estas limitantes está entre 6-20 kHz. 2.5.4. Inversores Trifásicos Los inversores más frecuentemente usados en accionamientos de motores de CA son los circuitos trifásicos. Consisten de tres piernas, una para cada fase, figura 2.14. Cada pierna del inversor es igual a la analizada en la sección de conceptos básicos, la salida de cada pierna con respecto al negativo del bus de CD, v AN , depende solo de Vd y del estado del interruptor. El voltaje de salida es independiente de la corriente de carga, ya que uno de los dos interruptores en una pierna está siempre encendido en cualquier instante. Se desprecia el tiempo muerto que se requiere en los circuitos prácticos y se asume que los interruptores son ideales. Por tanto, la salida de voltaje del inversor es independiente de la dirección de la corriente de carga [2]. Figura 2.14. Diagrama del Inversor trifásico. 38 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.5.5. PWM en Inversores Trifásicos Fuente de Voltaje El objetivo de estos inversores al igual que los monofásicos es controlar los voltajes trifásicos de salida en magnitud y frecuencia con un voltaje de entrada, Vd, constante. Para obtener voltajes de salida trifásicos balanceados en un inversor PWM también se compara una forma de onda triangular con tres voltajes de control sinusoidales que están desfasados 120°, como se muestra en la figura 2.15(a) [2, 7, 10]. Figura 2.15. Formas de onda PWM trifásicas. 39 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 En la figura 2.15(b) se puede ver que un valor promedio idéntico de la componente de CD se presenta en los voltajes de salida v AN y vBN los cuales son medidos con respecto al negativo del bus de CD. Estas componentes de CD son canceladas en los voltajes de línea a línea como se en v AB de la figura 2.15(b) [2]. 2.5.6. Modulación Lineal en Inversores Trifásicos ( ma ≤ 1 ) El valor pico de la componente fundamental en una pierna del inversor es: ^ (V AN )1 = ma Vd 2 (2.42) Por tanto, el voltaje fundamental rms de línea a línea, debido a la diferencia de fases de 120° se puede escribir como: VLL1 = 3 ^ 3 (VAN )1 = maVd ≈ 0.612maVd 2 2 2 (2.43) 2.5.7. Sobremodulación en Inversores Trifásicos ( ma > 1 ) Previamente, se consideró ma ≤ 1.0 que corresponde a la zona lineal de un PWM sinusoidal. Por lo tanto, la amplitud del voltaje fundamental varía linealmente con ma. En esta zona el PWM lleva las armónicas alrededor de la frecuencia de conmutación y sus múltiplos. A pesar de que esta característica se desea en un PWM sinusoidal en la zona lineal, uno de los inconvenientes es que la amplitud disponible máxima de la componente fundamental no es tan alta como se quiere. Esta es una consecuencia natural de las muescas en el voltaje de salida, Figura 2.15 [2]. Para incrementar la amplitud de la componente fundamental en el voltaje de salida, ma se lleva por arriba de 1 dando como resultado la sobremodulación. La sobremodulación causa que el voltaje de salida tenga más armónicas comparado con la zona lineal. En la sobremodulación la amplitud de la componente fundamental no varía linealmente con ma, figura 2.16 [2, 7]. 40 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Figura 2.16. Regiones de modulación en inversores trifásicos En la figura 2.16 se puede ver el valor rms del voltaje de línea a línea fundamental, VLL1 , en función de ma. También se puede ver que cuando ma sale de la región de sobremodulación cae en la zona de onda cuadrada. Por tanto, el valor máximo de VLL1 es de 0.78Vd . 2.5.8. Voltajes de Fase a Neutro en Inversores Trifásicos En la figura 2.17 se muestra un diagrama de bloques de un inversor fuente de voltaje trifásico que alimenta a un motor de CA. Se simplifica el circuito equivalente con respecto al neutro, n , de cada fase de la carga. Se asume que eA (t ) , eB (t ) , y eC (t ) son sinusoidales [2]. Figura 2.17. Diagrama de bloques de un inversor fuente de voltaje que alimenta a un motor de CA. 41 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Bajo condiciones balanceadas de operación, es posible expresar los voltajes de fase vkN de la salida del inversor con respecto al neutro n de la carga en términos de los voltajes de salida del inversor con respecto al negativo N del bus de CD: vkN = vkN − vnN k = A, B, C (2.44) Cada voltaje de fase se puede escribir como: vkN = L dik + ekn dt (2.45) En cargas trifásicas (a tres alambres): iA + iB + iC = 0 y d (iA + iB + iC ) = 0 dt (2.46) Similarmente: eA + eB + eC = 0 (2.47) De las ecuaciones anteriores se puede escribir la siguiente condición para los voltajes del inversor: v An + vBn + vCn = 0 (2.48) Y por tanto 1 vnN = (v AN + vBN + vCN ) 3 (2.49) Sustituyendo la ecuación (2.49) en la (2.44), se puede determinar el voltaje de fase a neutro para la fase A: 2 1 v An = v AN − (vBN + vCN ) 3 3 (2.50) Ecuaciones similares a la anterior se pueden escribir para las fases B y C. 42 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.5.9. Selección del Módulo de Potencia-Inversor Trifásico En la selección del módulo de potencia se consultó a los diferentes fabricantes y proveedores de estos dispositivos, y de acuerdo a esta aplicación, el módulo que cubre las necesidades que se tienen en el accionamiento de motores trifásicos de inducción y que se consideró conveniente, es el siguiente: El módulo integrado de potencia, EMP25P12B de International Rectifier, figura 2.18, para aplicaciones de accionamiento de motores. Tiene resistencias sensoras de corriente en las salidas de cada una de las fases. Cada extremo de las resistencias sensoras está directamente unido a un pin externo para reducir efectos parásitos y lograr precisión en los voltajes retroalimentados [20]. Figura 2.18. Módulo de potencia EMP25P12B de International Rectifier. 2.5.10. Características del Módulo de Potencia EMP25P12B El módulo tiene: • IGBT’s que soportan hasta 25 A, 1200 V. • Capacidad de corto circuito 10 μs. 9 Área de operación segura de polarización inversa (RBSOA), cudrada. 9 Bajo Vce(on) (2.28 Vtyp @ 25 A, 25 oC). 9 Coeficiente de temperatura positivo Vce(on). 9 VF del Diodo, Bajo (1.76 Vtyp @ 25 A, 25 oC). 9 Recuperación inversa suave. • Resistencias sensoras en las salidas de cada fase y en la barra del bus de CD negativo de 4 mΩ. 9 Coeficiente térmico < 50 ppm/oC. 43 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.5.11. Descripción del Módulo de Potencia El módulo EMP25P12B tiene seis IGBT’s, figura 2.19, con sus respectivos diodos en antiparalelo o de libre camino, en una configuración estándar del inversor. Los IGBT’s incluidos en el módulo inversor soportan 1200V – 25A (corriente máxima medida a 100 oC) [20]. Gracias a los nuevos diseños y a la tecnología estos dispositivos no necesitan voltaje negativo de compuerta para su apagado completo. El efecto de rizado es reducido, comparado con dispositivos de la misma familia. Otra característica innovadora en estos módulos de potencia es la presencia de resistencias sensoras en la salida de las tres fases para el sensado de la corriente del motor, así como, otra resistencia del mismo valor en el bus de CD negativo, que se usa para la protección del dispositivo. En la estructura de este dispositivo también se incluye un sensor térmico con un coeficiente térmico negativo, Th+ y Th- en la figura 2.19 [20]. Figura 2.19. Diagrama eléctrico interno del módulo de potencia. Las señales de la tarjeta de control no son afectadas por inductancias parásitas o resistencias, inevitablemente presentes en el esquema del módulo. 44 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 La tecnología usada por este módulo es la estándar y conocida DBC (Direct Bondable Copper) [20]: Sobre una base gruesa de cobre se coloca substrato de Allumina (Al2O3), con una lámina de cobre de 300 μm en ambos lados, los moldes de los IGBT’s y diodos, están directamente soldados. Estos moldes están unidos con un cable de aluminio de 15 mils para conexiones de potencia y señal. Todos los componentes están completamente cubiertos por un gel de silicón para protección mecánica y aislamiento eléctrico. La identificación de los pines del módulo se muestra en la figura 2.20. Figura 2.20. Identificación de los diferentes pines del módulo de potencia. 2.6. Controlador de Compuertas Trifásico El puente controlador trifásico o driver, es un dispositivo que recibe las señales PWM de 3.3V proporcionadas por el DSP, aisladas y elevadas a 5V por optoacopladores. Este a su vez las lleva a un nivel de voltaje de 10 a 20V, las cuales alimentan las compuertas de los IGBT’s de potencia. Éstas deben estar clasificadas en seis señales, tres del lado alto y tres del lado bajo, referenciadas. Además este puente controlador protege por sobrecorriente a los IGBT’s, mediante entradas de falla, las cuales desactivan las seis salidas para evitar daños al inversor [21]. 45 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.6.1. Selección del Circuito Integrado Controlador de Compuertas El Circuito Integrado (CI) controlador de compuertas es una parte integral de un inversor, y está hecho a base de dispositivos semiconductores. La salida de un inversor depende de la forma en que el circuito de disparo excita los dispositivos de conmutación y está en función directa de ésta. Por tanto, las características del circuito de disparo son elementos claves para tener la salida deseada y los requisitos de control de cualquier convertidor de potencia, en este caso el inversor. Para la selección de este integrado se consultaron diferentes fabricantes y proveedores de semiconductores; se requería principalmente que este controlador fuera para aplicaciones trifásicas y que además tuviera ciertos esquemas de protección y señales de bloqueo. Se llegó a la selección de un CI IR2136, de International Rectifier, figura 2.21 [21]. Figura 2.21. Circuito Integrado Controlador de compuertas IR2136. 2.6.2. Características del Controlador de Compuertas Este circuito cuenta con [21]: • Canal flotante diseñado para operación de bootstrap. Operación plena a +600V. Tolerante a transitorios de voltaje negativo - dV/dt. • Rango de la fuente accionadora de compuerta de 10 a 20V. • Paro por caída de voltaje para todos los canales. • Paro por sobrecorriente, bloquea los seis canales. • Controladores de 3 medios-puente Independientes. 46 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 • Prevención lógica de cruce de conducción. • Salidas de lado bajo desfasadas con las entradas. Salidas de lado alto desfasadas o en fase con la entrada. • Lógica Compatible de 3.3V. • Bajo di/dt en accionamiento de compuerta para mejorar la inmunidad al ruido. • Retraso programable externo para limpieza de falla automática. 2.6.3. Descripción del Controlador de Compuertas El circuito integrado IR2136 se usa para la conmutación de IGBT’s de potencia. Tiene tres canales independientes, lados altos y bajos de salidas referenciadas para aplicaciones trifásicas. Un disparo por sobrecorriente, bloquea las seis salidas, esto puede derivarse de una resistencia externa sensora de corriente. Una función ENABLE está disponible para interrumpir simultáneamente estas seis salidas. Proporciona una señal de falla open-drain para indicar que ocurrió un apagado por sobrecorriente, caída de voltaje o sobretemperatura [21]. Las condiciones de falla de sobre corriente, se limpian automáticamente después de un retraso programado por una red RC conectada en la entrada RCIN, figura 2.22. El canal flotante se utiliza para controlar los IGBT’s en la configuración del lado alto, que puede operar hasta 600 V [21, 22]. Figura 2.22. Conexión típica del CI IR2136. 47 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 En seguida se muestra el diagrama funcional a bloques del IR2136, en el que se puede identificar cada uno de los pines y sus conexiones internas, figura 2.23 [21]. Figura 2.23. Diagrama funcional del CI IR2136. Donde: Vcc Fuente fija de voltaje del lado bajo. Vss Tierra lógica. HIN Entradas lógicas para las salidas del controlador de compuertas de lado alto (HO1, 2, 3), desfasadas. LIN Entradas lógicas para las salidas del controlador de compuertas de lado bajo (LO1, 2, 3), desfasadas. FAULT Indica falla de sobrecorriente (ITRIP) o que ha ocurrido un paro por bajo voltaje en el lado bajo (Vcc). Negativo lógico, salida open-drain. 48 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 EN Entrada lógica para habilitar la funcionalidad I/O (Input/Output). Positivo lógico, es decir, la lógica I/O funciona cuando ENABLE es alta. No hay efecto en FAULT y no dispara. ITRIP Entrada analógica para disparo por sobrecorriente. Cuando se activa, ITRIP apaga las salidas, activa FAULT en bajo y pone en bajo la terminal RCIN. Cuando ITRIP se desactiva, FAULT permanece activo en bajo por un tiempo fijo externo TFLTCLR (1.65típico-2máx ms), después automáticamente se pone inactivo (open-drain high impedance). RCIN Red RC externa de entrada que se usa para definir el retraso del LIMPIADO DE FALLA (FAULT CLEAR), TFLTCLR, aproximadamente a R*C. Cuando RCIN>8V, el pin FAULT regresa a salida open-drain. COM Retorno del lado bajo del controlador de compuertas. VB1, 2, 3 Fuente flotada del lado alto. HO1, 2, 3 Salidas del controlador de compuertas del lado alto. VS1, 2, 3 Retornos de la fuente flotada de alto voltaje. LO1, 2, 3 Salidas del controlador de compuertas del lado bajo. 2.6.4. Circuito de Bootstrap en el Controlador de Compuertas Uno de los circuitos importantes que hay que implementar al controlador de compuertas es el circuito de bootstrap. Este circuito son capacitores entre los pines Vb1,2,3 y Vs1,2,3, y diodos en serie con el capacitor, como se ve en la figura 2.22, que sirven de fuentes a los IGBT’s del lado alto del inversor. Para el cálculo de este capacitor se utiliza el llamado método de bootstrap [23, 24]. El método de bootstrap tiene la ventaja de ser simple y barato pero tiene algunas desventajas, el ciclo de trabajo y el tiempo de encendido son limitados por la renovación de la carga del capacitor de bootstrap, Cbs. El voltaje Vbs, diferencia de voltaje entre los pines Vb1,2,3 y Vs1,2,3, en la figura 2.22, da el suministro del lado alto a los IGBT’s del módulo. Este voltaje es una fuente flotada que se fija en el nivel más alto del voltaje Vs, el cual en la mayoría de los casos será una onda cuadrada de alta frecuencia [23, 24]. 49 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 La operación del circuito de bootstrap es la siguiente: Cuando Vs se lleva a tierra, a través del lado bajo de los IGBT’s, el capacitor de bootstrap (Cbs) se carga a través del diodo de bootstrap (Dbs) de la fuente de 15 V (Vcc), proporcionando así una fuente Vbs. Cuando Vs se lleva a un voltaje más alto por el transistor del lado alto, la fuente Vbs flotará, el diodo de bootstrap estará polarizado inversamente y bloqueará el voltaje ésta [25]. Esta fuente necesita estar en el rango de 10 a 20 V para garantizar que el circuito integrado de control pueda conmutar a los transistores que están siendo accionados. 2.6.5. Factores que Afectan la Fuente de Bootstrap Hay cinco factores que influyen a los requerimientos de suministro del capacitor Vbs: 1. Carga de Compuerta requerida para los transistores. 2. Corriente fija Iqbs para el circuito del controlador del lado alto. 3. Corriente dentro de los niveles permitidos por el circuito integrado. 4. Corriente de fuga de la compuerta a la fuente. 5. Corriente de fuga del capacitor de bootstrap. Estos cinco factores son relevantes solo si el capacitor es electrolítico, para otro tipo de capacitores no se toman en cuenta. Por tanto, es recomendable usar un capacitor no-electrolítico. 2.6.6. Cálculo del Capacitor de Bootstrap Para calcular el capacitor de bootstrap, primero se debe conocer la caída de voltaje mínima, ΔVBS, cuando el lado alto del IGBT esté en conducción. Si VGEmín es el voltaje Gate-Emisor mínimo para mantener la conducción, la caída de voltaje debe ser [26]: ΔVBS ≤ VCC − VF − VGEmín − VCEon (2.51) 50 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Bajo la condición: VGEmín >VBSUBVGEmín = 10 V VBSUB- = 8.2 V de [21]. Donde: Vcc es el voltaje de la fuente del circuito IR2136, VF es el voltaje directo del diodo de bootstrap, VCEon es el voltaje Colector-Emisor del lado bajo del IGBT y VBSUV- es la caída de voltaje negativo de la fuente del lado alto que va al umbral. También se deben considerar los factores que contribuyen a la disminución de VBS [26]: • Carga de compuerta requerida para la conducción del IGBT (QG). • Corriente de fuga Gate-Emisor del IGBT (ILK_GE). • Corriente fija de la sección flotada (IQBS). • Corriente de fuga de la sección flotada (ILK). • Corriente de fuga del diodo de bootstrap (ILK_DIODE). • Corriente del diodo antiparalelo, cuando está encendido (IDS-). • Carga requerida por los cambiadores de nivel internos por ciclo (QLS). 5nC (500V/600V CI’s) o 20 nC (1200V CI’s) [24]. • Corriente de fuga del capacitor de bootstrap (ILK_CAP). Es relevante solo si el capacitor es electrolítico, para otro tipo de capacitores esta se desprecia [26]. Por tanto es mejor usar un capacitor no-electrolítico. • Tiempo de encendido del lado alto (THON). Entonces: QTOT = QG + QLS + ( I LK _ GE + I QBS + I LK + I LK _ DIODE + I LK _ CAP + I DS − )THON (2.52) 51 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Pero QTOT=QBS y también se puede calcular de forma más simplificada [23]: QBS = 2QG + I QBS f + QLS + I LK _ CAP f (2.53) La capacitancia mínima de bootstrap es: C BOOTmín ≥ QBS ΔVBS (2.54) Sustituyendo las ecuaciones (2.51) y (2.53) en (2.54) se tiene: CBOOTmín I I ⎤ ⎡ 2⎢2QG + QBS + QLS + LK _ CAP ⎥ f f ⎦ ≥ ⎣ VCC − VF − VGEmín − VCEon (2.55) Donde: f= es la frecuencia de switcheo o frecuencia de operación, para este caso, 16kHz. De las hojas de datos se tienen los siguientes valores: QGmáx = 254nC [20]. IQBS = 120 μA [21]. QLS = 5nC [24]. Vcc = 16V. VF = 1.5V [27]. VCEon = 2.28V [20]. VGEmín = 10V. Sustituyendo los valores anteriores en la ecuación (2.55) se tiene: 52 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO CBOOTmín Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 ⎡ ⎤ 120 x10−6 −9 2⎢2(254 x10 ) + + 5 x10− 9 + 0⎥ 3 −6 16 x10 ⎦ = 0.521x10 = 0.000000854 = 0.854μF ≥ ⎣ 15 − 1.5 − 10 − 2.28 1.22 Se implementó un capacitor de 1 μF, de acuerdo con el cálculo anterior. La parte que se hace cero en la operación anterior, es debido a que ILK_CAP=0, porque se utilizan capacitores de tantalio. Se recomienda como mínimo un capacitor de 0.47μF para esta aplicación [24]. 2.7. Optoacopladores 2.7.1. Selección de Optoacopladores Se buscó un optoacoplador con dos señales de entrada y dos señales de salida para tener un arreglo de tres optoacopladores que generen las seis señales que requiere el controlador de compuertas para el accionamiento de los seis IGBT’s del inversor. El optoacoplador utilizado en esta aplicación es el HCPL-2531 que constan de un par de LEDs emisores de luz dirigidos a transistores fotodetectores de alta velocidad, figura 2.24. La polarización del transistor es debido a la luz emitida por el diodo teniendo así un aislamiento óptico [28]. Figura 2.24. Dispositivos internos del optoacoplador HCPL-2531. 53 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 2.7.2. Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Características de los Optoacopladores Seleccionados Este dispositivo cuenta con una conexión separada para la polarización del fotodiodo que mejora la velocidad para diferentes magnitudes sobre los optoacopladores convencionales reduciendo la capacitancia base-colector del transistor de entrada [28]. Mantiene un aislamiento entre las señales de entrada y salida del microcontrolador DSP. Las entradas pueden provenir de los sensores de temperatura, voltaje y corriente, y las salidas de los circuitos PWM. Físicamente, es un circuito integrado de ocho pines como se muestra en la figura 2.25 [28]. Figura 2.25. Circuito integrado del optoacoplador HCPL-2531. 2.8. Sensores Los sensores forman parte de los esquemas de protecciones, por tanto, la selección de éstos y el diseño de los circuitos auxiliares que ayudan a su funcionamiento se hacen en el capítulo 3. 54 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 2.9. Microcontrolador DSP La tarjeta de desarrollo empleada en este trabajo es de la familia DSP56F8300 de Freescale Semiconductor, antes Motorola, figura 2.26 [29, 30, 31, 32, 33]. Figura 2.26. Tarjeta de desarrollo 56F8300DEMO de Freescale Semiconductor. 2.9.1. Características de la Tarjeta de Desarrollo 56F8300DEMO Esta tarjeta cuenta con [29, 30, 31, 32, 33]: • Un microcontrolador DSP56F8323 • Interruptor de Reset 55 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 • Interruptor para usuario SW1 • Interruptor IRQA • Control de interrupciones mediante registros de prioridad de Interrupción, IPR • Puerto de Comunicación P1 • Puerto para comunicación serie SCI • Puerto GPIO/SERIAL de 16 pines de entrada/salida de propósito general • Puerto TIMER/PWM de 16 pines • Puerto JTAG/EOnCE de 14 pines • Puerto ADC de 10 pines • Puerto de comunicación CAN (Controller Area Network) • Puertos de 3.3, 5 y 9 V • Led indicador de encendido • 10 leds indicadores para propósitos del usuario 2.9.2. Descripción de la Tarjeta de Desarrollo 56F8300DEMO La familia DSP56F8300 de Freescale Semiconductor son microcontroladores de 16-bits. Su poder de procesamiento combinado con la funcionalidad de un microcontrolador y un juego flexible de periféricos, crea una solución sumamente rentable proporcionada en una sola pastilla. El microcontrolador DSP56F8323 cuenta con una capacidad de procesamiento de 60 MIPS (millones de instrucciones por segundo) a 60 MHz, con memorias Flash y RAM para almacenamiento de programas y datos, y puede operar hasta una temperatura de 125°C. El puerto de comunicación P1 (LPT o de impresora) de la tarjeta de desarrollo se utiliza para la carga y depuración de programas, el puerto de comunicación serie SCI se emplea para la transmisión de datos hacia un medio de visualización. Cuenta con un convertidor analógico a digital (ADC) de 12-bits que puede hacer dos conversiones simultáneamente y se puede sincronizar con el módulo PWM [29, 30, 31, 32, 33]. 56 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 2 Los módulos que se emplearon en la implementación del programa de control para la prueba de la interfaz son los siguientes [34]: • Control de Interrupciones • Memoria Flash y RAM para el programa • Puerto o Módulo PWM • Convertidor Analógico-Digital (ADC) • Circuito cuádruple temporizador comparador de propósito general • Pines de entrada/salida de propósito general • Puerto para carga y depuración de programas • Interfaz de comunicación serie Para mayor información a cerca del programa de control y la descripción de los módulos antes mencionados dirigirse a [34]. 57 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO CAPÍTULO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 3 PROTECCIONES PARA LA INTERFAZ DE POTENCIA EN EL ACCIONAMIENTO DE UN MOTOR DE INDUCCIÓN En este capítulo se diseñan y describen los diferentes esquemas de protección para la interfaz de potencia de un motor de inducción de 1.5 HP, así como la operación y funcionamiento de éstos. Se parte de un diagrama a bloques del sistema completo de las etapas principales. Los esquemas de protección que se diseñaron son, protección por sobrecorriente, por sobretemperatura, por sobrevoltaje y de aislamiento. 3.1. Esquema a Bloques de la Interfaz de Potencia En el diseño y la implementación de los esquemas de protección de la interfaz de potencia se parte del diagrama a bloques de la figura 3.1 con el fin de llevar un orden esquemático que ayude a visualizar cada módulo con sus respectivas protecciones. El diagrama a bloques cuenta con los módulos siguientes [35]: • Puente rectificador de potencia (convertidor CA-CD) • Inversor trifásico (Convertidor CD-CA) • Controlador de compuertas (Drive) para IGBT’s • Optoacopladores • Sensores (de temperatura, voltaje, corriente y velocidad) • Microcontrolador DSP (el control) • Motor de inducción 58 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 Figura 3.1. Esquema a bloques de los diferentes módulos que conforman la interfaz de potencia. Como se puede ver en la figura 3.1, en el accionamiento de motores de corriente alterna, en aplicaciones de velocidad variable, la conversión de la potencia de una forma a otra, el aislamiento entre las etapas de control y potencia, el accionamiento de compuertas de los convertidores y el sensado de algunas variables de control, requieren diferentes dispositivos semiconductores, los cuales, al igual que al motor es necesario proteger. 59 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 3.2. Protecciones en la Interfaz de Potencia Debido al proceso de recuperación en sentido inverso de los dispositivos de potencia y las acciones de conmutación del circuito, pueden presentarse voltajes transitorios y condiciones de falla por cortocircuito en los circuitos convertidores, dando como resultado un flujo excesivo de corriente por los dispositivos, causando el daño de éstos o disminuyendo su vida útil; también el calor producido por las pérdidas en un semiconductor, se debe disipar de manera que no se excedan las temperaturas de trabajo máximas, especificadas por las hojas de datos de los dispositivos de potencia. Estos dispositivos de potencia se protegen contra, avalancha térmica, con disipadores de calor, altas tasas dv/dt y di/dt, con circuitos amortiguadores, estados transitorios por recuperación inversa, con diodos, estados transitorios en el lado de la alimentación, con varistores y sobrecorrientes en la alimentación del rectificador, con fusibles [6]. Los esquemas de protección para esta interfaz de potencia, se diseñaron tomando en cuenta los diferentes estados transitorios, antes mencionados, que pueden ocurrir en la operación, considerando la capacidad del motor, los requerimientos para la operación de éste y las especificaciones de los fabricantes de cada dispositivo que compone la interfaz. Estos esquemas se diseñaron de acuerdo al orden siguiente: • Protección de Sobrecorriente • Protección de Sobretemperatura • Protección de Sobrevoltajes • Protección por aislamiento • Protecciones del circuito integrado IR2136 3.2.1. Protección de Sobrecorriente La protección de sobrecorriente se diseña principalmente de acuerdo a la corriente de arranque del motor y la corriente máxima que soporta el módulo inversor, 60 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 en este caso el motor de 1.5HP tiene una corriente nominal de 4.2A a 230V y una corriente de arranque de 16A, de acuerdo a datos del fabricante. El módulo inversor EMP25P12B seleccionado en el capítulo 2, soporta una corriente de 25A a 100°C, 50A a 25°C y un transitorio de corriente de hasta 100A. Este módulo cuenta con resistencias sensoras de 4mΩ que determinan la corriente a sensar. Con las características anteriores se procede a buscar un sensor de corriente que cumpla dichos requerimientos. Haciendo una investigación con los diferentes fabricantes y proveedores de semiconductores y de acuerdo con los requerimientos mencionados y el tipo de aplicación, se busca un sensor de corriente que cumpla con éstos, y además, que facilite la interfaz con el microcontrolador DSP para el procesamiento del sensado de la corriente. Se encontró un sensor de corriente lineal IR2175 de International Rectifier. 3.2.1.1. Sensor de corriente IR2175 El sensor de corriente es un circuito integrado IR2175 de International Rectifier, figura 3.2. Estos circuitos, están diseñados para transferir la información del sensado de la corriente de la parte de alta potencia a la parte baja (Microcontrolador DSP) de un circuito de accionamiento de motor, de tal manera, que esta información puede ser procesada por circuitos de control [36]. Figura 3.2. Circuito integrado sensor de corriente IR2175. 61 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 3.2.1.2. Características del Sensor IR2175 • Canal flotado hasta +600 V. • Integración monolítica (que esta hecha de una sola pieza, rígida, no flexible). • Retroalimentación de corriente lineal a través de la resistencia shunt. • Salida PWM digital directa para medición de la corriente. • Baja corriente de alimentación del canal flotado “IQBS”, que permite el uso de una fuente del tipo bootstrap. • Señal de disparo de sobrecorriente de 2μs. • Alta inmunidad al ruido en modo normal de operación. • Protección de sobrevoltaje, para condición de cortocircuito del IGBT. • Salidas open-drain. 3.2.1.3. Descripción del Sensor IR2175 El circuito integrado IR2175, es un sensor de corriente, diseñado para aplicaciones de accionamiento de motores, que cuenta con ocho pines. El diagrama de conexión se muestra en la figura 3.3, donde se identifica cada pin [36]: Figura 3.3. Diagrama de conexión de los sensores de corriente IR2175. Vcc Suministro de voltaje. COM Tierra lógica. V+ ó VIN+ Entrada de voltaje sensado, positivo. 62 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica VB Suministro de voltaje del lado alto. Vs Retorno del lado alto. PO Salida PWM digital. OC Salida de sobrecorriente (Lógica Negativa). NC No Conexión. CAPÍTULO 3 Estos sensores tienen la tecnología de aislamiento de alto voltaje para el procesamiento de la señal. El formato de salida es un PWM para eliminar la necesidad de una interfaz de entrada al A/D entre el microcontrolador y el sensor. La señal de disparo de sobrecorriente OC , facilita la protección de cortocircuito de los IGBT's [37]. Las salidas PO y OC son open-drain, esta particularidad facilita cualquier interfaz desde 3.3 a 15V [36]. 3.2.1.4. Funcionamiento y Operación del esquema de protección de sobrecorriente con el Sensor IR2175 Este circuito integrado mide la corriente de fase del motor a través de resistencias externa, R1, R2, y R3 de la figura 3.4 [20], y la corriente del bus de DC-, con una resistencia sh. Estas resistencias sensan la caída de voltaje que es directamente proporcional a la corriente, el circuito convierte esta señal de voltaje analógica, a digital y la transfiere al lado del Microcontrolador DSP, el esquema completo se puede ver en la figura 3.5. Figura 3.4. Diagrama eléctrico del módulo inversor trifásico EMP25P12B de International Rectifier. 63 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 El disparo de sobrecorriente del circuito IR2175 opera con un nivel de voltaje de 260 mV, considerando este nivel de voltaje y el valor de las resistencias de 4mΩ con las que cuenta el módulo de potencia inversor, se procede a calcular la corriente para la cual se está protegiendo el módulo: Ip = 260mV = 65 A 4mΩ (3.1) Por tanto, la corriente de protección del módulo es de 65A, la cual esta dentro de los rangos de corriente que éste soporta (transitorios de hasta 100 A), es decir, cuando pase una corriente de 65A por la resistencia sensoras se tendrá una caída de voltaje de 260mV entre V+ y Vs, figura 3.5, entonces la señal de disparo de sobrecorriente OC ocurre y se pone a tierra (cero). Figura 3.5. Esquema de protección de sobrecorriente conectado a las resistencias sensoras del inversor. Como la señal de salida es negada y open-drain [36], y la que se requiere para desactivar el controlador de compuertas IR2136, mediante la terminal “ITRIP” es positiva, ésta se invierte mediante un transistor PNP, como se ve en la figura 3.5. 64 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 Cuando ocurre un disparo por sobrecorriente, el transistor PNP conduce, enviando el positivo de la fuente de 5V, a la terminal ITRIP. El circuito IR2136 hace la comparación con un voltaje positivo de 0.5V, ver figura 2.23 en el capítulo 2. Como 5V es mayor que 0.5V el controlador bloquea todas las salidas que controlan el accionamiento de compuertas de los IGBT’s, protegiendo así los dispositivos. 3.2.2. Protección de Sobretemperatura Debido a las pérdidas en estado activo y por conmutación, dentro del dispositivo de potencia se genera calor. Este calor se debe transferir del dispositivo a un medio de enfriamiento, para mantener la temperatura de operación en la unión dentro de los límites especificado [6]. Se implementaron dos esquemas de protección de sobretemperatura: • Por disipador de calor • Y por medio de un termoresistor con el que cuenta el módulo inversor 3.2.2.1. Disipador de Calor El calor debe pasar del dispositivo a su encapsulado y después al disipador o radiador de calor en el medio de enfriamiento. La analogía eléctrica del dispositivo, cuando está montado a un disipador de potencia se ve en la figura 3.6 [2, 6, 37]. (a) (b) Figura 3.6. Analogía eléctrica de la transferencia de calor: (a) Estructura multicapa, (b) Circuito equivalente basado en resistencias térmicas. 65 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 Donde: PA =Son las pérdidas promedio de potencia en el dispositivo, W. RJC =Resistencia térmica de unión a la caja, °C/W. RCS =Resistencia térmica del encapsulado al disipador, °C/W. RSA =Resistencia térmica del disipador al ambiente, °C/W. TJ = Temperatura de la unión del dispositivo, °C. TC = Temperatura del casco, °C. TS = Temperatura del disipador, °C. TA =Temperatura ambiente, °C. La temperatura de unión de un dispositivo, TJ, se determina mediante la siguiente ecuación: TJ = PA ( RJC + RCS + RSA ) (3.2) Las resistencias RJC y RCS las especifican los fabricantes de los dispositivos. Una vez conocidas las pérdidas de potencia PA, de la hoja de datos, se puede calcular la resistencia térmica requerida por el disipador de calor, RSA, de la ecuación que representa la diferencia de temperaturas desde la unión del dispositivo al ambiente [6]: TJ − TA = PA ( RJC + RCS + RSA ) (3.3) De donde: RSA = TJ − TA − RJC − RCS PA (3.4) Se consulta la hoja de datos del módulo inversor y se tiene que [20]: PA = 77 W, por cada Transistor. RJC-T = 0.65 °C/W, por cada Transistor. RCS = 0.03 °C/W, aplicando 0.1mm de grasa silicón. TJ = 150 °C. TA = 30 °C, se considera. Por tanto, RSA por cada transistor es: RSA −T = 150 − 30 − 0.65 − 0.03 = 0.88 °C / W 77 66 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 También se tiene que considerar la resistencia térmica del diodo en antiparalelo que tiene cada transistor, la cual es: RJC-D = 0.95 °C/W, por cada Diodo [20]. Utilizando la ecuación (3.4), para cada diodo se tiene: RSA − D = 150 − 30 − 0.95 − 0.03 = 0.58 °C / W 77 Entonces, RSA por cada dispositivo con su respectivo diodo en antiparalelo es: RSA = RSA-T + RSA-D (3.5) RSA = 0.88 °C / W + 0.58 °C / W = 1.46 °C / W El resultado anterior se multiplica por seis debido a que se tienen seis IGBT’s con sus respectivos diodos, como se ve en la figura 3.4, y la resistencia total es: RSA = (1.46 °C / W )(6) = 8.76 °C / W Con este valor de resistencia térmica se busca en el mercado un disipador que cumpla como mínimo con esta especificación. El disipador empleado en este diseño se muestra en la figura 3.7. Figura 3.7. Disipador de calor. 67 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 3.2.2.2. Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 Termoresistor del Módulo de Potencia En la estructura interna del módulo de potencia inversor, se tiene un termoresistor, Th+ y Th- en la figura 3.4, con un coeficiente térmico negativo, que sirve para la protección de sobretemperatura en la placa del módulo [20, 37]. Primeramente se fija la temperatura a la cual se quiere proteger el módulo de potencia, para este caso 100°C, de [20], con este valor se va a la curva de la figura 3.8 dada por el fabricante, y se obtiene el valor de 500Ω del termoresistor a esta temperatura [20]. Figura 3.8. Resistencia térmica vs Temperatura de la placa del módulo EMP25P12B. Después se hace un divisor de voltaje, como se muestra en la figura 3.9. Este divisor de voltaje se hace de tal forma que cuando el termoresistor sense una temperatura de 100°C, su valor será de 500Ω, esto implica que en la resistencia de 330Ω de la figura 3.9, haya una caída mayor a 0.5V, que será comparada con los 0.5V del controlador de compuertas, por tanto, el comparador manda bloquear las salidas PWM, no hay conmutación en las compuertas de los IGBT’s y el sistema se bloquea. 68 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 La resistencia de 330Ω se fija en un valor comercial y la caída de voltaje en ella se ajusta con el potenciómetro. Figura 3.9. Circuito Divisor de voltaje para la protección de sobretemperatura. 3.2.3. Protección de Sobrevoltaje En los dispositivos de potencia pueden presentarse voltajes transitorios debido a las acciones de conmutación del circuito, causando el daño de éstos o disminuyendo su vida útil. Por tanto, es necesario implementar protecciones de sobrevoltaje. En este trabajo se diseñaron principalmente dos protecciones de sobrevoltaje: • Circuitos Amortiguadores o Circuitos de Snubber. • Protección de Sobrevoltaje debido al Frenado Dinámico. 3.2.3.1. Circuitos Amortiguadores o Circuitos de Snubber La función de un circuito de snubber, también llamados circuitos de ayuda a la conmutación, es reducir el estrés eléctrico en los dispositivos durante la conmutación en un convertidor a niveles que están dentro de los límites especificados del dispositivo, es decir [2]: 69 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 • Limita el voltaje aplicado al dispositivo durante los transitorios de apagado. • Limita las corrientes del dispositivo durante los transitorios de encendido. • Limita la pendiente di/dt en el dispositivo al encendido. • Limita la pendiente dv/dt en el dispositivo al apagado. La necesidad de los circuitos de snubber se presenta cuando las inductancias parásitas debido al propio alambrado del circuito están presentes en diferentes partes de éste en un convertidor. Para entender esta necesidad se muestra un convertidor sin éstos circuitos en la figura 3.10(a) [2]. a) b) c) Figura 3.10. Circuito de un convertidor mostrando: a) las inductancias parásitas, b) Trayectoria de conmutación y c) Formas de onda de corriente y voltaje durante el encendido y el apagado del transistor. 70 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 Inicialmente, el transistor está conduciendo e iC=I0. Durante el apagado, en t=t0, el voltaje del transistor empieza a subir, figura 3.10(c) pero la corriente en varias partes del circuito permanece constante hasta t1, cuando el diodo de libre camino Dfwd empieza a conducir. Entonces la corriente del transistor empieza a decrecer hasta t2. La razón a la cual decrece se determina por las propiedades del transistor y su accionamiento [2]. El voltaje del transistor se puede expresar como sigue: vCE = Vd − L dic dt (3.6) Donde: L= L1 + L2 +… La presencia de inductancias parásitas da como resultado sobrevoltajes debido a que dic /dt es negativo. En t2, el voltaje baja a Vd y permanece constante. Durante la transición de encendido, la corriente del transistor empieza a subir en t3. La ecuación (3.6) todavía es válida pero debido al dic /dt positivo el voltaje del transistor vCE es ligeramente menor que Vd. Debido a la corriente de recuperación inversa del diodo de libre camino, iC excede I0. La recuperación del diodo de libre camino en t4 y el voltaje en el transistor decrece a cero en t5, a una razón también determinada por las propiedades del dispositivo [2]. Estas formas de onda de conmutación se pueden ver comparadas con el punto de conmutación ideal como se muestra en la figura 3.10(b), La línea punteada representa el punto de conmutación ideal para el encendido y el apagado asumiendo que no hay inductancias parásitas y que no hay corriente de recuperación inversa en el diodo de libre camino. También, se puede ver que el transistor experimenta alto estrés en el encendido y en el apagado cuando el voltaje y la corriente están simultáneamente arriba causando una alta disipación de potencia instantánea. Las inductancias parásitas dan como resultado un sobrevoltaje por arriba de Vd, y la corriente de recuperación inversa del diodo de libre camino causa sobrecorrientes por arriba de I0 [2]. 71 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 3.2.3.1.1. Clasificación de los circuitos de snubber Los circuitos de snubber se pueden clasificar de distintas formas, snubbers R-C en serie no polarizados, snubbers R-C polarizados y snubbers L-R polarizados [2]. Otra clasificación hace referencia a si la energía almacenada en los snubbers se disipa en una resistencia, snubbers disipativos, o si dicha energía se transfiere a la fuente primaria o a la carga, snubbers no disipativos. En aplicaciones con transistores también hay diferentes clasificaciones: Se pueden dividir en dos tipos, snubbers individuales donde el circuito va conectado en cada IGBT, figura 3.11 y snubbers de una pieza donde el circuito va conectado en el bus de la fuente de CD, figura 3.12 [38]. Estos a su vez se dividen en: • Snubbers individuales 1. Circuito de snubber RC. 2. Circuito de snubber RCD de carga y descarga. 3. Circuito de snubber RCD supresor en la descarga. • Snubbers de una pieza 1. Circuitos de snubber C. 2. Circuitos de snubber RCD. Figura 3.11. Circuitos de snubbers individuales: a) Circuito de snubber RC, b) Circuito de snubber RCD de carga y descarga y c) Circuito de snubber RCD supresor en la descarga. 72 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 Figura 3.12. Circuitos de snubbers de una pieza: a) Circuitos de snubber C, b) Circuitos de snubber RCD. Otra de las clasificaciones en aplicaciones con transistores son, snubbers para el apagado, turn-off y snubbers para el encendido, turn-on. Estas dos últimas clasificaciones son empleadas en convertidores. Como se puede ver estos circuitos se clasifican de diferentes formas pero finalmente todas las clasificaciones se resumen en las figuras 3.11 y 3.12, solo que los diferentes autores las clasifican según la aplicación y/o el tipo. En este trabajo se implementó específicamente la red de snubber de la figura 3.11(b) y 3.12(a) las cuales se recomiendan para la protección de inversores trifásicos a IGBT’s en el apagado y en el encendido de los transistores. También, se dejó el arreglo para la implementación de la red de la figura 3.12(b). 3.2.3.1.2. Cálculo del circuito de snubber El valor para los componentes del circuito de snubber se puede calcular de las siguientes expresiones [39]: El capacitor de snubber es: Csn = Ls ⋅ I 02 (V pk − VCC ) 2 (3.7) 73 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 La resistencia de la red de snubber es: Rsn = 1 (3.8) (6 ⋅ C sn ⋅ f sw ) Y las pérdidas en la resistencia de snubber son: PR = 2 Csn ⋅ (V pk2 − VCC ) ⋅ f sw (3.9) 2 Donde: Ls = Son las inductancias parásitas del circuito principal. I0 = La corriente máxima de conmutación o de colector del IGBT. fsw = La frecuencia de conmutación. Vcc= El voltaje en el bus de CD. Vpk= El voltaje pico máximo del capacitor de snubber. En este diseño se tienen los datos siguientes: I0 = 5 A, corriente de colector máxima de los IGBT’s. fsw = 16 kHz, frecuencia de conmutación de los IGBT’s. Vcc= 310 V, es el voltaje que se tiene en bus de la fuente de CD. Vpk= 350 V, se considera este valor como pico máximo permisible en Csn. Para el cálculo de Ls se utilizó la fórmula para calcular la inductancia en un tramo de alambre recto [40, 41]. ⎡ ⎧⎛ 4 ∗ LC Ls = (0.002 ∗ Lc )⎢(2.3) log ⎨⎜⎜ ⎢⎣ ⎩⎝ φ ⎫⎤ ⎞ ⎟⎟ − 0.75⎬⎥ ⎠ ⎭⎥⎦ (3.10) Donde: Ls = Inductancia, en μH. LC = Longitud del cable, en cm. φ= Diámetro del cable, en cm. Para este caso se tiene una longitud de cable LC= 20 cm de calibre #12, con un diámetro φ =2.052 mm= 0.2052 cm, desde el capacitor del bus de CD de la fuente hasta el módulo de IGBT’s, por tanto Ls de la ecuación (3.10) es: 74 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 ⎡ ⎧⎛ 4 ∗ 20 ⎞ ⎫⎤ Ls = (0.002 ∗ 20 )⎢(2.3) log ⎨⎜ ⎟ − 0.75⎬⎥ ⎩⎝ 0.2052 ⎠ ⎭⎦ ⎣ Ls = (0.04)[(2.3) log{(389.12)}] Ls = (0.04 )[(2.3)(2.59)] = 0.2383μH Con los datos anteriores ya se puede calcular el circuito de snubber. Sustituyendo en la ecuación (3.7), se tiene: (0.2383 x10−6 ) ⋅ (5) 2 Csn = = 0.000000003F = 0.003μF ≈ 0.01μF (350 − 310) 2 La resistencia es: Rsn = 1 = 1042Ω ≈ 1kΩ (6)(0.01x10− 6 )(16 x103 ) [ ] Se recomienda que el valor de la resistencia de snubber sea ligeramente menor o igual a este valor, ya que si se pone muy por debajo la corriente del circuito oscilará y el pico de la corriente de colector del IGBT en el apagado incrementará [38]. De la ecuación (3.9), la potencia disipada por la resistencia es: PR = (0.01x10−6 )(3502 − 3102 )(16 x103 ) = 2.11W ≈ 2W 2 Por tanto, el circuito o red de snubber estará compuesto por un capacitor y una resistencia de: Csn= 0.01μF/400V Rsn= 1kΩ, a 2W Y un diodo con las características que se recomiendan a continuación. 3.2.3.1.2.1. Selección del diodo de snubber Un transitorio de voltaje de polarización directo en el diodo de snubber es un factor que puede causar un pico de voltaje en el apagado del IGBT. Si el tiempo de recuperación inversa de este diodo es muy grande, la disipación de potencia (pérdidas) será mucho más grande durante la conmutación a altas frecuencias. Si la recuperación 75 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 inversa del diodo es muy fuerte, el voltaje colector-emisor del IGBT oscilará drásticamente. Por tanto se debe seleccionar un diodo de snubber que tenga bajo transitorio de voltaje de polarización directo, y que sea de recuperación inversa rápida o ultra-rápida [38]. 3.2.3.1.2.2. Capacitor de desacople para el bus de CD Como se puede ver en la figura 3.12(a), el capacitor de desacople forma parte de los circuitos de snubber. Este capacitor se usa para dar un lazo no inductivo durante la conmutación de los IGBT’s, elimina transitorios de voltaje y ayuda a disminuir el rizado en las formas de onda del circuito [39]. La magnitud de voltaje transitorio en las terminales de CD depende de la energía atrapada en las inductancias parásitas del circuito, Ls, por esta razón el capacitor de desacople debe ser montado directamente en las terminales del módulo, como se muestra en la figura 3.12(a), [39]. Se puede calcular de la ecuación (3.7) igual que se calcula el capacitor de snubber, sin embargo [38] recomienda un valor de 0.47μF para esta aplicación. La implementación de los circuitos de snubber y capacitor de desacople se muestran en la figura 3.13. Figura 3.13. Circuitos de snubber y capacitor de desacople implementados en el inversor. 76 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 3.2.3.2. Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 Protección de Sobrevoltaje debido al Frenado Dinámico En aplicaciones de velocidad variable, un motor de inducción puede funcionar como generador al momento en que es desacelerado, es decir, tiene un par electromagnético negativo y pasa de la zona de motor a generador, por tanto, induce un voltaje hacia la fuente, lo que ocasiona que el capacitor del bus CD, figura 3.14, se sobrecargue y haya un exceso de voltaje en este. Por tal razón, es necesario disipar esa energía que el motor entrega hacia la fuente. Figura 3.14. Esquema de protección de sobrevoltaje en el frenado dinámico. Se hace un arreglo como el que se muestra en la figura 3.14, primero se fija el voltaje máximo al que se debe cargar el capacitor (360 V), luego se hace un divisor de voltaje en R1 de tal forma que cuando en las terminales del capacitor haya 360V en R1 habrá 5V, si el voltaje se va por encima de 360V implica que en R1 habrá más de 5V. El circuito comparador con histéresis detectara la diferencia de voltaje y a la salida tendrá un cero debido a que es a colector abierto, por tanto, cuando hay esta diferencia de voltaje la salida se pone a tierra. En la entrada LIN del controlador IR2102 habrá un cero, pero debido a que es negada a la salida LO se tendrá un 1 (uno). El transistor entra en conducción y la resistencia Rf, empieza a disipar la energía entregada por el motor, en modo generador. 77 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 3.2.4. Protección por Aislamiento Los optoacopladores son una protección para la etapa de control del microcontrolador DSP y la PC ya que aíslan las salidas de los circuitos PWM del circuito de potencia. Este aislamiento se requiere debido a que el microcontrolador no trabaja a las corrientes y potencias que trabajan los motores. El esquema de la protección por aislamiento se muestra en la figura 3.15. + 5V - 150pF 150pF 1 2 3 4 0.1uF 2.2kΩ OPTO1 330Ω 2.2kΩ 8 7 6 5 IR2136 330Ω 150pF 2.2kΩ OPTO2 Seis entradas PWM del DSP 330Ω 150pF 1 2 3 4 2.2kΩ 0.1uF 8 7 6 5 IR2136 330Ω Referencia (GND) del DSP 150pF 2.2kΩ OPTO3 330Ω 150pF 1 2 3 4 8 7 6 5 2.2kΩ 0.1uF IR2136 Vss 330Ω Figura 3.15. Diagrama eléctrico de los optoacopladores. Se tienen tres optoacopladores, a cada optoacoplador llegan dos señales PWM de 3.3V y la referencia que vienen del microcontrolador DSP. Estos dispositivos se alimentan con una fuente de 5V. A la salida se tiene un PWM de 5V referenciado a las fuentes de 5V y a la de 15V que alimenta al circuito integrado IR2136 (Vss). La frecuencia de los PWM’s que manda el microcontrolador a los optoacopladores es de 16kHz. Por tanto, los PWM’s a la salida del optoacoplador tienen la misma frecuencia. La señal de 5V a la salida de los optoacopladores es invertida en comparación a los 3.3V de entrada, es decir, si en la entrada se tiene un alto a la salida se tendrá un bajo. 78 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 En los optoacopladores se combina un diodo emisor de luz infrarroja ILED y un fototransistor de silicio. La señal de entrada se aplica al ILED y la señal de salida se toma del fototransistor. Los valores típicos de tiempo de encendido ton son de 2 a 5μs, y de tiempo de apagado toff son de 300ns. Los fototransistores requieren una fuente por separado, lo que aumenta la complejidad, el costo y el peso de los circuitos excitadores [6]. 3.2.5. Protecciones del Controlador de Compuertas IR2136 El circuito controlador de compuertas IR2136 cuenta con varias protecciones internas. Cuenta con una función para bloquear simultáneamente las seis salidas en caso de falla. Un estado de falla open-drain indica que ocurrió una falla por sobrecorriente o un cierre por caída de voltaje en la fuente que lo alimenta [21]. Las condiciones de falla de sobrecorriente son limpiadas automáticamente después de un retraso programado vía una red RC conectada en la entrada RCIN que se le implementa al circuito, figura 3.16. El tiempo de eliminación de falla TFLTCLR, es de 2ms [21]. Figura 3.16. Controlador de compuertas con sus diferentes dispositivos auxiliares. 79 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 3 Este controlador dispone de una salida llamada FAULT que indica falla por sobrecorriente o sobretemperatura o que ha ocurrido un paro por un bajo voltaje de la fuente que alimenta a la pastilla [21]. La salida está conectada a un arreglo resistencialed, como se ve en la figura 3.16; el LED se enciende cuando se presenta cualquiera de las fallas antes mencionadas. La entrada analógica ITRIP le indica a la pastilla que se ha presentado una falla de sobrecorriente o sobretemperatura desactivando las salidas PWM que accionan los IGBT’s y activando la señal de falla FAULT. El controlador de compuertas IR2136 requiere capacitores de desacople, así como, un capacitor Cbs (entre Vb y Vs) y un diodo de bootstrap que sirven como fuente para el lado alto de los IGBT’s del módulo inversor, este cálculo se puede ver en el capítulo 2. El capacitor de desacople de Vcc a COM es al menos diez veces mayor que el capacitor de bootstrap Cbs debido a que soporta ambos buffers, la salida del lado bajo y la recarga del capacitor Cbs [24]. 80 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 4 CAPÍTULO 4 DISEÑO DEL CIRCUITO IMPRESO PARA LA INTERFAZ DE POTENCIA En este capítulo se definen las reglas para el diseño del circuito impreso, se dan las principales sugerencias de diseño que recomiendan los fabricantes, se muestra el diagrama eléctrico del sistema completo, los diagramas esquemáticos, los diagramas del circuito impreso por ambas caras con componentes, el circuito impreso físicamente con y sin componentes y el impreso montado al sistema. 4.1. Diseño del Circuito Impreso Asistido por Computadora En el diseño del circuito impreso intervienen factores como, dispositivos a emplear, dimensiones de éstos, conocimiento de la herramienta, software, para el diseño de diagramas esquemáticos e impresos, reglas y normas básicas de diseño. Se consultan hojas de datos, notas de aplicación y sugerencias de diseño de cada fabricante de los dispositivos. Un circuito impreso está constituido por una placa aislante, y una o varias capas de conductores planos metalizados cuyo objeto es realizar las conexiones eléctricas entre el conjunto de los componentes electrónicos dispuestos en su superficie, figura 4.1 [42]. 81 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Figura 4.1. Circuito Impreso en una placa aislante de fibra de vidrio. El término normalizado que designa a este componente es placa impresa, pero comúnmente se emplea circuito impreso. Igualmente, en inglés el término "Printed Circuit Board" es de uso común, mientras que "printed circuit" se emplea prácticamente solo para referirse a la técnica de la fabricación de una placa impresa. Sobre la placa se dibujan "trazos" e "islas" de cobre las cuales forman el trazado de dicho circuito [43]. Cada trazo o línea se denomina "pista", la cual puede ser vista como un cable que une dos o más puntos del circuito. Cada círculo o cuadrado con un orificio central donde el terminal de un componente será insertado y soldado se denomina "isla" o "pad" [43]. Además de pistas e islas sobre un circuito impreso se pueden escribir leyendas o hacer dibujos. Esto es útil, por ejemplo, para señalar que terminal es positivo, hacia donde se inserta un determinado componente o incluso como marca de referencia del fabricante [43]. Los términos técnicos empleados en este capítulo están definidos en el glosario de este trabajo. 82 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.2. Clasificación de Circuitos Impresos Existen varios tipos de circuitos impresos, de simple capa, también llamado de una sola cara, de doble cara, multicapa, flexible, rígido, flexo-rígido, de orificios metalizados, etc. [42]. Otras clasificaciones de un circuito impreso son: 1. De acuerdo al tipo de placa [44]: • Protoboard • De matriz de puntos • Placa de circuito impreso 2. Dependiendo del material de la placa [44]: • Baquelita • Fibra de vidrio • Teflón 3. Desde el punto de vista del montaje se pueden clasificar en [45]: • Mixtos, que contienen componentes de montaje superficial (SMD) y de montaje insertable. • Que solo contienen componentes SMD. • Que solo contienen componentes insertables. La más utilizada es el tipo fibra de vidrio, por su calidad y economía. La baquelita está descontinuada, puesto que es más frágil que las otras y de peor calidad. Las placas de teflón son realmente buenas, pero también muy caras. Son de resistencia mecánica alta, y lo mejor de todo, no tienen esa tendencia a absorber la humedad que tienen los otros tipos (higroscopia) y que, dada las distancias tan cortas entre pista y pista, puede ocasionar algún problema de conductividad indeseable [44]. En este trabajo se emplea un circuito impreso con placa de fibra de vidrio con componentes insertables a dos caras. 83 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.3. Reglas a Considerar en el Diseño de un Circuito Impreso A continuación se enlistan algunas reglas a considerar que recomiendan los fabricantes y diseñadores de circuitos impresos [46, 47]: 1. Cuando más cortas sean las pistas y más simple la distribución de componentes, mejor resultará el diseño. 2. No se realizaran pistas con ángulos de 90°, cuando sea preciso efectuar un giro en una pista se hará con dos ángulos de 135°. Si es necesario ejecutar una bifurcación en una pista, se hará suavizando los ángulos, figura 4.2(a). (a) (b) Figura 4.2. Reglas para el diseño de pistas con ángulos de 90° y distancias entre pistas. 3. Entre pistas próximas y entre pistas y puntos de soldadura, se dejará una distancia que dependerá de la tensión eléctrica que se prevea entre ellas; como norma general se dejará una distancia mínima de unos 0.8mm en caso de diseños complejos se podrá disminuir hasta 0.4mm, figura 4.2(b). 4. Los puntos de soldadura consistirán en círculos cuyo diámetro será al menos el doble del ancho de la pista que en él termina. 5. El ancho de las pistas dependerá de la intensidad de corriente que vaya a circular por ellas. Se tendrá en cuenta que 0.8mm puede soportar, dependiendo del espesor de la pista, alrededor de 2A; 2mm unos 5A; y 4.5mm, 84 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 unos 10A. En general, se deben realizar pistas de unos 2mm aproximadamente [46]. Los espesores de las pistas recomendados para cierta cantidad de corriente se muestran en la tabla 4.1 [48]. Tabla 4.1. Espesores de pista recomendados para conducir la corriente que se indica. Espesor de Pista [pulgadas] Corriente [A] 0.010 0.3 0.015 0.4 0.020 0.7 0.025 1.0 0.050 2.0 0.100 4.0 0.150 6.0 6. Entre pistas próximas y entre pistas y puntos de soldadura, se dejará una distancia que dependerá de la tensión eléctrica que se prevea existirá entre ellas; como norma general se dejará una distancia mínima de unos 0.8 mm [46]. 7. La distancia mínima entre pistas y los bordes de la placa será 2 décimas de pulgada, aproximadamente unos 5 mm [46]. 8. Todos los componentes se colocan paralelos a los bordes de la placa [46]. 9. No se pueden colocar pistas entre los bordes de la placa y los puntos de soldadura de terminales de entrada, salida o alimentación [46]. 10. No se pasarán pistas entre dos terminales de componentes activos (transistores, tiristores, etc.) [46]. 11. Se debe prever la sujeción de la placa a un chasis o caja; par ello se dispondrá de un barreno en cada esquina de la placa [46]. 12. Como norma general se debe dejar una o dos décimas de pulgada de patilla entre el cuerpo de los componentes y el punto de soldadura correspondiente [46]. 85 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.4. Puntos Críticos en el Diseño de Circuitos Impresos En todo diseño de circuito impreso hay siempre puntos críticos como, cruzamiento de pistas, pistas largas, capacidad de la corriente en las pistas y componentes fuera de placa. A continuación se dan puntos de vista y solución a estos problemas: 4.4.1. Cruzamiento de Pistas Los cruzamientos que no tengan solución se pueden resolver de otra manera, por ejemplo mediante un puente entre los dos extremos por el lado de los componentes [49]. 4.4.2. Pistas Largas Las pistas muy largas o con excesivas curvas pueden influir negativamente. Pueden afectar al funcionamiento y provocar un colapso en algunos integrados por la resistencia que ofrecen las pistas [49]. Así que, es preferible en vez de colocar una pista única para alimentar diversos integrados colocar una región común. También se puede evitar el colapso con unos capacitores llamados de "desacople". Éstos suelen ser cerámicos de 100nF y se colocan lo más cerca posible a los integrados [49]. 4.4.3. Intensidad de Corriente En los circuitos como fuentes de alimentación, amplificadores y transmisores, existen puntos en que la corriente puede llegar a tener un valor por encima de 1A o 2A, las pistas de cobre en la placa son sumamente finas, pueden romperse al pasar una corriente muy grande, de modo que su capacidad de conducción depende del espesor de la pista y se debe de tomar en cuenta cuando se diseñan [49]. 86 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.4.4. Componentes Fuera de la Placa No todos los componentes se pueden montar dentro de la placa, tales como transformadores y dispositivos de potencia que necesiten de disipadores. Estos se pueden colocar a través de cables [49]. 4.5. Recomendaciones y Sugerencias de Diseño en el Accionamiento de IGBTs 4.5.1. Distancia de los Voltajes del Lado Alto y Bajo en el Controlador de Compuertas Para minimizar el acoplamiento de ruido entre las señales referenciadas a tierra y las flotadas, se recomienda colocar los componentes ligados al voltaje flotado en el lado alto del dispositivo (en VB, VS), mientras que los referenciados en el lado bajo [26]. 4.5.2. Plano de Tierra El plano de tierra no debe ser colocado bajo o cerca del lado flotado de voltaje para minimizar acoplamiento de ruido [26]. 4.5.3. Lazos del Accionamiento de Compuertas Los lazos de corriente se comportan como una antena y pueden recibir y transmitir ruido. Para reducir este ruido y mejorar el desempeño de encendido y apagado de los dispositivos de potencia, los lazos del accionamiento de compuerta deben ser reducido tanto como sea posible. La figura 4.3 muestra los lazos de compuerta del lado bajo y alto. Sin embargo, la corriente puede ser inyectada por la capacitancia parásita colector-compuerta del IGBT. La autoinductancia parásita del lazo de compuerta contribuye a desarrollar un voltaje en compuerta-emisor aumentando la posibilidad del efecto de autoencendido. Por esta razón se recomienda poner las resistencias de "gate" como se ve en la figura y minimizar el área del lazo [26]. 87 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Figura 4.3. Lazo del accionamiento de compuertas en aplicaciones con IGBTs. 4.5.4. Capacitores de suministro del controlador de compuertas Los capacitores de suministro deben colocarse tan cerca como sea posible de los pines del dispositivo VCC y VSS para la fuente referenciada a tierra, VB y VS para la fuente flotada, para minimizar inductancias y resistencias parásitas [26]. 4.6. Factores que Influyen en el Precio de un Circuito Impreso Para minimizar el precio de un circuito impreso se deben considerar los factores siguientes [50]: • Tamaño • Número de caras • Cantidad de perforaciones • Cantidad de Medidas de brocas • Espesor mínimo de las pistas Por tanto, es importante que la distribución de componentes tenga la ubicación más conveniente y que la cantidad de perforaciones y el número de brocas a emplear sean minimizados. 88 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 4.7. Medios Necesarios Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 para Realizar el Diseño de un Circuito Impreso por Software 1. Primeramente se debe tener la información técnica de cada componente, así como, los voltajes de alimentación y corrientes que circularán en el impreso. 2. Se debe disponer de un software para diseño de circuitos impresos (Tango, Eagle de Cadsoft, Protel, etc.) [46]. 3. Se debe dibujar un esquema eléctrico. Éste consiste en una representación de símbolos normalizados unidos por líneas que representan las conexiones. A lado de cada componente se debe reflejar la denominación de referencia y opcionalmente, el valor del componente [46]. Siempre se debe tener a la mano los componentes electrónicos a montar sobre el circuito y/o las hojas de datos para poder ver el espacio físico que requieren, así como, la distancia entre cada una de sus terminales [43]. 4. Después de terminar el esquema eléctrico se diseña el PCB. En este paso se conectan todos los dispositivos por medio de pistas. Se verifican las dimensiones de cada dispositivo, es decir, que coincidan las dimensiones dibujadas con las dimensiones físicas y se verifican las reglas de diseño. 5. Por ultimo, se generan los archivos "Gerber". Éste es el estándar más confiable para transferir la información necesaria y precisa para fabricar un PCB. Son archivos en formato ASCII con coordenadas e instrucciones muy simples, concebidas para manejar máquinas de manufactura asistida por computadora (CAM), este archivo contiene toda la información para las capas de cobre, serigrafía y máscara antisoldante. Con los años este formato se ha convertido en un estándar en la industria electrónica mundial [51]. Los archivos "gerber" se generan debido a que una empresa de servicios que fabrica PCBs para varias empresas no es capaz de manejar eficientemente la enorme cantidad de formatos provenientes de las distintas herramientas CAD para diseñar PCBs. Sin embargo, todo software de diseño de PCBs, antiguo o moderno, es capaz de 89 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 generar archivos "gerber" [51]. Intentar realizar el pos-procesamiento a partir de archivos propios del software de diseño, típicamente con extensión ".pcb", resulta a menudo riesgoso y enfrenta con una serie de imprecisiones que obliga a asumir suposiciones a las empresas de servicios de PCB. En la fabricación de PCBs de calidad no se admiten suposiciones [51]. 4.8. Información que se Requiere para la Fabricación de Circuitos Impresos Para la fabricación de circuitos impresos es necesario especificar detalladamente la mayor información posible, como por ejemplo: • Material utilizado • Dimensiones del PCB (largo x ancho) • Número de caras o capas • Diámetros de barrenos • Espesor mínimo de pistas • Separación mínima entre pistas • Cantidad de PCBs a producir • Archivos Gerber 4.9. Montaje de los componentes en un Circuito Impreso Hay una regla básica que siempre se recomienda seguir. Montar primero los componentes de menor espesor, comenzando si los hay por los puentes de alambre. Luego le siguen los diodos, resistencias, pequeños capacitores, transistores, pines de conexión y bases de circuitos integrados. Cuando se está en la etapa de desarrollo, es bien visto montar bases para los circuitos integrados, debido a que cuando sea necesario reemplazarlos, no se requerirá usar un cautín. Además, el desoldar y soldar una plaqueta hace que la pista vaya perdiendo adherencia al plástico y al cabo de varias reparaciones el "pad" sede al igual que las pistas que de él salen [43]. 90 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.10. Diagramas Eléctricos del Sistema a Montar en el Circuito Impreso En el diseño de la interfaz de potencia de este trabajo, primeramente se hizo el diagrama eléctrico del sistema a montar en el circuito impreso, figura 4.4 y 4.5. En ellos se muestran los arreglos, las capacidades, los voltajes de alimentación de cada esquema y las conexiones eléctricas de cada uno de los dispositivos. Figura 4.4. Diagrama eléctrico del sistema a montar en el circuito impreso. Los diagramas de las fuentes de alimentación que van montadas en el circuito impreso, excepto los transformadores, para los diferentes integrados, tales como, controlador de compuertas, sensores de corriente, optoacopladores, transistor PNP de la protección de sobrecorriente y una fuente para propósitos generales se pueden ver en la figura 4.5. 91 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Figura 4.5. Diagrama eléctrico de las fuentes de alimentación montadas en el impreso. Estas fuentes de alimentación están constituidas por diferentes elementos dependiendo que salida de voltaje se requiera. En las fuentes de 5V se tiene un transformador de 9V, un puente rectificador monofásico, un capacitor de 470 μF para el filtrado a la salida del rectificador, un regulador de voltaje L7805, un capacitor de desacople de 0.1 μF y un arreglo resistencia-led para indicar cuando la fuente está energizada. Para las fuentes de 15V se tienen los mismos arreglos pero cambian los valores de los dispositivos como se ve en la figura 4.5. 92 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.11. Diagramas Esquemáticos del Sistema El software utilizado para el diseño del circuito impreso es el Protel 99se. En este programa primeramente se diseña el diagrama esquemático. Se puede hacer en una o en varias hojas dependiendo la cantidad de dispositivos que se tenga. Las hojas de diseño de esquemáticos tienen extensión ".sch". En este trabajo se realizaron tres hojas de diseño debido a la cantidad de componentes que se tiene, figura 4.6, 4.7, y 4.8. REG1 V+ 2 1 7815 IN OUT GND C1 LED1 LED 0.1uF JP2 JUMPER 3 2 1000uF 3 C6 1 REG- V- REG2 V+ 2 1 OUT 3 GND 2 1000uF 3 LED2 LED C7 C2 1 R2 1K 7815 IN AC 4 SENSOR+15V AC U2 Bridge1 2 VAC 4 1 1 REG+15V R1 1k AC U1 Bridge1 2 JP1 JUMPER 0.1uF JP3 JUMPER SENSOR- 2 1 IN OUT LED3 LED C8 2 C3 470uF 0.1uF JP4 JUMPER 1 TRANS - V- REG4 V+ 2 1 7815 IN OUT 1 1K 3 GND AC 4 Vcc+15V R4 AC U4 Bridge1 2 1000uF 3 LED4 LED C9 C4 0.1uF JP5 JUMPER Vss R5 V+ 2 1 7805 IN OUT 330 ohms 3 GND C10 C5 3 REG5 470uF LED5 LED 2 VAC 4 1 1 +5V AC U5 Bridge1 2 1 3 GND 2 V+ 330 ohms 7805 2 V- REG3 AC 4 TRANS +5V R3 AC U3 Bridge1 3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 CON1 0.1uF OPTO- Figura 4.6. Diagrama esquemático de las fuentes de alimentación montadas en el circuito impreso. En la figura 4.6, se muestran las fuentes de 15V para la alimentación del controlador de compuertas IR2136 y los sensores de corriente IR2175, las fuentes de 5V para los optoacopladores y el transistor PNP de la protección de sobrecorriente y una fuente para propósitos generales. En total se tienen cinco fuentes. 93 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 En la figura 4.7, se muestra el diagrama esquemático de los sensores de corriente. Las puntas de línea con leyendas rojas son conexiones que van a otros puntos con el mismo nombre, ya sea en la misma hoja, o en otras hojas de esquemáticos que están dentro del mismo proyecto, es decir, todas las leyendas con el mismo nombre tienen el mismo punto de conexión. Esto permite hacer conexiones sin la herramienta "PlaceWire" de Protel, y aunque los dispositivos no estén conectados por medio de una línea, se reconocen como una conexión cuando se exportan a la hoja de "pcb". J1 S3 S2 S4 S1 4 3 2 1 D2 PUENTE3 CON4 U6 1 2 3 4 SENSOR+15V S1 SENSOR- 1 2 3 4 8 7 6 5 8 7 6 5 IR2175 R6 TRANS +5V 10K PUENTE1 TRANS1 PNP 1 2 3 4 S2 R7 10K ITRIP 1 2 3 4 TRANS - PUENTE2 8 7 6 5 8 7 6 5 1 2 3 4 0 ohms 1 2 3 4 8 7 6 5 8 7 6 5 IR2175 1uF C12 18 ohm 1 2 3 4 1 2 3 4 IR2175 R3+ R10 D5 NTE575 1uF C13 18 ohm R2+ R11 D7 NTE575 R1- D8 U9 S4 SH- 0 ohms R2- U8 S3 PUENTE4 D3 NTE575 D6 R8 10K SH+ 0 ohms R3- IR2175 D1 10BF20 R9 D4 U7 0 ohms 1uF C11 18 ohm 8 7 6 5 8 7 6 5 1uF C14 18 ohm R1+ R12 D9 NTE575 COM Figura 4.7. Diagrama esquemático de los sensores de corriente IR2175, hecho en Protel. En la figura 4.8, se muestra el controlador de compuertas IR2136 con todos sus componentes auxiliares, el inversor, que se representa con un rectángulo llamado "INVER1", la protección de sobrevoltaje en la conmutación o redes de snubber, el esquema de protección de sobretemperatura y el esquema de optoacopladores. Se puede ver que en los diagramas esquemáticos los dispositivos se pueden representar 94 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 de forma diferente a la forma física de éstos; lo que realmente importa es la información contenida en las propiedades de la representación de cada dispositivo, como los “footprints” y las conexiones. DCIN PUENTE8 Vss SH+ 3 SH- 2 D23 R36 1K ITRIP Vss OPTO- +5V Vcc +15V 0 ohms C31 C15 OPTO1 R14 330 ohms 150pF C16 1 2 3 4 8 7 6 5 R37 1K R13 0.1uF 2.2K C21 PUENTE5 R24 0 ohms 2.2K R38 1K PUENTE7 D10 D11 D12 U10 1 330 ohms 2 C22 C17 OPTO2 330 ohms 150pF C18 1 2 3 4 R16 8 2.2k R18 2.2k 7 6 5 R25 1K 4 5 LED6 LED 330 ohms OPTO3 330 ohms 150pF C20 R26 2M C23 C19 R21 1 2 3 4 R20 8 2.2k R22 2.2k 7 6 5 C29 6 7 C24 8 0.1uF 15uF 1000uF 9 +5V 10 R23 330 ohms 3 0.1uF R19 150pF PUENTE6 C25 11 1 nF 12 0 ohms R27 15k POTEN1 24 R2- 29 R2+ 30 R1- 35 R1+ 36 R3R3+ 0.01uF 13 39k R28 330 ohms 14 VCC VB1 HIN1 HO1 HIN2 VS1 LIN1 VB2 LIN2 HO2 LIN3 VS2 ITRIP VB3 EN HO3 RCIN G1 270.47uF VS3 COM LO1 LO3 LO2 E1 D14 10BF20 37 G2 32 24 E2 23 0.47uF R1R1+ G1 G3 C28 0.47uF 26 E3 19 22 ohms R31 25 G4 D16 10BF20 4 E4 16 5 G5 22 ohms R32 D17 D18 D19 D20 10BF20 NTE575 6 E5 7 IR2136 G6 22 ohms R33 D21 10BF20 10 E6 11 TH- 9 22 ohms R34 TH+ 8 COM 1 20 G2 E2 G3 E3 G4 C E4 G5 E5 G6 E6 THTH+ DCDC+ 19 D26 R39 1K A E1 D15 10BF20 18 15 R2+ B 22 20 31 22 ohms R30 C27 17 VSS 38 22 ohms R29 C26 26 21 FAULT C33 28 25 HIN3 0.01uF D13 10BF20 R2- D24 C32 NTE575 R17 R3+ SH- D25 0 ohms R15 150pF 23 0.01uF COM 150pF R3- SH+ C34 0.01uF D27 R40 C35 0.01uF 1K D28 R41 C36 INVER1 BUS 0.01uF 1K Figura 4.8. Diagrama esquemático de optoacopladores, controlador de compuertas y módulo inversor. Una vez que se tienen los diagramas esquemáticos, toda la información se exporta a una hoja del programa con extensión ".pcb". En esta hoja se tienen las perforaciones, la serigrafía y las formas y dimensiones físicas de todos los componentes; éstos se distribuyen de la forma más conveniente sin violar las reglas de diseño y se hacen todas las conexiones a través de pistas. 4.12. Circuito Impreso del Sistema El circuito impreso de la interfaz de potencia se diseñó por ambas caras debido a la complejidad del mismo. La ubicación de componentes y la conexión de pistas se hizo siguiendo las reglas recomendadas. Los diagramas PCB del circuito impreso se muestran por capas, figuras 4.9 y 4.10 y multicapas, figura 4.11. 95 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 4.12.1. Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Diagrama PCB por Arriba En la figura 4.9 se muestra el diagrama del circuito impreso por arriba. Se puede ver que la mayoría de las pistas están impresas en forma vertical. Esto debido a que se recomienda que las pistas en una cara sean de forma vertical u horizontal para evitar en lo posible un mayor cruzamiento de pistas y por tanto un mayor número de puentes que solucionen este problema. Figura 4.9. Diagrama de circuito impreso con las formas de los componentes por ambas caras y pistas por arriba. 96 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.12.2. Diagrama PCB por Abajo En la figura 4.10 se muestra el diagrama del circuito impreso por abajo. En este diagrama se puede ver que al contrario que el de la figura 4.9 la mayoría de las pistas están impresas en forma horizontal para evitar cruzamientos de ellas en una misma cara. Figura 4.10. Diagrama de circuito impreso con las formas de los componentes por ambas caras y pistas por abajo. 97 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.12.3. Diagrama PCB por Ambas Caras En la figura 4.10, se muestra el diseño en multicapas con todos los componentes y pistas por arriba y por abajo. Se puede ver que los nodos positivos de las fuentes y los nodos y pistas de referencia a tierra son de mayor espesor, esto se recomienda debido a que las corrientes principales de alimentación son mayores que en resto del circuito y en condiciones de falla la corriente circulará por ellos. Las salidas trifásicas del inversor L1, L2 y L3 también se diseñaron más gruesas que la mayoría de las pistas debido a que por ellas circulará la corriente de la carga. Figura 4.11. Diagrama de circuito impreso con las formas de los componentes y pistas por ambas caras. 98 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.12.4. Placa del Circuito Impreso Visto por Arriba sin Componentes Una vez que se diseñó el circuito impreso y se revisó se mando fabricar la placa. En este trabajo se emplea una placa de circuito impreso de material FR-4 con componentes insertables a dos caras, como se puede ver en las figuras 4.12 y 4.13. El FR-4 es el material dieléctrico más comúnmente usado en la construcción de PCBs y es la clasificación NEMA para una placa industrial retardante de flama con un substrato de fibra de vidrio y cubierta de resina. Figura 4.12. Placa del circuito impreso con las formas de los componentes y pistas por arriba. 99 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.12.5. Placa del Circuito Impreso Visto por Abajo sin Componentes El circuito impreso por abajo se muestra en la figura 4.13. En esta figura se puede ver que el único componente que va por abajo es el módulo de potencia inversor. Se diseño de esta manera debido a que el módulo inversor debe ir sujetado a un disipador de calor, por tanto se dejan las dos perforaciones necesarias para atornillar el módulo al disipador. También, se previó la sujeción de la placa dejando perforaciones de 5mm en cada esquina. Figura 4.13. Placa del circuito impreso con las formas de los componentes y pistas por abajo. 100 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 4.13. Tarjeta Terminada con Todos sus Componentes Montados Los componentes de la tarjeta se montaron de acuerdo a lo recomendado en la sección de montaje de componentes, es decir, se empezó montando los de menor espesor y así sucesivamente hasta llegar a los de mayor espesor. Para los circuitos integrados se montaron bases o zócalos. Para el funcionamiento normal de las fuentes se montaron leds indicadores de color verde. Para falla del sistema se monto un led de falla de color rojo que es activado por el controlador de compuertas, ver fallas que pueden bloquear el sistema en el capítulo 3. En la figura 4.14 se muestra la tarjeta de la interfaz de potencia, con todos sus componentes colocados. Optoacopladores Fuentes de 15 y 5V Controlador IR2136 Capacitores de Bootstrap Conector par las tres fases Conector Fuente CD Capacitor de Desacople Conector para los transformadores Redes de Snubber Sensores IR2175 Figura 4.14. Tarjeta de la interfaz de potencia con todos sus componentes 101 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO CAPÍTULO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 5 PRUEBAS Y RESULTADOS En este capítulo se realizan las pruebas a cada uno de los módulos que conforma la interfaz de potencia y se presentan los resultados obtenidos. Las pruebas se hicieron a la salida del Microcontrolador DSP, Optoacopladores, Controlador de Compuertas e Inversor de Potencia. Se verifica, que las señales de control a la salida de cada dispositivo sean complementarias, los tiempos muertos entre ellas, la frecuencia de operación de las señales de control, la frecuencia fundamental a la salida del inversor y la comparación de los métodos de control utilizados. Finalmente, se muestran los resultados de las pruebas al sistema completo con cargas resistivas e inductivas. 5.1. Pruebas y Resultados en las Salidas del Microcontrolador DSP La generación de las señales de control de control PWMs, se lleva acabo en la Tarjeta de Desarrollo 56F8300DEMO de la figura 5.1, descrita en el capítulo 2. En esta tarjeta se carga el programa de control desde la PC. El programa empleado en este trabajo se encuentra en el apéndice B. Éste fue desarrollado en [34]; la programación se hace en lenguaje C++ utilizando el compilador de "Code Warrior" de "Metrowerks". En este compilador la configuración de los periféricos del microcontrolador se hace con una herramienta del "Code Warrior" llamada "Processor Expert" donde se encuentran las subrutinas o cápsulas básicas (bean) para dicha configuración. Para más detalle de la realización del programa diríjase a [34]. La generación de las señales PWMs se hace de acuerdo al algoritmo de control que se haya programado. Este programa cuenta con dos técnicas de control, como son, PWM Sinusoidal (SPWM) y PWM Sinusoidal más Tercera Armónica (THSPWM). En el microcontrolador DSP se generan seis señales de control, dos para cada fase. Estas dos señales deben ser complementarias debido a que alimentan a los dos 102 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 IGBTs de una de las tres piernas del inversor. Los IGBT's de cada pierna del inversor no deben conducir simultáneamente, esto provoca un cortocircuito en el inversor. Las señales de control se direccionan al módulo de pines PWMs que se muestra en la figura 5.1. Estas señales se mandan a los optoacopladores por medio de un cable plano. Módulo de PWMs Figura 5.1. Tarjeta de desarrollo 56F8300DEMO de Freescale Semiconductor. A continuación se muestran los resultados obtenidos en los pines de salida después de cargar el programa en la tarjeta con una técnica de control THSPWM. Como primera prueba, se revisó que las seis señales de control en los pines de salida de la tarjeta fueran complementarias, figura 5.2, esto quiere decir que cuando el IGBT de arriba de una misma pierna esté conduciendo el de abajo no lo estará y viceversa. La prueba se realizo con diferente tiempo por división a cada pierna para ver las señales a diferentes escalas. La frecuencia de las señales PWM se programó a 16kHz. En esta prueba se pudo comprobar dicha frecuencia programada y se puede ver en la figura 5.2. 103 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 En la figura 5.2, se puede ver que en la pantalla del osciloscopio se tienen 5V por división y que las señales de control en los pines de salida del microcontrolador son de 3.3V. Este voltaje es el que se esperaba ya que el microcontrolador da un voltaje de salida de 3.3V. Complementarias Complementarias Frecuencia 16kHz Frecuencia 16kHz (a) (b) Complementarias Frecuencia 16kHz (c) Figura 5.2. Señales de control en los pines de salida de la tarjeta de desarrollo. Con esta prueba se pudo verificar que las señales de control y la frecuencia programada fueran las adecuadas para el accionamiento de las compuertas de los IGBTs del módulo inversor. En todos los resultados mostrados en este capítulo en el eje "horizontal" se tiene el tiempo y en el eje "vertical" el voltaje. 104 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 5.2. Pruebas y Resultados en las Salidas de los Optoacopladores A la salida de los optoacopladores se realizaron las pruebas siguientes: • Pruebas de Señales Complementarias • Pruebas de Frecuencias y Voltajes • Pruebas de Tiempos Muertos • Comparación de los Métodos de Control SPWM y THSPWM Para realizar estas pruebas se montó en el circuito impreso los optoacopladores y sus dispositivos auxiliares, tales como, resistencias, capacitores y fuente de alimentación del circuito de la figura 5.3. + 5V - 150pF 150pF 1 2 3 4 0.1uF 2.2kΩ OPTO1 330Ω 2.2kΩ 8 7 6 5 IR2136 330Ω 150pF 2.2kΩ OPTO2 Seis entradas PWM del DSP 330Ω 150pF 1 2 3 4 2.2kΩ 0.1uF 8 7 6 5 IR2136 330Ω Referencia (GND) del DSP 150pF 2.2kΩ OPTO3 330Ω 150pF 1 2 3 4 8 7 6 5 2.2kΩ 0.1uF IR2136 Vss 330Ω Figura 5.3. Diagrama eléctrico de los optoacopladores. El montaje de los elementos de la figura 5.3, se puede ver físicamente en la figura 5.4. Las seis señales PWM que vienen del microcontrolador están referenciadas a la tierra del mismo. Estas señales entran a los optoacopladores y se elevan a 5V a la salida de éstos. Las seis señales de salida se envían al controlador de compuertas IR2136. 105 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Fuente de 5V que alimenta optoacopladores Referencia a tierra de la fuente de 5V Seis señales PWMs de entrada vienen del DSP Salidas de los optoacopladores donde se hicieron las pruebas Figura 5.4. Montaje en el circuito impreso de los optoacopladores y sus dispositivos auxiliares. 5.2.1. Pruebas de Señales Complementarias a la Salida de los Optoacopladores La prueba de las señales complementarias a la salida de los optoacopladores se realizó con el fin de verificar que las señales enviadas del microcontrolador no hayan sufrido algún cambio por conexiones erróneas de los pines del microcontrolador a los pines de la tarjeta, es decir, que cada señal que se vaya a enviar al controlador de compuertas vaya con su respectivo complemento a los pines correspondiente de éste. Las señales para los IGBT's de arriba a la entrada del controlador de compuertas IR2136 deben ir a los pines HIN1,2,3 y para los IGBT's de abajo a los pines LIN1,2,3 respectivamente. Las señales y sus complementos para cada pierna del inversor se pueden ver en las figuras 5.5(a), (b) y (c). Estas señales son enviadas al controlador de compuertas el cual las eleva a 15V que es finalmente el voltaje de alimentación de las compuertas de los IGBT's del inversor. 106 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Complementarias Complementarias (a) (b) Complementarias (c) Figura 5.5. Señales de control complementarias en los pines de salida de los optoacopladores. Con esta prueba se pudo verificar que las señales de control y sus complementos fueran las adecuadas para cada pierna del inversor teniendo así la plena seguridad de que al alimentarlo no ocurriría un cortocircuito por señales de control no complementarias. También, se pudo verificar que las referencias a tierra de cada grupo de señal fueran las adecuadas y que además estuvieran aisladas, es decir, la referencia de las señales que vienen del microcontrolador estuvieran totalmente aisladas de la referencia de la fuente de 5V que alimenta a los optoacopladores. 107 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 5.2.2. Pruebas de Frecuencias y Voltajes a la Salida de los Optoacopladores La prueba de frecuencias y voltajes se puede ver en figura 5.6. En esta prueba se midió la frecuencia a cada pierna del inversor y se pudo comprobar que esta frecuencia era de 16kHz como se había programado desde el microcontrolador. Esta prueba se hizo con la finalidad de comprobar que los optoacopladores y sus arreglos no afectan la frecuencia de conmutación. Se pudo comprobar que los voltajes de alimentación de cada pierna eran de 5V como se ve en la figura 5.6. Los volts por división del osciloscopio están en cinco y con una escala de 1:1 por tanto cada división equivale a 5V en el eje vertical de la pantalla. Frecuencia Frecuencia (a) (b) Frecuencia (c) Figura 5.6. Señales de control complementarias en los pines de salida de los optoacopladores. 108 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 5.2.3. Pruebas de Tiempos Muertos a la Salida de los Optoacopladores En la salida de los optoacopladores se realizaron pruebas de tiempo muerto a las señales complementarias, con el fin de asegurar la conmutación adecuada entre cada IGBT de cada pierna del inversor, es decir, que cuando un IGBT de la misma rama salga de conducción debe dar un tiempo para que el otro IGBT entre en conducción. A este tiempo se le conoce como tiempo muerto y durante este intervalo ninguno de los dos IGBT's de la misma rama debe conducir, de lo contrario el inversor estará en cortocircuito ocasionando el daño del mismo e incluso de otros dispositivos del impreso. Frecuencia (a) Tiempo muerto 3μs (b) Figura 5.7. Señales de control complementarias a la salida de los optoacopladores: (a) Señales para una pierna del inversor, (b) Tiempo muerto entre ellas de 3μs. La programación del tiempo muerto se realiza por software. Se hicieron pruebas con 3, 2, 1.5, y 1μs. La figura 5.7(a) muestra las señales de control a la salida de los optoacopladores para una pierna del inversor. En la figura 5.7(b) se muestran las mismas señales pero haciendo un acercamiento en uno de los extremos. Se puede constatar el tiempo muerto programado desde el microcontrolador midiendo el ciclo de la señal con el osciloscopio, en este caso de 3μs, figura 5.7(b). Debido a que las salidas de los optoacopladores son negadas parece que en un periodo de tiempo las dos señales están activadas pero no es así, pues cuando una de 109 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 las señales está abajo el IGBT está en estado de conducción y cuando está arriba el IGBT está en no conducción, por tanto, las señales son correctas si se analizan desde este punto de vista. La figura 5.8(a) muestra una señal con frecuencia de 16kHz a la salida de los optoacopladores con un tiempo muerto programado de 2μs. Se hizo un acercamiento en cada uno de los extremos para verificar este tiempo y se muestra en las figuras 5.8(b) y (c). Frecuencia (a) Tiempo muerto 2μs (b) Tiempo muerto 2μs (c) Figura 5.8. Señales de control complementarias a la salida de los optoacopladores: (a) Señales para una pierna del inversor, (b) Tiempo muerto entre ellas de 2μs en el extremo izquierdo, (c) Tiempo muerto entre ellas de 2μs en el extremo derecho. 110 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Se hicieron pruebas a la misma señal de 16kHz cambiando el tiempo muerto de 1.5μs, 1.0μs, 0.7μs, figuras 5.9 y 5.10 y se pudo comprobar que el tiempo muerto programado desde el microcontrolador es el mismo que el medido con el osciloscopio. Frecuencia (a) Tiempo muerto 1.5μs (b) Figura 5.9. Señales de control complementarias a la salida de los optoacopladores: (a) Señales para una pierna del inversor, (b) Tiempo muerto entre ellas de 1.5μs. Las pruebas con diferentes tiempos muertos se realizaron hasta llegar a 0.7μs debido a que este es el tiempo muerto que se va a programar para que a la salida del controlador se tenga un total de tiempo muerto de 1.0μs. Tiempo muerto 1μs (a) Tiempo muerto 0.7μs (b) Figura 5.10. Señales de control complementarias a la salida de los optoacopladores con un tiempo muerto entre ellas de 1.0μs 0.7μs. 111 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 El controlador de compuertas IR2136 introduce un tiempo muerto de 0.3μs a las señales enviadas por los optoacopladores, es decir, si se programa un tiempo muerto de 1μs en el microcontrolador, a la salida del controlador de compuertas se tendrá un tiempo muerto total de 1.3μs. En este trabajo se tienen dos opciones de introducir tiempos muertos a las señales de control, una fija y otra variable, por hardware y por software respectivamente. Por tanto, es importante tener siempre presente el tiempo muerto fijo que da el controlador de compuertas IR2136. 5.2.4. Comparación de los Métodos de Control PWM Sinusoidal y Sinusoidal más Tercera Armónica La comparación de los métodos de control SPWM y THSPWM se realizó con el objetivo de verificar cual de los dos métodos tiene una mejor utilización de la fuente de CD. Las figuras 5.11(a) y (b) muestran los ciclos de trabajo trifásico sinusoidal y sinusoidal más tercera armónica con amplitud del 100%. Figura 5.11. Ciclos de trabajo trifásicos con amplitud del 100%: (a) sinusoidal y (b) sinusoidal más tercera armónica. Se pudo comprobar que el método THSPWM tiene un mejor aprovechamiento de la fuente de CD, debido a que la inyección de la tercera armónica da como consecuencia 112 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 una deformación de la onda sinusoidal. Como se puede ver en la figura 5.12 la diferencia entre los dos métodos está en las crestas y en los extremos de cada onda. La cresta del método THSPWM disminuye, pero aumenta el voltaje en los extremos con respecto a la onda sinusoidal. Esta deformación es conveniente para esta aplicación debido a que aumenta el voltaje promedio de salida y como consecuencia provoca una modulación diferente como se ve en la figura 5.13. Figura 5.12. Formas de ondas sinusoidales trifásicas con inyección de tercer armónica, con 100% de amplitud. En la figura 5.13(a) se puede ver una señal modulada en la que hay menos voltaje promedio aplicado que en la figura 5.13(b). La figura 5.13(b) presenta el voltaje aplicado en instantes de tiempo más prolongados, lo que origina que la amplitud de la fundamental en el control THSPWM sea mayor con respecto al control SPWM, por tanto, se aprovecha mejor el voltaje de la fuente de CD utilizando un método de control THSPWM. 113 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 (a) (b) Figura 5.13. Señales PWM con 100% de amplitud: (a) método de control SPWM (b) método de control THSPWM. 5.3. Pruebas y Resultados en las salidas del Controlador de Compuertas A la salida del controlador de compuertas IR2136 se realizaron las pruebas siguientes: 114 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 • Pruebas de Señales Complementarias, Voltajes y Frecuencia • Pruebas de Tiempos Muertos • Señales PWM que Forman el Voltaje Sinusoidal de cada Fase a la Salida del IR2136 Para realizar estas pruebas se agregó al esquema de optoacopladores de la sección anterior el controlador de compuertas y sus circuitos auxiliares de la figura 5.14. Figura 5.14. Controlador de compuertas IR2136 con sus circuitos auxiliares. El montaje de los elementos de la figura 5.14, se puede ver físicamente en la figura 5.15. Las seis señales PWM de 5V que vienen de los optoacopladores son PWM0,1,2,3,4,5. Se debe tener cuidado con las señales complementarias, por ejemplo el complemento de la señal PWM0 es PWM1, por tanto, PWM0 debe ser enviada a HIN1 y PWM1 debe ser enviada a LIN1 , como se ve en la figura 5.14. 115 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica Controlador de Compuertas IR2136 CAPÍTULO 5 Diodos de la red de Bootstrap Capacitores de Bootstrap Seis señales que van a las compuertas de los IGBT's Led de falla Salidas donde se hicieron las pruebas Resistencias p/protección de sobretemperatura Figura 5.15. Montaje en el circuito impreso del controlador de compuertas IR2136 con sus circuitos auxiliares. 5.3.1. Pruebas de Señales Complementarias, Voltaje y Frecuencia a la Salida del IR2136 La primera prueba en el controlador de compuertas se realizó conectando el osciloscopio en las salidas de éste. Se pudo verificar que las señales que se manda a cada IGBT de cada pierna del inversor fueran complementarias de 15V, a una frecuencia de 16kHz, como se puede ver en la figura 5.16(a). Se realizaron las mismas pruebas para cada pierna del inversor dando resultados similares, donde se pudo verificar el voltaje de 15V, la frecuencia 16kHz y el complemento entre ambas, por tal razón, solo se muestran dos señales complementarias, figura 5.16(a). Las divisiones del osciloscopio que se pueden ver en la figura 5.16, son de 5V en el eje vertical, con una escala de 1:1, de donde se puede deducir que la señal es de 15V. 116 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 5V/Div Frecuencia Figura 5.16. Señales complementarias de 15V a la salida del controlador de compuertas. 5.3.2. Pruebas de de Tiempos Muertos a la Salida del IR2136 Una de las pruebas de tiempo muerto se puede ver en la figura 5.17. Se muestra un acercamiento de la figura 5.16. Se programó desde el microcontrolador un tiempo muerto de 1.5μs. Con esta prueba se pudo comprobar que el controlador de compuertas introduce un tiempo muerto de 0.3μs aproximadamente, por lo que a la salida del controlador se tiene un tiempo muerto total de 1.8μs. Tiempo muerto 1.8μs Figura 5.17. Medición de tiempo muerto de señales complementarias de 15V a la salida del controlador de compuertas. 117 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Se realizó Maestría en Ingeniería Eléctrica otra prueba con un tiempo muerto CAPÍTULO 5 programado desde el microcontrolador de 2.5μs y a la salida del controlador se tiene 2.8μs, como se ve en la figura 5.18. Con estas pruebas quedó comprobado que el tiempo muerto se puede trabajar desde 0.3μs hasta el tiempo que mejor convenga para la aplicación. Tiempo muerto 2.8μs Figura 5.18. Medición de tiempo muerto de señales complementarias de 15V a la salida del controlador de compuertas. 5.3.3. Señales PWM que Forman el Voltaje Sinusoidal de cada Fase a la Salida del IR2136 Las señales PWM que forman el voltaje sinusoidal de cada fase se pudo ver a la salida del controlador de compuertas aumentado el tiempo y el voltaje por división, y poniendo la escala 10:1 en el osciloscopio como se ve en las figuras 5.19(a) y (b). Esta prueba se realizo a una frecuencia de la fundamental programada en el microcontrolador de 30Hz. Se pudo ver que la frecuencia programada desde el microcontrolador es la misma que la de la señal obtenida a la salida del controlador de compuertas, figuras 5.19(a) y (b), por tanto, las dos señales complementarias que darán la frecuencia de la fundamental a la salida del inversor tienen la misma frecuencia que ésta. 118 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 t/Div V/Div Frecuencia Frecuencia (a) (b) Figura 5.19. Señales PWM a 30Hz que forman el voltaje sinusoidal de cada fase a la salida del controlador de compuertas. Se realizó otra prueba programando desde el microcontrolador una frecuencia de la fundamental de 60Hz. Se puede ver en la figura 5.20(a), que a la salida del controlador de compuertas se tiene la misma frecuencia. Se realizó un acercamiento a estas señales para ver a más detalle el lapso de tiempo que permanece el voltaje aplicado en cada IGBT de la misma pierna, figuras 5.20(a) y (b). En la figura 5.20(b) no se está midiendo la frecuencia solo se está haciendo un zoom a la señal de 60Hz. Zoom Zoom Frecuencia (a) (b) Figura 5.20. Señales PWM a 60Hz que forman el voltaje sinusoidal de cada fase a la salida del controlador de compuertas. 119 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Las figuras 5.21(a) y (b) muestran las señales PWM a la salida del controlador de compuertas de las otras dos piernas del inversor respectivamente. Como se puede ver las señales son idénticas para cada una de las piernas del inversor, solo que aunque en estas imágenes no se aprecia debido a que se tendrían que ver las seis señales juntas, o por lo menos cuatro, deben estar desfasadas 120°. Estas imágenes no se pueden ver juntas debido a que en laboratorio se tiene un osciloscopio con solo tres canales. (a) (b) Figura 5.21. Señales PWM que forman el voltaje sinusoidal de cada fase a la salida del controlador de compuertas. Se varió el tiempo por división en el osciloscopio a 500ms y a 50ms para ver las señales de 30 y 60Hz, figuras 5.22(a) y (b) respectivamente. En la figura 5.22(a) se puede ver la forma de las señales PWM de 30Hz haciendo un acercamiento bastante grande. Se puede ver como varían los tiempos de voltaje aplicado para cada IGBT y que cada pulso de una de las señales es complemento de cada pulso de la otra. En la figura 5.22(b) se puede ver en la parte superior las señales PWM a 50ms/Div; se aprecian señales, aparentemente líneas a altas frecuencias, sin embargo, si se hace un acercamiento a esas señales, se puede ver en la parte inferior de la figura 5.22(b), que las señales son complementarias y que en los extremos tienen menos voltaje aplicado, pues se aprecia un número mayor de ranuras que en el centro de las mismas. 120 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica (a) CAPÍTULO 5 (b) Figura 5.22. Señales PWM que forman el voltaje sinusoidal de cada fase a la salida del controlador de compuertas. 5.4. Pruebas y Resultados en las Salidas del Inversor Las pruebas realizadas a la salida del inversor, es decir, al sistema completo se hicieron con dos tipos de cargas: • Cargas Resistivas • Cargas Inductivas Las mediciones se pueden hacer entre fases o entre fase y neutro como se ve en la figura 5.23. Esto dependerá de la disponibilidad de los puntos de medición. 5.4.1. Pruebas con Cargas Resistivas Una de las primeras pruebas que se realizó al sistema completo fue hecha con cargas resistivas. Se conectaron resistencia de 500Ω en estrella a la salida del inversor como se ve en la figura 5.23. Esta prueba también se hizo con focos de 100W y se obtuvieron resultados similares. La alimentación de voltaje se hizo con un puente rectificador monofásico. Estas pruebas se hicieron a 30, 60 y 90Hz variando la amplitud 121 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 de la señal PWM en un 100, 50, 25 y 12.5%. El método de control empleado fue el THSPWM. Figura 5.23. Sistema a bloques con carga resistiva conectada en "Y" indicando los posibles puntos de medición con el osciloscopio. La figura 5.24 muestra la conexión física de esta prueba. En ella se puede apreciar el módulo de resistencias que se conectó en estrella a la salida del inversor, así como el resto del sistema. La medición de los resultados que se muestran en esta prueba se hizo de fase a neutro. Interfaz Visual en la PC de donde se lleva a cabo el Control Módulo de Resistencias Tarjeta de la Interfaz Montada al Disipador de Calor Microcontrolador DSP MC56F8323 Figura 5.24. Conexión física de la prueba con carga resistiva. 122 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Las figuras 5.25(a) y (b) muestran los voltajes de fase a neutro a una frecuencia de 30Hz con una amplitud de voltaje de las señales de control del 100 y 50% respectivamente. Como se puede ver son ondas sinusoidales a seis pasos. Esta forma de onda de voltaje de fase es la que se espera de un inversor trifásico fuente de voltaje a IGBT's según la teoría, y se pudo comprobar. Frecuencia 30Hz Frecuencia 30Hz (a) (b) Figura 5.25. Voltajes de fase a neutro a 30Hz con carga resistiva: (a) con el 100% de amplitud, (b) con el 50% de amplitud. Las figuras 5.26(a) y (b) muestran los voltajes de fase a neutro a una frecuencia de 30Hz con una amplitud de voltaje del 25 y 12.5% respectivamente. Frecuencia 30Hz Frecuencia 30Hz (a) (b) Figura 5.26. Voltajes de fase a neutro a 30Hz con carga resistiva: (a) con el 25% de amplitud, (b) con el 12.5% de amplitud. 123 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Las figuras 5.27(a) y (b) muestran los voltajes de fase a neutro a una frecuencia de 60Hz con una amplitud de voltaje de las señales de control del 100 y 50% respectivamente. La frecuencia en estas figuras quedó cubierta por la señal pero en la figura 5.28 se puede ver y comprobar que efectivamente es una señal de 60Hz. Frecuencia 60Hz (a) (b) Figura 5.27. Voltajes de fase a neutro a 60Hz con carga resistiva: (a) con el 100% de amplitud, (b) con el 50% de amplitud. Las figuras 5.28(a) y (b) muestran los voltajes de fase a neutro a una frecuencia de 60Hz con una amplitud de voltaje de las señales de control del 25 y 12.5% respectivamente. Frecuencia 60Hz (a) (b) Figura 5.28. Voltajes de fase a neutro a 60Hz con carga resistiva: (a) con el 25% de amplitud, (b) con el 12.5% de amplitud. 124 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Las figuras 5.29(a) y (b) muestran los voltajes de fase a neutro a una frecuencia de 90Hz con una amplitud de voltaje del 100 y 50% respectivamente. Frecuencia 90Hz Frecuencia 90Hz (a) (b) Figura 5.29. Voltajes de fase a neutro a 90Hz con carga resistiva: (a) con el 100% de amplitud, (b) con el 50% de amplitud. Las figuras 5.30(a) y (b) muestran los voltajes de fase a neutro a una frecuencia de 60Hz con una amplitud de voltaje del 25 y 12.5% respectivamente. Frecuencia 90Hz Frecuencia 90Hz (a) (b) Figura 5.30. Voltajes de fase a neutro a 90Hz con carga resistiva: (a) con el 25% de amplitud, (b) con el 12.5% de amplitud. Con estas pruebas se pudo ver como varía el voltaje de fase al variar la amplitud de voltaje en las señales de control, de donde se concluye que para obtener la mayor cantidad de voltaje posible es necesario trabajar con el 100% de amplitud. 125 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 5.4.2. Pruebas con Cargas Inductivas Las pruebas con cargas inductivas se hicieron con dos motores de inducción trifásicos, de 1/8HP y de 1/2HP. Se midieron los voltajes de línea a línea a la salida del inversor. El motor conectado al sistema completo se puede ver en la figura 5.31. En esta figura se puede ver que en la PC se tiene la interfaz visual del control del motor. Esta interfaz de visualización tiene varias presentaciones, como se puede ver en el apéndice C, son páginas WEB que fueron desarrolladas en [34] con el propósito de presentar y manipular las variables de control. Estas páginas WEB son soportadas por el programa "FreeMaster" de la compañía "Freescale Semiconductor", el cual, es una herramienta diseñada para control y visualización de variables en microcontroladores de de la familia DSP56F8xxx. 5.4.2.1. Voltajes de Línea a la Salida del Inversor con un Motor de 1/8HP Estas pruebas se realizaron midiendo los voltajes de línea a la salida del inversor. La carga conectada es un motor de 1/8HP. Interfaz Visual en la PC de donde se lleva a cabo el Control Tarjeta de la Interfaz Montada al Disipador de Calor Motor de Inducción Trifásico de 1/8 HP Transformadores de 5 y 15V para la Alimentación de Circuitos Integrados en la Tarjeta Microcontrolador DSP MC56F8323 Figura 5.31. Sistema completo con un motor de 1/8HP. 126 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Los voltajes que se reportan son a 10, 30, 60 y 90Hz. La amplitud aplicada a la señal de control es del 100% y el método de control utilizado es el THSPWM. Con el propósito de confirmar la frecuencia fundamental programada en el microcontrolador se aplicó el filtro pasa-bajas de 400HZ del osciloscopio digital 700926 de YOKOGAWA, que se tiene en el laboratorio de Electrónica de Potencia. En las figuras 5.32(a) y (b) y en las 5.33(a) y (b), se muestra el voltaje de línea a la salida del inversor con una frecuencia de 10Hz y de 30Hz, sin filtro y con filtro respectivamente. Frecuencia 10Hz Frecuencia 10Hz (a) (b) Figura 5.32. Voltaje de línea a la salida del inversor con un motor de 1/8HP: (a) Señal sin filtro a 10Hz, (b) señal filtrada a 10Hz. Frecuencia 30Hz Frecuencia 30Hz (a) (b) Figura 5.33. Voltaje de línea a la salida del inversor con un motor de 1/8HP: (a) Señal sin filtro a 30Hz, (b) señal filtrada a 30Hz. 127 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 En las figuras 5.34(a) y (b) y en las 5.35(a) y (b), se muestra el voltaje de línea a la salida del inversor con una frecuencia de 60Hz y de 90Hz, sin filtro y con filtro respectivamente. Frecuencia 60Hz Frecuencia 60Hz (a) (b) Figura 5.34. Voltaje de línea a la salida del inversor con un motor de 1/8HP: (a) Señal sin filtro a 60Hz, (b) señal filtrada a 60Hz. Con estas pruebas se pudo comprobar que la frecuencia de la fundamental programada es la misma frecuencia fundamental a la salida del inversor. Se comprobó también la forma de onda de voltaje de línea, ya que teóricamente debe ser como las formas de onda aquí presentadas. Frecuencia 90Hz Frecuencia 90Hz Figura 5.35. Voltaje de línea a la salida del inversor con un motor de 1/8HP: (a) Señal sin filtro a 90Hz, (b) señal filtrada a 90Hz. 128 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 5.4.2.2. Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Voltajes de Línea a la Salida del Inversor con un Motor de 1/2HP Estas pruebas se realizaron midiendo los voltajes de línea a línea a la salida del inversor. La carga conectada es un motor de 1/2HP. Las pruebas realizadas son tres: • Medición de Voltajes de Línea con una amplitud del 100% • Comparación entre los métodos de control SPWM y THSPWM • Comparación entre los métodos de control SPWM y THSPWM con filtro El sistema conectado se puede ver en la figura 5.36. Con la medición de los voltajes de línea se comprobó la teoría de los inversores trifásicos fuentes de voltaje. La comparación entre los métodos de control SPWM y THSPWM, se realizó para ver el comportamiento de los voltajes de línea ante cada estrategia de control a la salida del inversor sin filtro y con filtro. Tarjeta de la Interfaz Montada al Disipador de Calor Motor de Inducción Trifásico de 1/2 HP Microcontrolador DSP MC56F8323 Figura 5.36. Sistema completo con un motor de 1/2HP. 129 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 5.4.2.2.1. Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Medición de Voltajes de Línea con una Amplitud del 100% La primera prueba con este motor fue la medición de voltajes de línea con una amplitud de las señales de control del 100%. Esta prueba se realizó con un voltaje en el bus de CD de 181V y un voltaje de CA en la alimentación del rectificador de 134V. El método de control utilizado fue un THSPWM. La figura 5.37 muestra los voltajes de línea a línea. Estas pruebas se realizaron con puntas atenuadoras de 10:1. El osciloscopio se puso en una escala de 10:1 para eliminar la atenuación de las puntas, por tanto, los volts por división no tienen que ser divididos entre diez. En esta prueba se tienen 50V/Div, es decir, cada división en el eje vertical equivale a 50V y no tienen que ser dividos. Las figuras 5.37(a), (b) y (c) muestra que la alternancia de voltaje se encuentra aproximadamente entre +181V y -181V, que es el voltaje del bus de CD. V/Div Escala (a) (b) (c) Figura 5.37. Voltaje de línea a línea a la salida del inversor con un motor de 1/2HP 130 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 5.4.2.2.2. Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 Comparación entre los Métodos de Control SPWM y THSPWM La siguiente prueba fue la comparación entre los métodos de control SPWM y THSPWM. Esta prueba se realizó con una amplitud de las señales de control del 100%, un voltaje en el bus de CD de 208V y un voltaje de CA en la alimentación del rectificador de 150V. Frecuencia 60Hz Voltajes (a) (b) Figura 5.38. Voltaje de línea a línea a la salida del inversor con un motor de 1/2HP: (a) método de control SPWM, (b) método de control THSPWM. (a) (b) Figura 5.39. Voltaje de línea a línea a la salida del inversor con un motor de 1/2HP: (a) Zoom del método de control SPWM, (b) Zoom del método de control THSPWM. 131 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 En los resultados presentados en las figuras 5.38 y 5.39 se pudo ver el comportamiento del voltaje de línea ante cada estrategia de control a la salida del inversor. Se aprecia como el voltaje aplicado en el centro de cada medio ciclo es mayor en un método que en otro. Las figuras 5.39(a) y (b) muestran más a detalle este hecho. Con estas pruebas se comprobó la teoría de los inversores trifásicos vista en el capítulo 2, es decir, la alternancia de los voltajes de línea a línea con un PWM unipolar debe ser de +Vd a –Vd, donde Vd es el voltaje del bus de CD. En la figura 5.38(b) se puede ver que el voltaje máximo es de 204V y el voltaje rms es 158V, son muy aproximados a los 208V medidos en el bus de CD y a los 150V rms de CA, respectivamente. 5.4.2.2.3. Comparación Entre los Métodos de Control SPWM y THSPWM con Filtro Para ver como aumenta el voltaje de línea a la salida del inversor cuando se cambia de un método de control a otro se realizó la siguiente prueba. Se aplicó el filtro de 400HZ del osciloscopio digital 700926 de YOKOGAWA para que se aprecie mejor, ya que en las señales de voltaje de línea de las figuras 5.38 y 5.39 se aprecia de diferente forma. Estas pruebas se realizaron con una amplitud del 100%, un voltaje en el bus de CD de 208V y un voltaje de CA en la alimentación del rectificador de 150V. En las figuras que se muestran en estas pruebas no coincide los valores reales de voltaje con los del osciloscopio debido a que entre el osciloscopio de visualización y los puntos de medición va conectado el osciloscopio digital 700926; éste tiene la opción de filtro. Estos valores no coinciden debido a que las escalas entre el osciloscopio que filtra y el de visualización de resultados no coinciden, además a esto hay que agregar la atenuación de las puntas de cada osciloscopio. Aunque para la prueba no interesa el valor real del voltaje, sino ver que éste aumenta entre un método y otro, este valor se puede obtener sacando un factor que al multiplicarlo se obtenga el valor real; para esto se debe medir la señal sin filtro y con filtro en las mismas condiciones. En la figura 5.40(a) se muestra una señal a 40Hz con un método de control SPWM y en la figura 5.40(b) se muestra una señal a la misma frecuencia con un método de 132 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 control THSPWM. Se puede ver que la segunda señal aumenta con respecto a la primera. Los valores de voltajes pico y rms aumentan con el método de control THSPWM. Frecuencia Voltajes Frecuencia Voltajes (a) (b) Figura 5.40. Voltajes filtrados de línea a línea a la salida del inversor 40 Hz, con un motor de 1/2HP: (a) método de control SPWM, (b) método de control THSPWM. Se repitió la prueba anterior con una señal a 60Hz. En la figura 5.41(a) se muestra la señal con un método de control SPWM y en la figura 5.41(b) con un método de control THSPWM. Se puede ver que la segunda señal aumenta con respecto a la primera. Los valores de voltajes pico y rms aumentan con el método de control THSPWM. Frecuencia Voltajes Frecuencia Voltajes (a) (b) Figura 5.41. Voltajes filtrados de línea a línea a la salida del inversor a 60 Hz, con un motor de 1/2HP: (a) método de control SPWM, (b) método de control THSPWM. 133 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 En estas pruebas se pudo ver como realmente aumenta el voltaje, por tanto, el aprovechamiento de la fuente de voltaje de CD es mayor con el método de control THSPWM. 134 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 5 135 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO CAPÍTULO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 6 6 CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES PARA TRABAJOS FUTUROS 6.1. Conclusiones En este trabajo de tesis se diseñó y se implementó la interfaz de potencia para un motor de inducción. De las pruebas y resultados obtenidos se puede concluir lo siguiente: 1. El diseño y la implementación de la interfaz de potencia permitieron probar el funcionamiento adecuado del accionamiento electrónico de dos motores de inducción, de 1/8HP y de 1/2HP. 2. En cuanto a las técnicas de control con las que se probó la interfaz, la técnica PWM sinusoidal más tercera armónica permite un mayor aprovechamiento de la fuente de CD. De los resultados obtenidos se puede concluir que el incremento de la amplitud de voltaje es aproximadamente un 15% mayor en la técnica PWM sinusoidal más tercera armónica que en la técnica PWM sinusoidal. 3. El diseño de un esquema de accionamiento de motores de inducción con microcontrolador DSP permite implementar métodos de control de mayor complejidad que el implementado en este trabajo debido a las capacidades de memoria con las que cuentan en la actualidad estos dispositivos. Además, permite variar los tiempos muertos entre las señales de control, a diferencia de cuando los tiempos muertos se introducen por hardware. Cuando los tiempos muertos se introducen por hardware son fijos. 136 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 4. Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 6 Las señales complementarias y los tiempos muertos son importantes para la adecuada conmutación de los IGBT's del inversor. Si las señales no son complementarias, el módulo inversor se cortocircuita y se destruye el circuito interno del mismo. 5. En las pruebas con cargas resistivas, se comprobó que las ondas de voltaje de fase a neutro son a seis pasos, capítulo 5. En estas pruebas, el promedio de voltaje de fase aplicado a la carga, es mayor cuando se trabaja al 100% de la amplitud del ciclo de trabajo de las señales de control, con este porcentaje de amplitud se mejorara la eficiencia del inversor. 6. La variación del ciclo de trabajo en las señales de control permite variar el voltaje promedio aplicado a la carga, lo que da como resultado la variación de la velocidad, en el caso del motor de inducción. 7. El máximo voltaje pico de línea a línea es el voltaje aplicado en la fuente de CD. Esto se puede ver en los voltajes de línea de las pruebas con cargas inductivas en el capítulo 5. 8. Con respecto a la electrónica de potencia, la estructura compacta del módulo de potencia inversor, disminuye los efectos por inductancias parásitas; a diferencia de cuando se tiene otro tipo de esquemas, como por ejemplo, cuando se usan medios puentes para cada pierna del inversor. Aunque los medios puentes tienen la ventaja de que cuando hay una falla en el inversor por corto circuito normalmente se quema una pierna del inversor, por tanto, solo se tiene que cambiar un medio puente y no todo el módulo inversor, sin embargo aumenta los efectos por inductancias parásitas, lo que lleva a disparos de los circuito integrados por picos de voltajes y corrientes. 137 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO 9. Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 6 La implementación y el diseño del circuito impreso asistido por computadora permite una operación más segura de los dispositivos que cuando se tienen conexiones por cables u otro tipo de tablillas, disminuye los efectos por inductancias parásitas, así como, las interferencias electromagnéticas. Además, reduce la posibilidad de fallas por conexiones erróneas, por falso contactos, por cables sueltos y por pasta de soldadura. Antes de contar con el circuito impreso se quemaron dos módulos inversores debido a las causas antes mencionadas. 10. Los cables de alimentación de la fuente de CD y cualquier conductor en la interfaz se ponen lo más corto posible para evitar voltajes inducido por inductancias parásitas. Sin embargo, en ocasiones es prácticamente imposible tener cables cortos. Para disminuir el efecto de inductancias parásitas se implementan capacitores de desacople. 11. Los resultados obtenidos en este trabajo se consideran satisfactorios. Se cumplió el objetivo de diseñar, implementar y probar la interfaz de potencia con dos técnicas de control. 138 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica CAPÍTULO 6 6.2. Recomendaciones para Trabajos Futuros Los trabajos recomendados que se pueden realizar a partir de este trabajo son los siguientes: b. Implementar lazos de retroalimentación de corriente, velocidad y voltaje del bus de CD. c. Implementar técnicas de medición de velocidad y par sin sensor. d. Realizar el análisis del contenido armónico inyectado a la red. e. Implementar la protección de sobrevoltaje debido al frenado dinámico con el esquema que se muestra en la figura 3.14 o con el microcontrolador DSP. f. Realizar la implementación de otras técnicas de control como el control vectorial o el control de campo orientado. 6.3. Aportaciones de la Tesis Las aportaciones de este trabajo de tesis son las siguientes: a. El prototipo de una interfaz de potencia para el accionamiento de motores de inducción diseñada de forma flexible, de bajo costo comparada con las que existen en el mercado, y accesible, es decir, por módulos separados que permite implementar y probar diferentes algoritmos de control. b. El diseño del circuito impreso asistido por computadora realizado en un programa llamado PROTEL, que reduce los problemas de fallas por conexiones erróneas, cables sueltos y soldadura de los mismos. c. Se dan los puntos a seguir en el diseñó de circuitos impresos asistidos por computadora. d. Este trabajo puede servir como guía práctica para realizar el diseño y/o la mejora de los elementos que conforman la interfaz de potencia. 139 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica REFERENCIAS REFERENCIAS [1] Bose, B. K. “Modern Power Electronics and AC Drives”. USA: Prentice-Hall, INC. 2002. [2] Mohan, N; Undeland, T. M; Robbins, W. P. “Pawer Electronics, Converters, Applications and Design”. 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El tipo de microcontrolador a utilizar para este proyecto es el DSP56F8323 como se muestra en la figura A.1. En este ambiente se seleccionan y cargan las cápsulas de los periféricos a utilizar en el proyecto de control, localizadas en el selector de cápsulas (“Bean Selector”) figura A.2. Figura A.2. Cápsulas de los periféricos del control. Una vez localizadas las cápsulas de los periféricos a utilizar se hace doble clic sobre ellas para completar su selección. Ya seleccionadas se procede a la inicialización con Processor Expert, en donde el programador únicamente se enfoca en la selección de la configuración a utilizar de cada uno de los periféricos (habilitar, deshabilitar, tiempos, frecuencias, interrupciones, pines de entrada/salida, modos, etc.), en un ambiente de ventanas selectivas, mucho mas sencillo que si se realizara la programación por registros. 146 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A A.1.1. Cápsula Comunicación serie con PC_Master La figura A.3 presenta las ventanas de inicialización en la configuración de la cápsula de comunicación serie con FreeMaster, seleccionada de la opción CPU External Devices, figura A.2. Figura A.3. Cápsula de comunicación serie con FreeMaster. La cápsula proporciona cierta configuración básica al seleccionarla, para el proyecto se describen las ventanas a programar de esta cápsula. Propiedades de la cápsula: • • • Bean name – Nombre de la cápsula. Channel – El canal usado para comunicación serie asíncrona. Canal SCI1 recomendado Interrupt service/event – Se habilita. La cápsula puede o no puede ser activada usando interrupciones. o Interrupt – Interrupción especial generada por el proceso de comunicación. 147 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A Interrupt RxD – Interrupción de recepción serie. Interrupt RxD priority – La prioridad de la interrupción asociada con la comunicación asíncrona. o Interrupt TxD – Interrupción para transmisión serie. o Interrupt TxD priority – Prioridad de la interrupción asociada con la comunicación asíncrona. o Input buffer size – Tamaño de buffer de entrada en bites. o Output buffer size – Tamaño del buffer de salida. Settings – Configuración común de la cápsula. o Baud rate – Velocidad de comunicación en baud, con la caja de dialogo que se abre haciendo un clic en e botón . En donde puedes elegir o sugerír un valor. Se recomienda 14400 baud. o o • A.1.2. Cápsula PWMMC La figura A.4 presenta las ventanas de inicialización en la configuración de la cápsula modulación de ancho de pulso para control de motores (PWMMC). Figura A.4. Cápsula modulación de ancho de pulso para control de motores. La cápsula proporciona cierta configuración básica al seleccionarla, para el proyecto se describen las ventanas a conformar de esta cápsula. 148 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A Cápsula PWMMC Propiedades de la cápsula: • • • • • • • Bean name – Nombre de la cápsula. Device – Selección del modulo PWM. Align – Determine si el control PWM del motor opera en modo alineación simétrica o asimetrica. Alineación simétrica recomendado. Programación solo derivados del 56800. o Mode of PWM Pair 0 – Determine si la pareja 0 serán dos independientes PWM o Una pareja complementaria (la pareja es PWM0 y PWM1). o Mode of PWM Pair 1 - Determine si la pareja 1 serán dos independientes PWM o Una pareja complementaria (la pareja es PWM2 y PWM3). o Mode of PWM Pair 2 - Determine si la pareja 2 serán dos independientes PWM o Una pareja complementaria (la pareja es PWM4 y PWM5). o Top-Side PWM Pair 0 Polarity – Determine si el PWM 0 del lado alto tiene polaridad positiva o negativa. Polaridad positiva recomendado. o Top-Side PWM Pair 1 Polarity - Determine si el PWM 2 del lado alto tiene polaridad positiva o negativa. o Top-Side PWM Pair 2 Polarity - Determine si el PWM 4 del lado alto tiene polaridad positiva o negativa. o Bottom-Side PWM Pair 0 Polarity - Determine si el PWM 1 del lado bajo tiene polaridad positiva o negativa. o Bottom-Side PWM Pair 1 Polarity - Determine si el PWM 3 del lado bajo tiene polaridad positiva o negativa. o Bottom-Side PWM Pair 2 Polarity - Determine si el PWM 5 del lado bajo tiene polaridad positiva o negativa. o Write Protect – Cuando se active, la configuración del PWM (control, config, channel, deadtime registers) no podrá ser cambiada después de la inicialización. o Output pads – Habilita/Deshabilita el bloque de salidas a los leds. Frequency – Frecuencia de la señal de salida con la caja de dialogo que se abre haciendo un clic en e boton . Donde puedes elegir o sugerir un valor. Recomendado 32 KHz. Output Frequency – Frecuencia de salida del PWMMC (solamente para información). Activación soportada por 56800. o Reload – Selecciona de 1 a 16 ciclos PWM para realizarla. 4 ciclos recomendado. o Dead-time – En el modo complementario, los generadores de tiempo muerto de inserción automática seleccionado por software activan el retardo en cada par de salidas PWM. La activación puede ser realizada con la ayuda de la caja de dialogo que se puede abrir con un clic en el . La propiedad tiempo muerto es usada para controlar el tiempo muerto durante la transición de 0 a 1 de la salida PWM y durante la transición de 149 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO • • • • Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A 1 a 0 de la salida complementaria (asumiendo polaridad normal). Tiempo muerto de 0.50 µs recomendado. Interrupt service/event - Soporte de interrupciones. Habilitar. o Reload interrupt priority – Prioridad de interrupción de recarga. o Interrupt on reload – Interrupción asociada con el tiempo usado por la cápsula PWM (Para información de habilitación solamente). o Fault protection – Activación de la interrupción de protección por falla. Interrupt on fault 0 – Interrupción asociada con el pin 0 (para información solamente). Fault 0 interrupt priority – Prioridad de la interrupción falla 0. Interrupt on fault 1 - Interrupción asociada con el pin 1 (para información solamente). Fault 1 interrupt priority - Prioridad de la interrupción falla 1. Interrupt on fault 2 - Interrupción asociada con el pin 2 (para información solamente). Fault 2 interrupt priority - Prioridad de la interrupción falla 1 Channel 0 – Canal 0 del PWM (PWM par 0). o Channel – Selección del canal (no acepta modificación). o PWM pin – Pin usado para la salida de la señal generada (solo para información). o PWM pin signal – Nombre de la señal del pin PWM. o Duty – Ciclo de servicio activo de la señal PWM del canal 0. La activación puede ser realizada con la ayuda de la caja de diálogo que se puede abrir con un clic en el . o Pin PWM0 active - PWM pin 0 en modo complementario: complemento del pin PWM 1/inactivo. o Mask channel – Si es enmascarado, el canal es puesto a un valor de cero por ciento de ciclo de servicio. Channel 1 – Canal 1 del PWM (PWM par 0). o Channel – Selección del canal (no acepta modificación). o PWM pin – Pin usado para la salida de la señal generada (solo para información). o PWM pin signal – Nombre de la señal del pin PWM. o Duty – Ciclo de servicio activo de la señal PWM del canal 1. La activación puede ser realizada con la ayuda de la caja de dialogo que se puede abrir con un clic en el . o Pin PWM1 active - PWM pin 1 en modo complementario: complemento del pin PWM 0/inactivo. o Mask channel – Si es enmascarado, el canal es puesto a un valor de cero por ciento de ciclo de servicio. Channel 2 – Canal 2 del PWM (PWM par 1). o Channe2 – Selección del canal (no acepta modificación). o PWM pin – Pin usado para la salida de la señal generada (solo para información). o PWM pin signal – Nombre de la señal del pin PWM. 150 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A Duty – Ciclo de servicio activo de la señal PWM del canal 2. La activación puede ser realizada con la ayuda de la caja de dialogo que se puede abrir con un clic en el . o Pin PWM2 active - PWM pin 2 en modo complementario: complemento del pin PWM 3/inactivo. o Mask channel – Si es enmascarado, el canal es puesto a un valor de cero por ciento de ciclo de servicio. Channel 3 – Canal 3 del PWM (PWM par 1). o Channe3 – Selección del canal (no acepta modificación). o PWM pin – Pin usado para la salida de la señal generada (solo para información). o PWM pin signal – Nombre de la señal del pin PWM. o Duty – Ciclo de servicio activo de la señal PWM del canal 3. La activación puede ser realizada con la ayuda de la caja de diálogo que se puede abrir con un clic en el . o Pin PWM3 active - PWM pin 3 en modo complementario: complemento del pin PWM 2/inactivo. o Mask channel – Si es enmascarado, el canal es puesto a un valor de cero por ciento de ciclo de servicio. Channel 4 – Canal 4 del PWM (PWM par 2). o Channe4 – Selección del canal (no acepta modificación). o PWM pin – Pin usado para la salida de la señal generada (solo para información). o PWM pin signal – Nombre de la señal del pin PWM. o Duty – Ciclo de servicio activo de la señal PWM del canal 4. La activación puede ser realizada con la ayuda de la caja de diálogo que se puede abrir con un clic en el . o Pin PWM4 active - PWM pin 4 en modo complementario: complemento del pin PWM 5/inactivo. o Mask channel – Si es enmascarado, el canal es puesto a un valor de cero por ciento de ciclo de servicio. Channel 5 – Canal 5 del PWM (PWM par 2) o Channe5 – Selección del canal (no acepta modificación). o PWM pin – Pin usado para la salida de la señal generada (solo para información). o PWM pin signal – Nombre de la señal del pin PWM. o Duty – Ciclo de servicio activo de la señal PWM del canal 5. La activación puede ser realizada con la ayuda de la caja de diálogo que se puede abrir con un clic en el . o Pin PWM5 active - PWM pin 5 en modo complementario: complemento del pin PWM 4/inactivo. o Mask channel – Si es enmascarado, el canal es puesto a un valor de cero por ciento de ciclo de servicio. Fault protection – Configuración de protecciones de falla de la cápsula. o Fault 0 - Configuración de protecciones de falla del pin 0. Fault pin signal – Nombre de la señal de falla del pin de falla 0. o • • • • 151 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A Fault clearing mode – Selección entre modo de limpieza de falla automática o manual. Esta propiedad es habilitada solo si el servicio/evento de interrupción es habilitado. o Fault 1 - Configuración de protecciones de falla del pin 1. Fault pin – Solo para información. falla pin 1. Fault pin signal – Nombre de la señal de falla del pin de falla 1. Fault clearing mode – Selección entre modo de limpieza de falla automática o manual. Esta propiedad es habilitada solo si el servicio/evento de interrupción es habilitado. o Fault 2 - Configuración de protecciones de falla del pin 2. Fault pin – Solo para información. falla pin 2. Fault pin signal – Nombre de la señal de falla del pin de falla 2. Fault clearing mode – Selección entre modo de limpieza de falla automática o manual. Esta propiedad es habilitada solo si el servicio/evento de interrupción es habilitado. A.1.3. Cápsula ADC La figura A.5 presenta las ventanas de inicialización en la configuración de la cápsula de Convertidor Analógico a Digital (ADC). Figura A.5. Cápsula modulación de ancho de pulso para control de motores. 152 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A La cápsula proporciona cierta configuración básica al seleccionarla, para el proyecto se describen las ventanas a conformar de esta cápsula. Propiedades de la Cápsula Convertidor A/D: • • • • • • • Bean name – Nombre de la cápsula. A/D converter – Dispositivo convertidor Analógico/Digital. Sharing - Esta propiedad permite compartir el dispositivo de ADC con otras cápsulas. Interrupt service/event – La cápsula usa las interrupciones para la conversión. o A/D interrupt – Interrupción asociada con el dispositivo convertidor A/D. o A/D interrupt priority – Prioridad de la interrupción asociada al dispositivo convertidor A/D. A/D channels – Lista de los pines usados para un convertidor A/D. puedes añadir/quitar un elemento con el botón o Channel0 – Número del canal. A/D channel (pin) – Canal A/D (selecciona el nombre del pin). A/D channel (pin) signal – Nombre de la señal del pin A/D. Mode - Esta ventana permite seleccionar el modo secuencial o simultáneo. El modo simultáneo puede aplicarse cuando el dispositivo contiene dos muestra y circuitos del sostenimiento independiente. A/D samples – Lista de elementos que contiene un canal convertidor A/D seleccionado: Sample0 – Número de la muestra. Channel -Índice del canal de la lista de canales A/D. High limit – Permite activar el limite alto, con un valor de 12 bits. Si la resultante del ADC es mayor que este valor, el evento OnHighLimit puede llamarse. Activar con referencia de voltaje. Low limit – Permite activar el limite bajo, con un valor de 12 bits. Si la resultante del ADC (sin la substracción por el valor de offset ) es menor que este valor, el evento OnLowLimit puede llamarse. Activar con referencia de voltaje. Offset – Permite activar el Offset, con un valor de 12-bits. El valor del offset es substraído de la resultante del ADC. Con la finalidad de obtener un resultad signado (para el método GetValue o GetChanValue Zero crossing – Permite supervisar este canal y determinar la dirección del cruce por cero. La supervisión de la lógica de cruce por cero es de solo los cambios de signo entre la muestra actual y una previa. A/D prescaler – Prescalador asociado con el convertidor A/D. A/D resolution – Resolución del dato máximo requerido por la aplicación. 153 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO • • Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A Conversion time – Tiempo para una conversión. La selección puede ser realizada con la ayuda de la caja de dialogo que se puede abrir con un clic en el . 1.700µs recomendado. Internal trigger – Permit sincronizar el convertidor A/D con una señal interna. Trigger source – Interfaz de tiempo con temporizador C2. A.1.4. Cápsula Disparador de ADC por temporizador La figura A.6 presenta las ventanas de inicialización en la configuración de la cápsula disparador de ADC por temporizador. Figura A.6. Cápsula Disparador de ADC por temporizador. La cápsula proporciona cierta configuración básica al seleccionarla. Para el proyecto se describen las ventanas a configurar de esta cápsula. Propiedades de la Cápsula Disparador de ADC por temporizador: 154 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO • • • Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A Bean name – Nombre de la cápsula. Device – Dispositivo utilizado como disparador de ADC. TMRC2 recomendado. o Pins – Especifíca el pin de conteo para el temporizador utilizado. Initialization – La cápsula usa las interrupciones para la conversión. o Register values – Valores de registros. Timer compare register 1 – El temporizador utilizado compara hasta que su contador iguala a este registro, para mandar una señal de disparo. A.1.5. Cápsula Captura La figura A.7 presenta las ventanas de inicialización en la configuración de la cápsula Captura. Utilizada para medir el periodo de la señal cuadrada de velocidad. Figura A.7. Cápsula Captura. La cápsula proporciona cierta configuración básica al seleccionarla. Para el proyecto se describen las ventanas a configurar de esta cápsula. Propiedades de la Cápsula Captura: 155 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO • • • • • • • Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A Bean name – Nombre de la cápsula. Capture Register – Registro de captura. TMRA0_Capture recomendado. Timer counter - Registro contador del temporizador (solo para información). Capture input pin – Pin de entrada a capturar. PHASEA0_TA0_GPIOB7 recomendado Edge – Tipos de filos de la señal a capturar. Rising edge recomendado. Interrupt service/event – Servicio de interrupciones usadas en la cápsula. o Capture interrupt – Interrupción asociada con la captura (solo para información). o Capture priority – Prioridad de la interrupción. Medium priority recomendado. Prescaler – Preescalador usado para la captura. o Maximum time of event – Tiempo garantizado antes del limite programado. 1092.266 µs recomendado. A.1.6. Cápsula Botón IRQA La figura A.8 presenta las ventanas de inicialización en la configuración de la cápsula Botón IRQA. Utilizada para activar el control y el arranque del motor. Figura A.8. Cápsula Botón IRQA. 156 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE A La cápsula proporciona cierta configuración básica al seleccionarla. Para el proyecto se describen las ventanas a configurar de esta cápsula. Propiedades de la Cápsula Botón IRQA: • • • • Bean name – Nombre de la cápsula. Ued pin – Cápsula usada para comunicación con el botón. Button inactivity- Elimina doble contacto del botón causada por oscilaciones del mecanismo. Initialization – Activa la inicialización. o Events enabled in init – Habilita la inicialización de eventos. 157 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE B Apéndice B PROGRAMA DE CONTROL ESCALAR VOLTAJE/FRECUENCIA EN LAZO ABIERTO B.1. Programa Principal /** ################################################################### ** Filename : MotConInd.C ** Project : MotConInd ** Processor : 56F8323 ** Version : Driver 01.07 ** Compiler : Metrowerks DSP C Compiler ** Date/Time : 30/06/2005, 04:58 p.m. ** Abstract : ** Main module. ** Here is to be placed user's code. ** Settings : ** Contents : ** No public methods ** ** (c) Copyright UNIS, spol. s r.o. 1997-2004 ** UNIS, spol. s r.o. ** Jundrovska 33 ** 624 00 Brno ** Czech Republic ** http : www.processorexpert.com ** mail : info@processorexpert.com ** ###################################################################*/ /* MODULE MotConInd */ /* Including used modules for compilling procedure */ #include "Cpu.h" #include "Events.h" #include "PC_M1.h" #include "Inhr1.h" #include "PWMC1.h" #include "MC1.h" #include "Cap1.h" #include "AD1.h" #include "TMR1.h" #include "Arranque.h" #include "Inhr2.h" #include "ADC.h" /* Include shared modules, which are used for whole project */ #include "PE_Types.h" #include "PE_Error.h" 158 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE B #include "PE_Const.h" #include "IO_Map.h" int Estado=1; word Periodo; /***************************************************************************/ /* PROTOTIPOS DE LA FUNCIÓN */ /***************************************************************************/ void main(void) { /*** Processor Expert internal initialization. DON'T REMOVE THIS CODE!!! ***/ PE_low_level_init(); /*** End of Processor Expert internal initialization. ***/ AD1_EnableIntTrigger(); /* Write your code here */ } for(;;) { if (Estado==1) //Condición para deshabilitar señales PWM { PWMC1_Disable(); PWMC1_OutputPadDisable(); Estado=0; //asignación de espera de decisión } if (Estado==2) // Condición para habilitar señales PWM { PWMC1_Enable(); PWMC1_OutputPadEnable(); Estado=0; // asignación de espera de decisión } } /* END MotConInd */ /* ** ################################################################### ** ** This file was created by UNIS Processor Expert 2.95 [03.58] ** for the Freescale 56800 series of microcontrollers. ** ** ################################################################### */ 159 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE B B.2. Subrutinas de Interrupción /** ################################################################### ** Filename : Events.C ** Project : MotConInd ** Processor : 56F8323 ** Beantype : Events ** Version : Driver 01.02 ** Compiler : Metrowerks DSP C Compiler ** Date/Time : 30/06/2005, 05:07 p.m. ** Abstract : ** This is user's event module. ** Put your event handler code here. ** Settings : ** Contents : ** PWMC1_OnReload - void PWMC1_OnReload(void); ** ** (c) Copyright UNIS, spol. s r.o. 1997-2004 ** UNIS, spol. s r.o. ** Jundrovska 33 ** 624 00 Brno ** Czech Republic ** http : www.processorexpert.com ** mail : info@processorexpert.com ** ###################################################################*/ /* MODULE Events */ #include "Cpu.h" #include "Events.h" #include "prototype.h" /* Variables usadas en la Generacion de formas de Onda*/ static Frac16 Amplitud=24576; /*Amplitud de las formas ondas seno (en % de Amp. de Vol. de fase Max.)*/ static MCGEN_s3PhWaveData Salida; //32767 16384 8192 static Frac16 Incrementa=500; // Incremento de angulo int metodo=1; // Bandera de cambio de metodo de control int Giro=1,cont=0; //Bandera de cambio de giro extern word Periodo; //Variable de Periodo de velocidad calculado extern Estado; //Bandera de Estado del control word Captura,AntCaptura; //Bariables para calcular el periodo byte err; Frac16 vol_bus_dc=0; // Variable del valor de voltaje del bus de CD //Prototipo de recarga void recarga(MCGEN_s3PhWaveData *pPhaseDatas); /* ** =================================================================== ** Event : PWMC1_OnReload (module Events) ** ** From bean : PWMC1 [PWMMC] ** Description : ** This event is called before PWM cycle according to reload ** frequency. (only when the bean is enabled - <Enable> and 160 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE B ** the events are enabled - <EnableEvent>) (event is ** available only if interrupt service/event is enabled). ** Parameters : None ** Returns : Nothing ** =================================================================== */ #pragma interrupt called /* Comment this line if the appropriate 'Interrupt preserve registers' property */ /* is set to 'yes' (#pragma interrupt saveall is generated before the ISR) */ void PWMC1_OnReload(void) { if (metodo==1) //Método de control sinusoidal MC1_Gen3PhWaveSineIntp(&Salida,Amplitud,Incrementa); Else //Método de control sinusoidal mas tercer armónico MC1_Gen3PhWaveSine3rdHIntp(&Salida,Amplitud,Incrementa); recarga(&Salida);//Llamada a función recarga generador PWM setRegBits(PWMA_PMCTL,3);// interrupción PWM atendida /* Write your code here ... */ } void recarga (MCGEN_s3PhWaveData *pPhaseDatas) { UWord16 pwmModulus; pwmModulus = getReg(PWMA_PWMCM); PWMC1_SetDuty(0, mult_r(pwmModulus,pPhaseDatas -> udtDutyCycle.PhaseA)); if(Giro==1) // sentido de giro correcto { PWMC1_SetDuty(2, mult_r(pwmModulus,pPhaseDatas -> udtDutyCycle.PhaseB)); PWMC1_SetDuty(4, mult_r(pwmModulus,pPhaseDatas -> udtDutyCycle.PhaseC)); } if(Giro==2) // Cambio de giro { PWMC1_SetDuty(2, mult_r(pwmModulus,pPhaseDatas -> udtDutyCycle.PhaseC)); PWMC1_SetDuty(4, mult_r(pwmModulus,pPhaseDatas -> udtDutyCycle.PhaseB)); } } /* ** =================================================================== ** Event : Cap1_OnCapture (module Events) ** ** From bean : Cap1 [Capture] ** Description : ** This event is called on capturing of Timer/Counter actual ** value (only when the bean is enabled - <"Enable"> and the ** events are enabled - <"EnableEvent">. ** Parameters : None ** Returns : Nothing 161 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE B ** =================================================================== */ #pragma interrupt called /* Comment this line if the appropriate 'Interrupt preserve registers' property */ /* is set to 'yes' (#pragma interrupt saveall is generated before the ISR) */ void Cap1_OnCapture(void) { /* Escribe valor capturado para variable Data */ err=Cap1_GetCaptureValue(&Captura);//error atiendido y captura primer valor Periodo=Captura-CapturaAnt; // Calculo del periodo de la señal de velocidad CapturaAnt=Captura; // Captura actual igual a captura anterior /* Write your code here ... */ } /* ** =================================================================== ** Event : AD1_OnEnd (module Events) ** ** From bean : AD1 [ADC] ** Description : ** This event is called after the measurement (which ** consists of <1 or more conversions>) is/are finished. ** Parameters : None ** Returns : Nothing ** =================================================================== */ #pragma interrupt called /* Comment this line if the appropriate 'Interrupt preserve registers' property */ /* is set to 'yes' (#pragma interrupt saveall is generated before the ISR) */ void AD1_OnEnd(void) { clrRegBit(ADCA_ADCR1,STOP); /* Normal operation mode */ AD1_GetChanValue(0, (word *)&vol_bus_dc); //Conversión del ADC /* Write your code here ... */ } /* ** =================================================================== ** Event : AD1_OnHighLimit (module Events) ** ** From bean : AD1 [ADC] ** Description : ** This event is called when the high limit any channel has ** been exceeded. If the <Number of conversions> property is ** greater than 1, then during one measurement this event ** may be invoked up to the <Number of conversions> times ** per each of the measured channels. ** Parameters : None ** Returns : Nothing ** =================================================================== 162 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE B */ #pragma interrupt called /* Comment this line if the appropriate 'Interrupt preserve registers' property */ /* is set to 'yes' (#pragma interrupt saveall is generated before the ISR) */ void AD1_OnHighLimit(void) { PWMC1_Disable(); PWMC1_OutputPadDisable(); Estado=6; // Valor del estado al pasar el limite del convertidor programado /* Write your code here ... */ } /* ** =================================================================== ** Event : AD1_OnLowLimit (module Events) ** ** From bean : AD1 [ADC] ** Description : ** This event is called when the low limit any channel has ** been exceeded. If the <Number of conversions> property is ** greater than 1, then during one measurement this event ** may be invoked up to the <Number of conversions> times ** per each of the measured channels. ** Parameters : None ** Returns : Nothing ** =================================================================== */ #pragma interrupt called /* Comment this line if the appropriate 'Interrupt preserve registers' property */ /* is set to 'yes' (#pragma interrupt saveall is generated before the ISR) */ void AD1_OnLowLimit(void) { PWMC1_Disable(); PWMC1_OutputPadDisable(); Estado=5; // Valor del estado al pasar el limite del convertidor programado /* Write your code here ... */ } /* ** =================================================================== ** Event : PWMC1_OnFault0 (module Events) ** ** From bean : PWMC1 [PWMMC] ** Description : ** This event is called when fault 0 occurs. (only when the ** bean is enabled - <Enable> and the events are enabled ** <EnableEvent>). (event is available only if interrupt ** service/event is enabled). The event clears Fault flag ** only when the Fault is set to manual clearing mode. When ** the Fault is set to the automatic clearing mode, the ** Fault flag must be cleared by the user using ** ClearFaultFlag() method. ** Parameters : None 163 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE B ** Returns : Nothing ** =================================================================== */ #pragma interrupt called /* Comment this line if the appropriate 'Interrupt preserve registers' property */ /* is set to 'yes' (#pragma interrupt saveall is generated before the ISR) */ void PWMC1_OnFault0(void) { PWMC1_Disable(); PWMC1_OutputPadDisable(); Estado=4; // Valor del estado al presentarse una falla en las señales PWM /* Write your code here ... */ } /* ** =================================================================== ** Event : Arranque_OnButton (module Events) ** ** From bean : Arranque [BUTTON] ** Description : ** This event is called when the button is pressed ** If button inactivity feature (advanced view) is enabled, ** then the next OnButton event is not generated during ** deadtime ** Parameters : None ** Returns : Nothing ** =================================================================== */ #pragma interrupt called /* Comment this line if the appropriate 'Interrupt preserve registers' property */ /* is set to 'yes' (#pragma interrupt saveall is generated before the ISR) */ void Arranque_OnButton(void) { PWMC1_Enable(); PWMC1_OutputPadEnable(); Estado=3; // Valor del estado al oprimir el botón de Arranque /* Write your code here ... */ } /* END Events */ /* ** ################################################################### ** ** This file was created by UNIS Processor Expert 2.95 [03.58] ** for the Freescale 56800 series of microcontrollers. ** ** ################################################################### */ 164 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE B B.3. Funciones #include "MC1.h" #include "prototype.h" #define Inv_raiz3 FRAC16(0.577350) /* necesaria en mcgen3PhWaveSine3rdH.... */ #define Un_sexto FRAC16(1.0/6.0) /* necesaria en mcgen3PhWaveSine3rdH.... */ #define Una_medio FRAC16(0.5) /* necesaria en mcgen3PhWaveSine........ */ #define angulo_120_grad FRAC16(120.0/180.0) const Frac16 gfwQUAD_SINE_LUT[(1 << ANCHO_TABLA_SENO) + 1] = { 0, -201, -402, -603, -804, -1005, -1206, -1407, -1608, -1809, -2009, -2210, -2411, -2611, -2811, -3012, -3212, -3412, -3612, -3812, -4011, -4211, -4410, -4609, -4808, -5007, -5205, -5404, -5602, -5800, -5998, -6195, -6393, -6590, -6787, -6983, -7180, -7376, -7571, -7767, -7962, -8157, -8351, -8546, -8740, -8933, -9127, -9319, -9512, -9704, -9896, -10088, -10279, -10469, -10660, -10850, -11039, -11228, -11417, -11605, -11793, -11980, -12167, -12354, -12540, -12725, -12910, -13095, -13279, -13463, -13646, -13828, -14010, -14192, -14373, -14553, -14733, -14912, -15091, -15269, -15447, -15624, -15800, -15976, -16151, -16326, -16500, -16673, -16846, -17018, -17190, -17361, -17531, -17700, -17869, -18037, -18205, -18372, -18538, -18703, -18868, -19032, -19195, -19358, -19520, -19681, -19841, -20001, -20160, -20318, -20475, -20632, -20788, -20943, -21097, -21251, -21403, -21555, -21706, -21856, -22006, -22154, -22302, -22449, -22595, -22740, -22884, -23028, -23170, -23312, -23453, -23593, -23732, -23870, -24008, -24144, -24279, -24414, -24548, -24680, -24812, -24943, -25073, -25202, -25330, -25457, -25583, -25708, -25833, -25956, -26078, -26199, -26320, -26439, -26557, -26674, -26791, -26906, -27020, -27133, -27246, -27357, -27467, -27576, -27684, -27791, -27897, -28002, -28106, -28209, -28311, -28411, -28511, -28610, -28707, -28803, -28899, -28993, -29086, -29178, -29269, -29359, -29448, -29535, -29622, -29707, -29792, -29875, -29957, -30038, -30118, -30196, -30274, -30350, -30425, -30499, -30572, -30644, -30715, -30784, -30853, -30920, -30986, -31050, -31114, -31177, -31238, -31298, -31357, -31415, -31471, -31527, -31581, -31634, -31686, -31737, -31786, -31834, -31881, -31927, -31972, -32015, -32058, -32099, -32138, -32177, -32214, -32251, -32286, -32319, -32352, -32383, -32413, -32442, -32470, -32496, -32522, -32546, -32568, -32590, -32610, -32629, -32647, -32664, -32679, -32693, -32706, -32718, -32729, -32738, -32746, -32753, -32758, -32762, -32766, -32767, -32768}; /* ** =================================================================== */ static Frac16 SinPIx(Frac16 x,const Frac16 *pQuadSineLUT) { Frac16 z, bandera = 0, indice, delta; 165 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE B /* sin(x) = -sin(x) */ if (x > 0) { bandera = 1; x = __negate(x); } /* sin(π*x) = sin(π *(1-x)) */ if (x < FRAC16(-0.5)) { x = __sub(FRAC16(-1.0), x); } x = __negate(x); /* valor absoluto */ indice = x >> (14 - ANCHO_TABLA_SENO); delta = (x & ((1 << (14 - ANCHO_TABLA_SENO)) - 1)) << (1 + ANCHO_TABLA_SENO); z = *(pQuadSineLUT + indice); x = __mult_r(*(pQuadSineLUT + indice + 1) - z, delta); x = __add(x, z); /* x += z; interpolación*/ if (bandera) { if (x == -32768) x += 1; x = __negate(x); /* x = -x; */ } return x; } void MC1_Gen3PhWaveSineIntp(MCGEN_s3PhWaveData *pPhaseDatas,Frac16 fwAmplitude,Frac16 fwPhaseIncrement) { Frac16 fwSampleA, fwSampleB; /* variables temporales para calcular la amplitud */ Frac32 flPhase32; /* variable temporal para calcular el ángulo */ flPhase32 = L_add(L_deposit_l(pPhaseDatas -> fwActualPhase), L_deposit_l(fwPhaseIncrement)); pPhaseDatas -> fwActualPhase = extract_l(flPhase32); /* se guarda la fase actual para la siguiente llamada a la función */ /* Cálculo de la función seno para cada una de las fases */ fwAmplitude = shr(fwAmplitude, 1); fwSampleA = mult_r(fwAmplitude, SinPIx(pPhaseDatas -> fwActualPhase, gfwQUAD_SINE_LUT)); fwSampleB = mult_r(fwAmplitude, SinPIx(extract_l(L_sub(flPhase32, angulo_120_grad)), gfwQUAD_SINE_LUT)); /* Cálculo de pPhaseDatas pPhaseDatas pPhaseDatas fwSampleB)); } los ciclos de trabajo */ -> udtDutyCycle.PhaseA = add(Un_medio, fwSampleA); -> udtDutyCycle.PhaseB = add(Un_medio, fwSampleB); -> udtDutyCycle.PhaseC = sub(Un_medio, add(fwSampleA, void MC1_Gen3PhWaveSine3rdHIntp(MCGEN_s3PhWaveData *pPhaseDatas,Frac16 fwAmplitude,Frac16 fwPhaseIncrement) { Frac16 fwSampleA, fwSampleB, fwSample3rdH; /* variables temporales */ Frac32 flPhase32; /* Cálculo de la amplitud deseada */ 166 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE B fwAmplitude = mult_r(fwAmplitude, Inv_raiz3); flPhase32 = L_add(L_deposit_l(pPhaseDatas -> fwActualPhase), L_deposit_l(fwPhaseIncrement)); /* Se guarda la fase actual para la siguiente llamada a la función */ pPhaseDatas -> fwActualPhase = extract_l(flPhase32); /* Cálculo de la función seno para cada una de las fases */ fwSampleA = SinPIx(pPhaseDatas -> fwActualPhase, gfwQUAD_SINE_LUT); fwSampleB = SinPIx(extract_l(L_sub(flPhase32, angulo_120_grad)), gfwQUAD_SINE_LUT); /* Cálculo de un sexto del tercer armónico */ fwSample3rdH = mult_r(Un_sexto, SinPIx(extract_l(L_add(L_shl(flPhase32, 1), flPhase32)), gfwQUAD_SINE_LUT)); /* Cálculo de los ciclos de trabajo */ pPhaseDatas -> udtDutyCycle.PhaseA = add(Un_medio, mult_r(fwAmplitude, add(fwSample3rdH, fwSampleA))); pPhaseDatas -> udtDutyCycle.PhaseB = add(Un_medio, mult_r(fwAmplitude, add(fwSample3rdH, fwSampleB))); pPhaseDatas -> udtDutyCycle.PhaseC = add(Un_medio, mult_r(fwAmplitude, sub(fwSample3rdH, add(fwSampleA, fwSampleB)))); } 167 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE C Apéndice C INTERFAZ VISUAL EN LA PC C.1. Control y visualización de resultados con páginas WEB mediante el vínculo con el programa FreeMaster La interfaz de visualización se hizo en la PC mediante páginas WEB. Estas páginas WEB de control y visualización que se emplearon en este trabajo fueron realizadas por [34], para más información ver esta referencia. Se desarrollaron con el propósito de presentar y manipular las variables de control desde la PC, éstas son soportadas por el programa FreeMaster de Freescale semiconductor, el cual es una herramienta diseñada para control y visualización de variables programadas en microcontroladores de la familia de DSP56F8X. El control y visualización de resultados con páginas WEB es una herramienta de gran utilidad en la actualidad, debido que se pueden controlar sistemas a distancia por medio del Internet. Una página Web es un documento de hipertexto multimedia, lo cual significa que está formado por: • Textos. • Botones. • Gráficos. • Cuadros de Texto • Imágenes. • Barras de desplazamiento • Sonidos. • Controles ActiveX (Instrumentación • Videos. • Enlaces a otras páginas Web. virtual). Las páginas WEB se escriben en el lenguaje HTML (HyperText Markup Language). Este lenguaje permite ejecutar con facilidad, programas escritos en 168 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE C Javascript, Java y otros lenguajes de programación, lo cual amplía la funcionalidad y dinamismo de las páginas. La gran popularidad que ha logrado Internet, se debe principalmente a las páginas WEB. Actualmente, son empleadas por las empresas para presentar y promocionar productos y servicios, a la vez que efectuar transacciones comerciales electrónicas. El control de sistemas electrónicos está en plena fase de expansión. La figura C.1 presenta la página de bienvenida al control escalar voltaje/frecuencia en lazo abierto que se utilizó para probar la interfaz de potencia. En esta página se insertó una imagen y la leyenda "BIENVENIDO A LA ERA DEL CONTROL DIGITAL", el cual es un texto multimedia que aparece palabra por palabra. Figura C.1. Página HTML de bienvenida al control escalar voltaje/frecuencia de lazo abierto. 169 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica APÉNDICE C La figura C.2 presenta la página Web de control de motor de inducción en donde se insertan texto fijo y multimedia, botones, cuadros de texto, archivos de música (mp3) e imágenes. Los botones controlan las variables de decisión Arranque/Paro (variable “estado”), giro hacia delante/atrás (variable Giro), método de control sinusoidal y sinusoidal más tercer armónico (variable método). Figura C.2. Página de control de motor de inducción. En la página HTML de instrumentación virtual, figura C.3, se insertan indicadores virtuales ActiveX de National Instruments, que tienen las siguientes propiedades: • Style (estilo del indicador) • Numeric (rangos de medición) • Pointer (tipo y cantidad de manecillas) • Format (tipo de dato) 170 IPN SEPI ESIME-ZACATENCO Maestría en Ingeniería Eléctrica • Etiqueta de objetos (variable para manipulación del indicador) • Parámetros (variables utilizadas por el indicador). APÉNDICE C El resultado de ligar las propiedades del indicador virtual con las variables: velocidad, % de amplitud de la fundamental, voltaje del bus de CD y la frecuencia de la red trifásica generada se exponen en la página HTML de la figura C.3. Figura C.3. Página de Instrumentación virtual. Las páginas WEB mostradas son una plataforma inicial encaminada a realizar control por Internet, cargándolas en un servidor y teniendo de respaldo FreeMaster. Este tipo de control por medio de páginas WEB se esta aplicado hoy en día con el fin de control, inspección y registro de los sistemas a distancia. 171