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Courtesy of Kent Bedel. Used with permission.
(Cortesía de Kent Bedel. Reproducido con permiso)
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por 2N3903/D
DATOS TÉCNICOS DEL SEMICONDUCTOR
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(Transistores de propósito general)
Silicio NPN
*Dispositivo preferido por Motorola
COLECTOR
3
2
BASE
1
EMISOR
1
2
3
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Especificación
Símbolo
Valor
Tensión colector-emisor
VCEO
40
Vdc
Tensión colector-base
VCBO
60
Vdc
Tensión emisor-base
VEBO
6,0
Vdc
Corriente del colector — contínua
IC
200
mAdc
Disipación total del dispositivo en TA = 25°C
Degradación por encima de 25°C
PD
625
5,0
mW
mW/°C
Disipación total del dispositivo en TC = 25°C
Degradación por encima de 25°C
PD
1,5
12
Vatios
mW/°C
Margen de temperaturas de la conexión de
funcionamiento y de almacenamiento
TJ, Tstg
– 55 a +150
°C
CAJA 29–04, ESTILO 1
TO–92 (TO–226AA)
Unidad
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS (1)
Característica
Símbolo
Máx.
Unidad
Resistencia térmica, conexión a ambiente
R�JA
200
°C/W
Resistencia térmica, conexión a caja
R�JC
83,3
°C/W
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T A = 25°C si no existe contraindicación)
Característica
Símbolo
Mín.
Máx.
Unidad
CARACTERÍSTICAS DE DESCONEXIÓN
Tensión de ruptura colector-emisor (2)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Tensión de ruptura colector- emisor
(IC = 10 �Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
60
—
Vdc
Tensión de ruptura emisor-base
(IE = 10 �Adc, IC = 0)
V (BR)EBO
6,0
—
Vdc
Corriente de corte de la base
(VCE = 30 Vdc, VEB = 3,0 Vdc)
BLI
—
50
nAdc
Corriente de corte del colector
(VCE = 30 Vdc, VEB = 3,0 Vdc)
ICEX
—
50
nAdc
1. Indica datos, además de requisitos JEDEC.
2. Prueba de impulsos: anchura entre impulsos
� 300 �s; ciclo de funcionamiento � 2,0%.
Los dispositivos preferidos son los recomendados por Motorola para usos futuros y por su mejor precio.
REV 2
 Motorola, Inc. 1996
������ ������
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA = 25°C si no hay contraindicación) (Continuación)
Característica
Símbolo
Mín.
Máx.
Unidad
CARACTERÍSTICAS DE CONEXIÓN
Ganancia de corriente contínua (1)
(IC = 0.1 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
2N3903
2N3904
h
20
40
—
—
(IC = 1,0 mAdc, VCE = 1,0 Vdc)
2N3903
2N3904
35
70
—
—
(IC = 10 mAdc, VCE = 1,0 Vdc)
2N3903
2N3904
50
100
150
300
(IC = 50 mAdc, VCE = 1,0 Vdc)
2N3903
2N3904
30
60
—
—
(IC = 100 mAdc, VCE = 1,0 Vdc)
2N3903
2N3904
15
30
—
—
—
—
0,2
0,3
0,65
—
0,85
0,95
250
300
—
—
FE
Tensión de saturación colector-emisor (1)
(IC = 10 mAdc, IB = 1,0 mAdc)
(IC = 50 mAdc, IB = 5,0 mAdc
VCE(sat)
Tensión de saturación base-emisor (1)
(IC = 10 mAdc, IB = 1,0 mAdc)
(IC = 50 mAdc, IB = 5,0 mAdc)
VBE(sat)
—
Vdc
Vdc
CARACTERÍSTICAS DE PEQUEÑA SEÑAL
Producto de corriente – ganancia— ancho de banda
(IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)
f T
2N3903
2N3904
MHz
Capacitancia de salida
(VCB = 5,0 Vdc, IE = 0, f = 1,0 MHz)
C obo
—
4,0
pF
Capacitancia de entrada
(VEB = 0,5 Vdc, IC = 0, f = 1,0 MHz)
C ibo
—
8,0
pF
1,0
1,0
8,0
10
0,1
0,5
5,0
8,0
50
100
200
400
1,0
40
—
—
6,0
5,0
Impedancia de entrada
(IC = 1,0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1,0 kHz)
kΩ
h ie
2N3903
2N3904
Relación de realimentación de tensión
(IC = 1,0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1,0 kHz)
X 10– 4
h re
2N3903
2N3904
Ganancia de corriente de pequeña señal
(IC = 1,0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1,0 kHz)
h fe
2N3903
2N3904
Admitancia de salida
(IC = 1,0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1,0 kHz)
hoe
Figura de ruido
(IC = 100 �Adc, VCE = 5,0 Vdc, RS = 1,0 k Ω, f = 1,0 kHz)
—
NF
2N3903
2N3904
�mhos
dB
CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN
Tiempo de retardo
Tiempo de subida
Tiempo de
almacenamiento
((VCC = 3,0 Vdc, VBE = 0,5 Vdc,
IC = 10 mAdc, IB1 = 1.0 mAdc)
(V CC = 3,0 Vdc, IC = 10 mAdc,
IB1 = IB2 = 1.0 mAdc)
Tiempo de caída
1. Prueba de impulsos: anchura entre impulsos
2
2N3903
2N3904
� 300 �s; ciclo de funcionamiento � 2,0%.
td
—
35
ns
tr
—
35
ns
ts
—
—
175
200
ns
tf
—
50
ns
Datos de los dispositivos Motorola tales como transistores de pequeña señal, FET y diodos
������ ������
+3 V
CICLO DE FUNCIONAMIENTO= 2%
300 ns
+10,9 V
10 < t1 < 500 �s
t1
CICLO DE FUNCIONAMIENTO = 2%
275
+3 V
+10,9 V
275
10 k
10 k
0
– 0,5 V
CS < 4 pF*
< 1 ns
CS < 4 pF*
1N916
– 9,1 V′
< 1 ns
*Capacitancia total en derivación de la caja de prueba y los conectores
Figura 1. Circuito de prueba del equivalente al
tiempo de retardo y de subida
Figura 2. Circuito de prueba del equivalente
al tiempo de almacenamiento y de caída
CARACTERÍSTICAS TRANSITORIAS TÍPICAS
TJ = 25°C
TJ = 125°C
10
5000
7,0
2000
5,0
Q, CARGA (pC)
CAPACITANCIA (pF)
VCC = 40 V
IC/IB = 10
3000
Cibo
3,0
Cobo
2,0
1000
700
500
QT
300
200
QA
1,0
0,1
0,2 0,3
0,5 0,7 1,0
2,0 3,0
5,0 7,0 10
20 30 40
TENSIÓÓON DE POLARIZACIOÓN INVERSA (VOLTIOS)
Figura 3. Capacitancia
100
70
50
,.0
2,0 3,0
5,0 7,0 10
20
30
50 70 100
200
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
Figura 4. Datos de carga
Datos de los dispositivos Motorola tales como transistores de pequeña señal, FET y diodos
3
������ ������
500
500
TIEMPO (ns)
300
200
100
70
t r, TIEMPO DE SUBIDA (ns)
IC/IB = 10
tr @ VCC = 3.0 V
50
30
20
40 V
VCC = 40 V
IC/IB = 10
300
200
100
70
50
30
20
15 V
10
7
5
10
2.0 V
td @ VOB = 0 V
1,0
2,0 3,0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
7
5
200
1,0
2,0 3,0
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
t s′ ,
300
200
IC/IB = 20
t′s = ts – 1/8 tf
IB1 = IB2
IC/IB = 10
100
70
IC/IB = 20
50
IC/IB = 10
30
20
30
50 70 100
200
VCC = 40 V
IB1 = IB2
IC/IB = 20
IC/IB = 10
30
20
7
5
20
200
100
70
50
10
5.0 7.0 10
50 70 100
300
200
7
5
2,0 3,0
30
500
10
1,0
20
Figura 6. Tiempo de subida
t f , TIEMPO DE CAIÍDA (ns)
TIEMPO DE ALMACENAMIENTO (ns)
Figura 5. Tiempo de conexión
500
5.0 7.0 10
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
1,0
2,0 3,0
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
Figura 7. Tiempo de almacenamiento
Figura 8. Tiempo de caída
CARACTERÍSTICAS DE AUDIO TÍPICAS DE PEQUEÑA SEÑAL
VARIACIONES DE FIGURA DE RUIDO
(VCE = 5,0 Vdc, TA = 25°C, ancho de banda = 1,0 Hz)
RESISTENCIA DE FUENTE = 200
IC = 1.0 mA
10
f = 1,0 kHz
RESISTENCIA DE FUENTE = 200
IC = 0.5 mA
8
6
�
RESISTENCIA DE FUENTE = 1.0 k
IC = 50 A
�
4
2
0
0,1
RESISTENCIA DE FUENTE = 500
IC = 100 A
�
0,2
0,4
1,0
2,0
�
4,0
Figura 9.
IC = 1,0 mA
12
IC = 0.5 mA
10
IC = 50 �A
8
IC = 100 �A
6
4
2
10
f, FRECUENCIA (kHz)
4
14
�
NF, FIGURA DE RUIDO (dB)
NF, FIGURA DE RUIDO (dB)
12
20
40
100
0
0,1
0.2
0.4
1,0
2,0
4,0
10
20
40
100
RS, RESISTENCIA DE FUENTE (k OHMIOS)
Figura 10.
Datos de los dispositivos Motorola tales como transistores de pequeña señal, FET y diodos
������ ������
PARÁMETROS h
(VCE = 10 Vdc, f = 1,0 kHz, TA = 25°C)
hoe, ADMITANCIA DE SALIDA (� mhos)
h fe , GANANCIA DE CORRIENTE
300
200
100
70
50
0,1
0,2
5,0
0,3
0,5
1,0
2,0 3,0
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
h ie , IMPEDANCIA DE ENTRADA (k OHMIOS)
Figura 11. Ganancia de corriente
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.2
5.0
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
50
20
10
5
2
1
10
h re , RELACIÓON DE REALIMENTACIÓON DE TENSIÓON (X 10 –4 )h
30
100
10
0,2
0,3
5,0
0,5
1,0
2,0 3,0
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
10
Figura 12. Admitancia de salida
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
Figura 13. Impedancia de entrada
h FE, GANANCIA DE CORRIENTE CONTIÍNUA (NORMALIZADA)
0,1
0.1
0.2
0.3
5.0
0.5
1.0
2.0 3.0
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
10
Figura 14. Relación de realimentación de tensión
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS TÍPICAS
2,0
TJ = +125°C
VCE = 1,0 V
+25°C
1,0
0,7
– 55°C
0,5
0,3
0,2
0,1
0,1
0,2
0,3
0,5
0,7
1,0
2,0
3,0
5,0
7,0
10
20
30
50
70
100
200
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
Figura 15. Ganancia de corriente contínua
Datos de los dispositivos Motorola tales como transistores de pequeña señal, FET y diodos
5
VCE, TENSIÓON COLECTOR-EMISOR (VOLTIOS)
������ ������
1,0
TJ = 25°C
0,8
IC = 1,0 mA
10 mA
30 mA
100 mA
0,6
0,4
0,2
0
0,01
0,02
0,03
0,05
0,07
0.1
0.2
0.3
0.5
0,7
1,0
2.0
3.0
5,0
7,0
10
IB, CORRIENTE DE BASE (mA)
Figura 16. Región de saturación del colector
1,0
1,2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB =10
0,8
VBE @ VCE =1,0 V
0,6
0,4
VCE(sat) @ IC/IB =10
0
– 55°C A +25°C
– 0,5
– 55°C A +25°C
– 1,0
�VB FOR VBE(sat)
– 1,5
1,0
2,0
5,0
10
20
50
IC, CORRIENTE DE COLECTOR (mA)
Figura 17. Tensiones de conexión
6
�VC PARA VCE(sat)
+25°C A +125°C
0,2
0
+25°C A +125°C
0,5
COEFICIENTE (mV/°C)
V, TENSIÓON (VOLTIOS)
1,0
100
200
– 2,0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
IC, CORRIENTE DE COLECTOR (mA)
Figura 18. Coeficientes de temperatura
Datos de los dispositivos Motorola tales como transistores de pequeña señal, FET y diodos
2N3903 2N3904
DIMENSIONES DEL ENCAPSULADO
A
NOTAS:
1. DIMENSIONAMIENTO Y TOLERANCIA POR ANSI
Y14.5M, 1982.
2. DIMENSIÓÓON DE CONTROL: PULGADA (INCH).
3. NO ESTÁA CONTROLADO EL CONTORNO DEL ENCAPSULADO
MAS ALLA DE LA DIMENSION R.
4. LA DIMENSION F ES APLICABLE ENTRE P Y L.
LAS DI MENSIONES D Y J SON APLICABLES ENTRE L Y K
MINIMA. LA DIMENSION DE DERIVACION NO ESTA
CONTROLADA EN P Y D MAS ALLA DE LA DIMENSION K MINIMA.
B
R
P
L
F
PLANO DE
ASIENTO
K
D
J
X X
G
H
V
C
1
SECCIÓN X–X
N
N
CAJA 029–04
(TO–226AA)
ISSUE AD
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
INCHES
MIN
MAX
0,175
0,205
0,170
0,210
0,125
0,165
0,016
0,022
0,016
0,019
0,045
0,055
0,095
0,105
0,015
0,020
0,500
–––
0,250
–––
0,080
0,105
–––
0,100
0,115
–––
0,135
–––
MILLIMETERS
MIN
MAX
5,20
4,45
4,32
5,33
4.19
3,18
0,41
0,55
0,41
0,48
1,15
1,39
2,42
2,66
0,39
0,50
12,70
–––
6.35
–––
2,66
2,04
–––
2,54
2,93
–––
3,43
–––
ESTILO 1:
CLAVIJA 1. EMISOR
2. BASE
3. COLECTOR
Datos de los dispositivos Motorola tales como transistores de pequeña señal, FET y diodos
7
������ ������
Motorola se reserva el derecho a realizar cambios sin previo aviso en los productos que aquí se indican. Motorola no representa o garantiza la idoneidad de sus
para ningún caso en particular, ni tampoco asume ninguna responsabilidad derivada de la aplicación o el uso de cualquier producto o circuito y, específicamente,
niega toda responsabilidad, incluyendo, sin restricción, los daños resultantes o fortuitos. Los parámetros típicos, que puede proporcionar Motorola en sus hojas de
datos y/o las especificaciones, pueden variar, y de hecho lo hacen, en diferentes aplicaciones y, además, el funcionamiento real puede variar con el tiempo. Los técnicos
expertos que trabajan para los clientes deben validar los parámetros operativos, incluyendo los parámetros típicos, para cada aplicación del cliente. Motorola no
transfiere ninguna licencia bajo sus derechos de patente ni bajo los derechos de ajenos. Los productos de Motorola no son diseñados, ni autorizados
ni tienen como objetivo su uso como componentes de implantes quirúrgicos en el cuerpo u otras aplicaciones que tengan como objetivo el mantenimiento de vida, o
cualquier otra aplicación en la que el fallo del producto de Motorola pueda crear una situación de peligro o muerte para la persona en cuestión. En el caso de que el comprador
adquiriese el producto Motorola para dichos fines no autorizados, éste deberá indemnizar a Motorola y hacerse cargo de todos los gastos jurídicos y daños y
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2N3903/D