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UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA FACULTAD DE INGENIERÍA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANÁLOGA II PRACTICA No. 1 MEDICIÓN DE PARÁMETROS DE TRANSISTORES BJT Y FET OBJETIVO Medir y verificar experimentalmente las características de algunos transistores de unión bipolar y de efecto de campo. Comparar las características obtenidas mediante experimentación con las características suministradas por el fabricante. PRELABORATORIO 1. Consulte los circuitos y técnicas para medir los parámetros que se indican en los siguientes transistores a. JFET: rds, Vp e IDSS b. NPN: hib, hob, hre, hfe, β y re. 2. Para cada uno de los transistores utilizados anexe las características suministradas por el fabricante. PRÁCTICA Pruebe y demuestre en el laboratorio, mediante los circuitos y técnicas implementadas, las características indicadas para cada transistor y compare con los datos suministrados por el fabricante. BIBLIOGRAFÍA 1. Boylestad R. y Nashelsky L. Electrónica: Teoria de Circuitos. Ed. Prentice – Hall. 1997. 4ª Edición en español. Cap 7. Ing. Hugo Fdo. Velasco Peña
