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Acta Microscopica, Vol. 25 Supp. A., 2016
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4° Congreso de la Asociación Argentina de Microscopía (SAMIC 2016)
COMPARACIÓN DE RESULTADOS OBTENIDOS POR LAS TÉCNICAS DE GISAXS Y
HRTEM DE NANOCRISTALES DE ZnSe PRODUCIDOS POR IMPLANTACIÓN A ALTAS
DOSIS
Aguirre Myriam (1), Bojorge Claudia (2), Heredia Eduardo (2), Cánepa Horacio (2), Behar Moni (3), Walsöe de
Reca Noemí (2).
(1) Universidad de Zaragoza, España (2) UNIDEF – CITEDEF, Buenos Aires, Argentina, (3) Universidad de Río Grande
do Sul, Porto Alegre, Brasil.
Email: cbojorge@citedef.gob.ar
La implantación iónica a altas dosis es una técnica muy versátil para la fabricación de nanocristales con muy
altas densidades en regiones próximas a la superficie, siendo aplicable a una gran variedad de materiales. Esta
técnica es también empleada en la encapsulación de nanocristales y quantum dots. Por medio de la implantación
se produce la supersaturación de una impureza en la zona superficial del material huésped y posteriormente,
mediante tratamientos térmicos se provoca la precipitación acompañada de la formación de nanocristales cuando
la impureza es insoluble en la matriz [1]. Se implantaron Iones de Zn+ y Se- en una matriz huésped de SiO2
amorfo, con una dosis de 1016iones / cm2 para ambos. Se seleccionaron las energías de implantación para cada
elemento de modo tal de asegurar la superposición de los perfiles implantados: 220 keV para el cinc y 225 keV
para el selenio. Los perfiles generados por la implantación fueron aproximadamente gaussianos, con un rango
proyectado de 145 nm (según el software SRIM [2]). Después de la implantación las muestras fueron recocidas a
1000ºC durante 8 horas con el fin de formar semiconductores nanocristalinos. Se realizaron difractogramas de
Rayos X en Incidencia Rasante, para corroborar la aparición de los nanocristales. Mediante la fórmula de
Scherrer se estimó el tamaño de cristalitas resultantes. Utilizando Microscopía Electrónica de Transmisión de
Alta Resolución (HRTEM) se obtuvieron micrografías de los perfiles de las muestras y de las partículas (Figura
1.a-b). Se realizó un análisis cuantitativo de las imágenes HRTEM para obtener los tamaños y distribución de
profundidades de los nanocristales de ZnSe. La profundidad de las partículas implantadas es muy próxima a los
rangos proyectados a la correspondiente energía. Las muestras fueron caracterizadas mediante la técnica
Dispersión de Rayos X a bajo ángulo en incidencia rasante (GISAXS) [3]. Las imágenes GISAXS 2D (figura
2.a) fueron analizadas utilizando el programa IsGISAXS 2.6, empleando un modelo de partículas dispersas
(ZnSe) embebidas en una matriz (sílica). El análisis de estas imágenes permitió determinar los tamaños y
distribución de tamaños de las partículas implantadas. El objetivo del presente trabajo fue la comparación de los
resultados obtenidos por GISAXS con los de HRTEM sobre las mismas muestras para corroborar la validez del
modelo empleado (Figura 2b). Los resultados obtenidos por ambas técnicas son concordantes.
REFERENCIAS
[1] Hamm R. W., Hamm M. E., (2012) “Industrial Accelerators and their Applications”, World Scientific Publishing Co.
Pte. Ltd, Singapore, pp. 9–54.
[2] Ziegler J. F., Ziegler M. D., Biersack J. P., (2010) “SRIM – The stopping and range of ions in matter” Nucl. Instrum.
Meth. B. 268(11–12): 1818–1823.
[3] Gibaud A., Dourdai S., Vignaud G.; (2006) “Analysis of mesoporous thin films by X-ray reflectivity, optical reflectivity
and grazing incidence small angle X-ray scattering” Appl. Surf. Sci. 253(1):3-11.
AGRADECIMIENTOS
Los autores quieren agradecer al PIDDEF 017/11, (MINDEF) y al LNLS (Brasil) por los subsidios recibidos para la
realización de este trabajo y la participación en el encuentro.
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FIGURAS
100 nm
50 nm
200 nm
0.2 m
Figura 1a. Imágenes de los perfiles de
ZnSe formado sobre sílica, implantado
con iones de Zn y Se
Figura 1b. Imagen HRTEM de 3 partículas de
ZnSe, 1) en proceso de formación, 2) con
orientación (113), 3) partícula con orientación
[110] de la estructura blenda de cinc, presenta
además fallas de apilamiento y maclas
1,0
frecuencia
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0
10
20
30
40
Radio (nm)
Figura 2a Diagrama GISAXS de un
sustrato de sílica implantado con iones
de Zn y Se
Figura 2b. Distribución lognormal del
tamaño de las partículas implantadas.
Las barras indican los tamaños
obtenidos por microscopía para 2
muestras. La línea continua muestra la
simulación a partir del diagrama
GISAXS