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Unijunction Transistor (UJT)
Un UJT es un semiconductor de tres terminales con la
siguientes construcción:
Consiste de un material de tipo n, pero lightly doped, con
dos contactos de base y una vara de aluminio (material p)
formando un p-n junction.
El material n está lightly doped de forma que cuando el p-n
junction quede forward biased, la conductividad sea
función de la cantidad de huecos inyectados desde la vara
de aluminio.
La vara de aluminio está más cerca del terminal de la base
B2 que del terminal de la base B1.
El símbolo de circuito para el UJT es el siguiente:
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En términos de su funcionamiento, el circuito equivalente
para el UJT es el siguiente:
La posición relativa de la vara de aluminio determina los
valores de RB1 y RB2 para el caso en el que IE = 0 A.
Usando divisor de voltaje obtenemos que cuando IE = 0,
VR B1 
RB1 VBB
  VBB
RB1  RB 2
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donde
RB1
 
RB1  RB 2
El UJT posee la siguiente curva característica.
Una vez el voltaje del emitter alcanza VP, el UJT dispara y
empieza a conducir. Según aumenta la corriente del emitter
se inyectan más huecos al material de silicio haciendo que
aumente su conductividad. Dicho aumento en
conductividad es observado en el comportamiento estilo
resistencia negativa entre VP y VV. Este comportamiento
del UJT es de gran utilidad al diseñar circuitos de disparo
para SCR’s y para generadores de señales no sinusoidales.
Como ejemplo, consideremos el siguiente circuito.
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Para que el UJT dispare se requiere que
V – IP R1 > VP
V - VP > IP R1
V  VP
R1 < I
P
Una vez el UJT dispara y comienza a conducir, el
condensador se descarga. El UJT dejará de conducir
cuando
V – IV R1 < VV
V < VV + IV R1
V VV
IV
< R1
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Por lo tanto, para construir un oscilador no sinusoidal se
requiere que
V VV
IV
< R1 <
V  VP
IP
R2 se escoge de forma que cuando IE = 0, el SCR no dispare
por culpa del voltaje a través de la resistencia RB2.
VR2 =
R2 V
R2  RBB
El condensador C se carga vía la resistencia R1 y se
descarga vía la resistencia RB1 + R2. La siguiente gráfica
muestra las ondas de voltaje.
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