Download Semiconductores

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE BAJA CALIFORNIA
DIRECCION GENERAL DE ASUNTOS ACADEMICOS
PROGRAMA DE ASIGNATURA
I. DATOS DE IDENTIFICACIÓN
1. Unidad Académica
Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería
2. Programa (s) de estudio: (Técnico, Licenciatura)
8. Ciclo Escolar:
Prácticas
2000-1
10. Carácter de la Asignatura:
0
Formuló:
Fecha:
Modalidad de la Práctica: - - - - - - - - -
Obligatoria

Electricidad y Magnetismo
Juan Jesús López García
Vo . Bo.
Cargo:
7. No. de Créditos:
Disciplinaria
Optativa
Teórica
Octubre 2001
5. Clave:
9. Etapa de formación a la que pertenece:
11. Requisitos para cursar la asignatura:
12. Tipología
3. Vigencia del plan: 1994-2
Semiconductores
4. Nombre de la Asignatura
6. No. Horas: Teóricas: 4
Ing. en Electrónica
1615
8
II. PROPÓSITO GENERAL DEL CURSO
Conocer y aplicar la matemática que describe el comportamiento eléctrico de los materiales
semiconductores para comprender el funcionamiento de los dispositivos de estado sólido.
III. OBJETIVOS GENERALES DEL CURSO
Formativo:
Adquirir la capacidad para analizar el funcionamiento interno de dispositivos semiconductores.
Informativo:
- Conocer los diversos materiales semiconductores y sus características eléctricas,
- Describir el comportamiento a nivel atómico de la unión semiconductora,
- Métodos para la elaboración de dispositivos semiconductores.
IV. DESARROLLO POR UNIDADES
Nombre de la Unidad
I. CONCEPTOS DE FÍSICA CUÁNTICA
Objetivos
.
Contenido Temático:
Duración:
1.1 El átomo de Bohr
1.2 Dualidad onda-partícula
1.2.1 Teoría cuántica de Planck
1.2.2 Relación de De Broglie.
1.2.3 Función de Schrödinger.
1.2.4 Principio de incertidumbre de Heisenberg.
1.2.5 Principio de exclusión de Pauli.
1.3 Funciones de distribución
1.3.1 De Maxwell-Boltzman.
1.3.2 De Fermi-Dirac
1.3.3 De Bose-Einstein.
1.4 Teoría de las bandas de energía
1.4.1 Teorema de Bloch.
1.4.2 Modelo de Kronig-Penney.
22 hrs.
IV. DESARROLLO POR UNIDADES
Nombre de la Unidad
II. INTRODUCCIÓN A SEMICONDUCTORES
Objetivos
.
Contenido Temático:
Duración: 12 hrs.
2.1 Huecos y electrónes
2.1.1 Masa efectiva.
2.1.2 Movilidad.
2.2 Semiconductores intrínsecos
2.2.1 Niveles de conducción, valencia y Fermi.
2.2.2 Conductividad.
2.3 Semiconductores extrínsecos
2.3.1 Niveles de conducción, valencia y Fermi.
2.3.2 Conductividad.
2.4 Movimiento de los portadores de carga
2.4.1 Conductividad intrínseca y extrínseca.
2.4.2 Fenómeno de difusión.
2.5 Efecto Hall
2.6 Fenómeno de fotoconductividad
IV. DESARROLLO POR UNIDADES
Nombre de la Unidad
III. UNIONES Y CONTACTOS
Objetivos
.
Contenido Temático:
Duración:
3.1 Introducción.
3.1.1 Unión.
3.1.2 Contacto.
3.1.3 Función de trabajo y afinidad electrónica.
3.2 Contacto semiconductor-semiconductor
3.2.1 Gradual y abrupto.
3.2.2 Potencial de contacto.
3.2.3 Capacidad de contacto.
3.2.4 Comportamiento eléctrico.
3.3 Contacto metal-semiconductor
3.3.1 Ohmico.
3.3.2 Rectificante.
3.4 Unión metal-metal
3.5 Contactos heterounión
3.5.1 Emisor de luz laser.
3.6 Fenómenos de ruptura.
3.6.1 Avalancha.
3.6.2 Tunel.
3.7 Efecto fotoeléctrico.
15 hrs.
IV. DESARROLLO POR UNIDADES
Nombre de la Unidad
IV. FABRICACION DE DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES
Objetivos
.
Contenido Temático:
Duración:
4.1 Introducción
4.1.1 Materiales semiconductores típicos.
4.2 Circuitos integrados
4.2.1 Métodos epitaxiales.
10 hrs.
V. METODOLOGIA DE TRABAJO
 Exposición oral del docente.
 Solución a ejemplos tipo sobre análisis de uniones en clase.
 Graficación de ecuaciones usando software para simulación (se recomienda usar “MathCAD” ó
“Matlab”).
VI. CRITERIOS DE EVALUACION
 Solución a un cuestionario por unidad.
 Examen escrito por unidad.
 Examen final.
VI. BIBLIOGRAFÍA
Básica
Complementaria
- Physics Electronics
Henry M. Hemenway
Edit. Willey
- Física del Estado Sólido y de Semiconductores
John P. Mckelvey
Edit. Limusa
- Electrónica Física del Estado Sólido
Aldert Van Der Ziel
- Dispositivos y Circuitos Electrónicos
Jacob Millman/C.C. Halkias
Edit. Pirámide
Edit. Prentice Hall