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UNIVERSIDAD SIMÓN BOLÍVAR
DIVISIÓN
DEPARTAMENTO
ASIGNATURA
HORAS/SEMANA
VIGENCIA
FÍSICA Y MATEMÁTICAS
ELECTRÓNICA Y CIRCUITOS
EC1167 INTRODUCCIÓN A LOS CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS
T 4
P
1
L
0
U 3
Desde
Sept. 1990
Hasta
PROGRAMA
1. INTRODUCCIÓN A LOS CIRCUITOS ELECTRÓNICOS. Descripción de los
materiales y de los mecanismos de conducción en dispositivos electrónicos. (1
semana).
2. AMPLIFICADORES OPERACIONALES. Configuraciones circuitales básicas
con amplificadores operacionales ideales. Limitaciones de los amplificadores
operacionales reales. (2 semanas).
3. DIODOS. Modelos circuitales para grandes y para pequeñas señales: región directa
y región de ruptura inversa. El diodo Zener. Circuitos con diodos. ( 1 ½ semanas).
4. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. El transistor de efecto de campo
de compuerta aislada. El transistor de efecto de campo de juntura. Comportamiento
para grandes y para pequeñas señales. Análisis y diseño de configuraciones básicas.
(3 semanas).
5. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA. El transistor bipolar de juntura.
Comportamiento para grandes y para pequeñas señales. El modelo híbrido PI.
Análisis y diseño de configuraciones básicas. Introducción al análisis de circuitos
multietapa: el amplificador diferencial. (3 semanas).
BIBLIOGRAFÍA
- Sedra & Smith, “Microelectronic Circuits”.
- Gray & Meyer, “Analisis and Designs of Analog Integrated Circuits”.
UNIVERSIDAD SIMÓN BOLÍVAR
DIVISIÓN
DEPARTAMENTO
ASIGNATURA
HORAS/SEMANA
REVISIÓN
FÍSICA Y MATEMÁTICAS
ELECTRÓNICA Y CIRCUITOS
EC1167 INTRODUCCIÓN A LOS CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS
T 4
P
1
L
0
U 3
O.Escalona
Nov. 98
OBJETIVOS
•
•
•
Adquirir conocimientos básicos sobre los principios físicos y modelos circuitales de
los dispositivos electrónicos más importantes.
Desarrollar habilidades y técnicas de análisis de circuitos electrónicos sencillos,
aplicando los conocimientos básicos de análisis de circuitos eléctricos (Redes
Eléctricas EC1251).
Familiarizar al estudiante con la noción de Sistemas Electrónicos integrando
elementos circuitales, dispositivos electrónicos y amplificadores operacionales.
PROGRAMA
1. INTRODUCCIÓN A LOS CIRCUITOS ELECTRÓNICOS. Descripción de los
materiales y de los mecanismos de conducción en dispositivos electrónicos. (1
semana).
2. DIODOS. La unión P-N. Modelo circuital del diodo: región directa y región de
ruptura inversa. Circuitos rectificadores. El diodo Zener. Circuitos reguladores de
voltaje. Otros circuitos con diodos: recortadores, fijadores, duplicador de voltaje,
detector de AM. ( 2 semanas).
3. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. El transistor de efecto de campo
de compuerta aislada (MOS-FET). El transistor de efecto de campo de juntura
(JFET). Polarización (DC) de circuitos amplificadores. La línea de carga.
Comportamiento para grandes señales. Modelos de pequeña señal de los MOSFETs. Análisis AC de pequeña señal y diseño de configuraciones básicas. Circuito
par diferencial con MOS-FETs, el factor CMRR. (3 semanas).
4. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA. El transistor bipolar de
juntura(BJT). Polarización (DC) de circuitos amplificadores. Comportamiento para
grandes señales. Modelos de pequeña señal de los BJT. Análisis AC de pequeña
señal y diseño de configuraciones básicas. (3 semanas).
5. AMPLIFICADORES OPERACIONALES. Configuraciones circuitales básicas
con amplificadores operacionales ideales. Limitaciones de los amplificadores
operacionales reales. (2 semanas).
BIBLIOGRAFÍA
- Sedra & Smith, “Microelectronic Circuits”.
- Mark Horenstein, “Microelectronica: Circuitos y Dispositivos”, 2da Ed.