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INVESTIGACIONES CON POSIBILIDAD DE APLICACIÓN EN LA INGENIERÍA MILITAR - Artículo de reflexión Reflexión sobre una nueva tecnología electrónica, El Memristor / Reflection on a new electronic technology, The Memristor John Jairo Leal Gómez Msc. Matemática Aplicada, Docente Investigador Universidad Cooperativa de Colombia. johnjairoleal@gmail.com Página Fecha de recepción: 15/09/2014 Fecha de aceptación: 15/10/2014 81 Resumen Keywords En el documento se hará una breve contextualización del concepto propuesto por el profesor Leon O. Chua en 1971, el memristor. Se presenta el contexto en el que surgió, sus relaciones principales y las posibles aplicaciones en campos como la ingeniería y el área militar. Memristor, elements, circuits. Palabras clave Memristor, elementos, circuitos. Abstract Provide a brief contextualization of the concept proposed by Professor Leon O. Chua in 1971, the memristor in the document. The context in which their primary relationships and potential applications in fields such as engineering and the military area emerged is presented. 1 Ley de Ohm Para citar este artículo / To cite this article J. Leal. Reflexión sibre na nueva tecnología electrónica, El Memristor. Revista Ingenieros Militares, No.9, pp. 81-84. 2014. Introducción En 1971 el profesor Leon O. Chua, estudiando las relaciones existentes entre las cantidades físicas tensión (υ), corriente (i), flujo (φ) y carga (q) y los elementos que las relacionan, encuentra que el resistor relaciona la tensión y la corriente1, υ=iR donde R es el valor de la resistencia, el capacitor relaciona la tensión y la carga q= Cυ donde C es el valor de la capacitancia, y el inductor relaciona el flujo y la corriente φ=Li donde L es el valor de la inductancia. El profesor Chua propone la existencia de un elemento que relacione de manera directa el flujo φ y la carga q, el cual se denominó memristor, una resistencia con memoria que posiblemente produzca una revolución semejante a la que produjo el transistor. - REVISTA INGENIEROS MILITARES REFLEXIÓN SOBRE UNA NUEVA TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA, EL MEMRISTOR ESING En 2008 Hewlett Packard (HP) construye un dispositivo nanométrico hecho con dióxido de titanio Tio_2 y Tio_(2-X) dióxido de titanio con dopaje2, entre un par de electrodos metálicos. Al realizar los análisis correspondientes encontraron que el dispositivo tenía un comportamiento similar al memristor pro- puesto por el profesor Chua [1] y publican el artículo titulado “The memristor found” indicando que habían encontrado el memristor. Página 82 - REVISTA INGENIEROS MILITARES número 9, Año 2014, ISSN 2145-3144 / BOGOTÁ-COLOMBIA / páginas 81-84 ESING En [2] se considera como el cuarto elemento básico3 de circuitos pues permite por simetría completar las relaciones entre las cantidades del circuito tensión, corriente, carga y el flujo magnético, (figura 1). También se considera como una resistencia variable que satisface que a tensión de entrada cero v = 0, la corriente de respuesta sea cero i = 0. El dispositivo recuerda su último estado de polarización, esto quiere decir que si un dispositivo estuviera diseñado con memristores, recordaría el estado de polarización que tuvo la última vez que fue operado. Cuando se aplica una señal de tensión de entrada senoidal o periódica, la respuesta es una curva de histéresis (un ocho o curva pinchada), esto quiere decir que la respuesta es una señal periódica de corriente, y cuando se grafica υ vs i se produce una curva como la que se puede ver en la figura 2. El memristor entonces se define como cualquier elemento que relacione el flujo φ con la carga q [3], además se considera como una resistencia, por tanto se debe cumplir que la memristancia debe relacionar la tensión con la corriente, de manera que v = M (q)i y así el memristor debe tener unidades de resistencia Ω Ohmios para mantener las unidades. De otra parte debe satisfacer que la variación del flujo respecto a la carga deba ser la memristancia, es decir que la pendiente en la curva de flujo contra carga debe ser M (q), esto es: M(q)= dφ dq (1) Memristor de hewlett packard El dispositivo diseñado por los laboratorios HP en 2008 [4], y que abre la discusión acerca del nuevo dispositivo propuesto por Chua en 1971, no tardó en ser analizado ampliamente en la literatura, en esta sección se presenta un breve análisis del comportamiento del dispositivo y su funcionamiento. El Memristor de los laboratorios HP es un dispositivo nanométrico que está hecho con dióxido de titanio TiO_2 , al cual se le extraen x-iones quedando una parte como iO_(2-x) de oxígeno de tal forma que permanece dopado, ver figura 3. Cuando el dispositivo se polariza, los iones se empiezan a mover produciendo un cambio en la estructura del material y un cambio en el valor de la resistencia del memristor, si la tensión se suspende, el valor de la resistencia queda almacenado, razón por la cual se ha pensado que el dispositivo se pueda utilizar como un switch, pues se puede pasar de un estado de alta resistencia cuando se inicia el proceso, a un estado de baja resistencia cuando los iones se han movido suficientemente. Figura 1. Relación entre las cantidades eléctricas completas. 2 3 Al dióxido de titanio se le extraen iones de oxígeno quedando dopado el material Se denomina básico porque no se puede construir a partir de los otros tres elementos directamente Figura 2. Curva de histéresis característica Actualmente los laboratorios de Hewlett Packard siguen trabajando en el memristor, sin embargo han tenido dificultades técnicas al probar las nanométricas capas de memristores que han logrado construir, esto puede ser debido a que así como se propuso la construcción del memristor los iones se deban mover, lo que significa que se está produciendo un cambio en la estructura del material dopado, liberando grandes cantidades de energía lo que no ha permitido el avance en la construcción propia del dispositivo. tas de aplicaciones están siendo desarrolladas en teoría. A continuación se plantean algunas ventajas y aplicaciones que se pueden tener si la tecnología con el memristor se logra implementar: El uso de la energía será más eficiente en los aparatos electrónicos, puesto que cada vez que se apague, la información se almacenará y por tanto no se requerirá hacer procesos como los actuales en los cuales es necesario hacer una rutina de inicio por ejemplo, con los computadores o teléfonos [5]. También permitirá que el tiempo entre cargas sea mayor, porque la energía se utiliza más eficientemente. Se construirán dispositivos de memoria con mayor capacidad de almacenamiento y de tamaños más reducidos. Tal vez los equipos no requerirán disco duro, considerando que dentro del memristor se pueden hacer operaciones lógicas y almacenamiento de información [6], lo que reducirá considerablemente los costos del software así como el aumento en sus velocidades de procesamiento y programación en paralelo [7]. Algunas aplicaciones militares como el reconocimiento de imágenes, el diseño de dispositivos con memoria, emulación de sinapsis o conexiones neuronales, a partir de sistemas neuromórficos [8]. Diseño de sistemas expertos (Inteligencia Artificial) y sistemas controlados con memristores. Seguridad en el manejo de información de entidades de inteligencia militar y del estado, a través del desarrollo de cyber seguridad de hardware [9]. Conclusiones Figura 3. Construcción de un memristor a nivel manométrico entre cátodos de platino y una capa aislante de TiO2 y una capa dopada con vacancias de oxígeno TiO2-x Aplicaciones del memristor Sin embargo y a pesar de que el dispositivo aún se encuentra en prototipo, algunas propues- El desarrollo de esta tecnología permitirá la realización de operaciones computacionales complejas como encendidos instantáneos, almacenamiento y procesamiento de altos volúmenes de datos. Este dispositivo está abriendo la puerta a una nueva electrónica a nanoescala con la generación de circuitos de alta densidad, a través de memoria no volátil y RAM. Caracterizados por la reducción de tamaños y la disipación de menor cantidad de calor que los transistores. Página 83 ESING - REVISTA INGENIEROS MILITARES REFLEXIÓN SOBRE UNA NUEVA TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA, EL MEMRISTOR Por otra parte, y debido a esta misma propiedad del memristor, también se ha pensado en que se pueda hacer computación analógica, es decir no utilizar solamente ceros y unos como se está haciendo actualmente, sino que será posible utilizar todos los valores de resistencia entre un valor mínimo y un valor máximo. El memristor como nuevo elemento de circuitos básico está aún en desarrollo, si bien es cierto que se conocen propiedades matemáticas, físicas y eléctricas del memristor, es necesario aumentar las investigaciones al respecto para lograr mejorar los sistemas de computación y comprender otras posibles aplicaciones del dispositivo. Referencias Página 84 [1] L.O. Chua, “Memristor: the missing circuit element”, IEEE Trans. Circuit Theory, vol. 18, pp. 507-519, 1971. [2] L.O. Chua., “The Fourth Element” Proceedings of the IEEE, vol.100, no.6, pp.1920, 1927, June 2012 [3] L.O. Chua, “Resistance switching memories are memristors”, Applied Physics A, Materials Science and Processing, 765-783, 2011. - REVISTA INGENIEROS MILITARES número 9, Año 2014, ISSN 2145-3144 / BOGOTÁ-COLOMBIA ESING [4] D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S.Williams “The missing memristor found”, Nature, vol.453, pp. 80-83, 1 Maggio 2008. [5] T. Prodromakis, K. Michelakis, C. Toumazou, “Switching Mechanisms in Microscale Memristors,” Electronics Letters, 46(1). 2010. [6] Y. Ho, G. M Huang, P. Li, “Nonvolatile Memristor Memory: Device characteristics an design implications”. ICCAD, 485-490, 2009. [7] S. H. Jo, T. Chang, I. Ebong, B. B. Bhadviya, P. Mazumder, and W. Lu, ”Nanoscale Memristor Device as Synapse in Neuromorphic Systems”, Nano Lett., vol. 10, no. 4, pp. 1297-1301, 2010. [8] P. Mazumder. S. Mo Kang. & R. Waser. “Memristors: Devices, Models, and Applications.” Scanning the Issue, Proceedings of the IEEE, vol 100, no. 6, June 2012. [9] M. J Shevenell., J.L. Shumaker., A.H. Edwards & R.E. Pino. “Memristors and the future of Cyber Security Hardware.” En R. E. Pino. (ed) Network Science and Cybersecurity, Advances in Information Security. Springer Science Business Media New York. 2014.