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REPÚBLICA DE PANAMÁ
MINISTERIO DE EDUCACIÓN
DIRECCIÓN REGIONAL DE EDUCACIÓN DE VERAGUAS
INSTITUTO PROFESIONAL Y TÉCNICO DE VERAGUAS
TALLER IV
CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS
11° GRADO
PREPARADO POR:
BOLÍVAR QUINTERO
TALLER IV CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 11°
PREPARADO POR: PROFESOR BOLÍVAR QUINTERO
2
:
 Electromagnetismo
:
 Materiales semiconductores
 Teoría de diodos
2012
“Recuerda que el estudio es carrera de resistencia, esfuérzate un poco y lo lograras “
Nan
 Electromagnetismo
Los fenómenos magnéticos fueron conocidos por los antiguos griegos. Se dice que
por primera vez se observaron en la ciudad de “Magnesia” en Asia Menor, de ahí
el término magnetismo. Sabían que ciertas piedras atraían el hierro y que los
trocitos de hierro atraídos, atraían a su vez a otros, y así sucesivamente. A estas
piedras se les denominó imanes naturales. El norte geográfico de la Tierra es un
polo sur magnético debido a que atrae el. polo norte de un imán. De la misma
forma, el polo sur geográfico es un polo norte magnético. La tierra se comporta
como un imán orientado como lo indica la figura. Este concepto se mantuvo a
través de los siglos, y después de haber sido desarrollado matemáticamente por
Karl Friedrich Gauss, es hoy concepto
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ELECTROMAGNETISMO
Campos magnéticos y electricidad En 1813, Hans Christian Oersted predijo que se hallaría una
conexión entre la electricidad y el magnetismo. En 1819 colocó una brújula cerca de un hilo
recorrido por una corriente y observó que la aguja magnética se desviaba. Con ello demostró que
las corrientes eléctricas producen campos magnéticos. Aquí vemos cómo las líneas de campo
magnético rodean el cable por el que fluye la corriente.
El movimiento de la aguja de una brújula en las proximidades de un conductor por el que circula
una corriente indica la presencia de un campo magnético (véase Magnetismo) alrededor del
conductor. Cuando dos conductores paralelos son recorridos cada uno por una corriente, los
conductores se atraen si ambas corrientes fluyen en el mismo sentido y se repelen cuando fluyen
en sentidos opuestos. El campo magnético creado por la corriente que fluye en una espira de
alambre es tal que si se suspende la espira cerca de la Tierra se comporta como un imán o una
brújula, y oscila hasta que la espira forma un ángulo recto con la línea que une los dos polos
magnéticos terrestres.
Puede considerarse que el campo magnético en torno a un conductor rectilíneo por el que fluye
una corriente se extiende desde el conductor igual que las ondas creadas cuando se tira una
piedra al agua. Las líneas de fuerza del campo magnético tienen sentido antihorario cuando se
observa el conductor en el mismo sentido en que se desplazan los electrones. El campo en torno
al conductor es estacionario mientras la corriente fluya por él de forma uniforme.
Cuando un conductor se mueve de forma que atraviesa las líneas de fuerza de un campo
magnético, este campo actúa sobre los electrones libres del conductor desplazándolos y creando
una diferencia de potencial y un flujo de corriente en el mismo. Se produce el mismo efecto si el
campo magnético es estacionario y el cable se mueve que si el campo se mueve y el cable
permanece estacionario. Cuando una corriente empieza a circular por un conductor, se genera un
campo magnético que parte del conductor. Este campo atraviesa el propio conductor e induce en
él una corriente en sentido opuesto a la corriente que lo causó (según la llamada regla de Lenz).
En un cable recto este efecto es muy pequeño, pero si el cable se arrolla para formar una bobina,
el efecto se amplía ya que los campos generados por cada espira de la bobina cortan las espiras
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vecinas e inducen también una corriente en ellas. El resultado es que cuando se conecta una
bobina así a una fuente de diferencia de potencial, impide el flujo de corriente cuando empieza a
aplicarse la diferencia de potencial. De forma similar, cuando se elimina la diferencia de
potencial, el campo magnético se desvanece, y las líneas de fuerza vuelven a cortar las espiras de
la bobina. La corriente inducida en estas circunstancias tiene el mismo sentido que la corriente
original, y la bobina tiende a mantener el flujo de corriente. Debido a estas propiedades, una
bobina se resiste a los cambios en el flujo de corriente, por lo que se dice que posee inercia
eléctrica o autoinducción. Esta inercia tiene poca importancia en circuitos de corriente continua,
ya que no se observa cuando la corriente fluye de forma continuada, pero es muy importante en
los circuitos de corriente alterna.
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 Materiales semiconductores
 Teoría de diodos
En general, todos los materiales se clasifican en tres categorías
principales: conductores, aisladores, y semiconductores. Estas categorías se
han desarrollado con base en la capacidad del material, de permitir un flujo
o corriente eléctrica, dependiendo de su estructura atómica. Entre los
buenos conductores y los buenos aisladores se encuentran los materiales que
no son una cosa ni la otra, se les denominan semiconductores, entre ellos el
silicio, germanio, grafito, sulfuro de cadmio, arseniuro de galio.
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INTRODUCCIÓN
En electrónica se usan gran cantidad de componentes para conducir, controlar,
seleccionar, dirigir, interrumpir, almacenar, en general para manipular corriente eléctrica, entre
estos componentes tenemos a los pasivos, electromecánicos, las pilas y baterías, transductores,
semiconductores.
Los semiconductores han revolucionado el campo de la electrónica; un semiconductor se
comporta indistintamente como un aislante, un conductor al alterarse bajo ciertas condiciones o
estímulos externos como: luz, calor, temperatura, campo magnético, señales eléctricas de voltaje
o corriente. A los semiconductores se les conoce dispositivos de estado sólido, y se dispone
actualmente de diodos, transistores bipolares, transistores de efecto de campo, tiristores, circuitos
integrados, microprocesadores, microcontroladores.
Estructura de la materia
Todos los tipos de materia que se encuentran en la naturaleza están compuestos por
partículas pequeñas llamados átomos y estos a su vez están formados por orbitas en las cuales
giran los electrones con carga negativa y en el núcleo están los protones con carga positiva junto
con los neutrones de carga neutra; esas cargas forman el campo eléctrico de fuerzas dentro del
átomo y cuando las cargas positivas son iguales a las cargas negativas el átomo esta
eléctricamente en equilibrio fig. 1. El átomo se encuentra en desequilibrio eléctrico cuando es
posible transferir electrones de una sustancia a otra y deja de existir la distribución normal.
electrones
núcleo
(protones y neutrones)
orbita
o niveles de energía
Fig. 1
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Semiconductores
En los semiconductores los electrones están unidos a los núcleos, excepto los que giran
en la orbita exterior que se mueven de un átomo a otro de manera casual y son llamados
electrones libres o de valencia . fig. 2.
Si el movimiento casual de los electrones libres se controla de modo que los electrones se
muevan en la misma dirección resultaría un flujo de electrones denominado corriente eléctrica.
Los conductores como el cobre, plata, oro tienen muy pocos electrones en la banda de valencia,
por lo general uno, y son débilmente atraídos por el núcleo, por lo que pueden escapar fácilmente
del átomo y convertirse en electrones libres fig. 3. Los aislantes tiene ocho electrones de valencia
por lo general y están fuertemente ligados al núcleo, por lo que son difíciles de convertirlos en
electrones libres.
Fig. 2. átomo de silicio
Fig. 3. átomo de cobre
Electrones y huecos en movimiento, constituyen una corriente eléctrica “los huecos” sólo
pueden existir en un material semiconductor, ya que los huecos dependen para su existencia de
un arreglo específico de electrones (o uniones pareadas de electrones). En los materiales
conductores no existen los huecos. Los huecos se desvían mediante campos eléctricos y
magnéticos al igual que los electrones. Por lo tanto en un semiconductor por el que circula
corriente hay un movimiento permanente de electrones y huecos moviéndose en direcciones
opuestas ya que el número de electrones
libres es siempre igual al número de huecos. El flujo de electrones (corriente real) es siempre de
la misma magnitud que la corriente de huecos (corriente convencional). Los electrones libres y
los huecos reciben a menudo la denominación de portadores debido a que transportan la carga
eléctrica. Cuando hay corriente de electrones también existe una corriente de huecos al mismo
tiempo y por el mismo camino, pero en sentido contrario. Fig. 4a y 4b.
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- - - - - - - - - - -
++ + + +
++ + + +
+ -
+ -
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Fig. 4 a. corriente de electrones.
Fig. 4 b. corriente de huecos.
La mayoría de los sólidos (excepto aquellos que muestran una estructura biológica) tiene
una estructura cristalográfica o de cristal, como los semiconductores de silicio y germanio cuyos
electrones de valencia están unidos, y que bajo condiciones normales, son malos conductores, al
material ser sometido a excitaciones externas las uniones pareadas de electrones se separan y
ocurre la conducción eléctrica parcial.
El silicio y germanio se caracterizan por ser elementos tetravalentes o sea tener cuatro
electrones de valencia en su última capa; estos electrones forman enlaces con los electrones de
valencia de los átomos adyacentes produciendo un patrón tridimensional regular llamada red
cristalina. Cada átomo comparte sus electrones de valencia hasta quedar químicamente estable,
es decir con ocho electrones en su órbita externa. Fig. 5., 6a, 6b.
Fig. 5
Átomos que pueden verse
En esta imagen, obtenida con un microscopio túnel de barrido, pueden verse los átomos
individuales dispuestos de forma uniforme en la superficie de un cristal de germanio. Si se
colocaran uno junto a otro, 100 millones de estos átomos apenas cubrirían 1 centímetro. Como
son cientos de veces menores que la longitud de onda de la luz visible no pueden verse con
ningún microscopio óptico. Los colores de la imagen son falsos, creados por ordenador o
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computadora. El microscopio túnel de barrido determina el perfil de una superficie a escala
atómica detectando la corriente eléctrica que fluye de la superficie a la punta de una fina sonda
metálica.
Fig. 6a
Fig. 6b
Los semiconductores son intrínseco o puro y es cuando se encuentran en estado de
pureza, libre de otra sustancia, son completamente aislantes la electricidad y raramente son
usados en electrónica ya que por su estado natural poseen muy pocos electrones libres y
necesitan de altas cantidades de energía para transportar corriente, tienen una alta resistencia. Fig
7a y 7b.
Fig. 7 a
I ≈ 0
Fig. 7 b
R ≈ alta
puro
Son semiconductores extrínsecos, cuando tiene una resistencia baja y por lo tanto circula
corriente alta, pueden ser de tipo N o donador y de tipo P o aceptador. Fig. 8a y 8b
R ≈ baja
impurezas
+ -
+ i ≈ alta
Fig. 8 a
Fig. 8 b
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Impurezas
Son sustancias llamadas dopantes o contaminantes que se encuentran en su estado natural
y son agregados intencionalmente en los cristales de silicio o germanio en cantidades pequeñas y
controladas y determinan las características eléctricas. Pueden ser pentavalentes o trivalentes.
Impurezas de elementos pentavalentes para la formación de cristal donador
Estas sustancias tienen cinco electrones de valencia en su envoltura exterior. Entre los
elementos pentavalentes tenemos al arsénico, fósforo, antimonio que producen un exceso de
electrones. Cuatro de los cinco electrones de valencia del átomo dopante forman enlaces
covalentes con los cuatro átomos vecinos. El electrón libre restante no queda ligado a ningún
átomo y es libre de moverse a través del semiconductor (cristal), convirtiéndose en un portador
potencial de corriente, o semiconductor tipo N, este semiconductor tiene exceso de electrones
libres o carga negativa que huecos (carga positiva o deficiencia de electrones) , por ende se les
conoce como un semiconductor de portadores mayoritarios de electrones, y portadores
minoritarios de huecos. Fig. 9.
Fig. 9
Impurezas de elementos trivalentes para la formación de cristal aceptador
Estas sustancias tienen tres electrones de valencia en su envoltura exterior. Entre los
elementos trivalentes tenemos al aluminio, boro, galio, indio y producen una deficiencia de
electrones o exceso de huecos. Los cristales que son dopados o contienen impurezas de
elementos trivalentes son semiconductores de tipo P, ya que tres electrones de valencia del
átomo dopante forman enlaces covalentes con tres átomos vecinos de silicio o de germanio,
en donde el electrón faltante (hueco o carga positiva libre), es capaz de atraer un electrón
externo. Un semiconductor tipo P tiene más huecos que electrones por eso a los huecos se
les llama portadores mayoritarios y a los electrones libres portadores minoritarios. Fig. 10.
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Fig. 10
Uniones PN
Los semiconductores tipo n y tipo p, independientes no tiene uso práctico, sólo si se
dopan lo suficiente en exceso y se usan como resistencias dependientes de la temperatura. La
unión PN es más útil en dispositivos de diodos, transistores, tiristores, CI, microprocesadores, microcontroladores; están basados en la
combinación de capas alternadas de materiales tipo n y p.
Para construir un dispositivo de unión PN de estado sólido, se sigue el siguiente proceso, que se muestra de manera convencional en las
siguientes figuras de la 11 a –
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taje llamada región de agotamiento en la frontera de los dos materiales, la cual impide el paso
de un mayor número de portadores mayoritarios de un lado a otro, fig. 11 e.
Fig. 11 a
+ - + - de
+ -barrera
Silicio es
puro
+-++0.7
- +v-para
+ - Silicio
+ -silicio
+ - 11y ade
Fig.
El potencial
aproximadamente
la uniónpuro
PN de
0.3
Fig. 11 b
+ - + - + - Silicio + - + - + -
+ - + - + - Silicio + - + - + Fig.
- 11 b
Impurezas trivalentes
Deficiencia de electrones
impurezas pentavalentes
exceso de electrones
Fig. 11 c
- - - - - - - - - - - - - tipo N - - - - + + + + + + + + tipo P + + + +
Fig. 11 c
v las de germanio.
---Al aplicar un voltaje externo fig. 11 f impurezas
el efecto de la barrera de potencial se atenúa, y
bajo
fig. 11 d
+ + + + + + tipo P + + + - -
Fig. 11 e
unión
PN sin
polarizar
+ + + + + + tipo P + + +
+ +
- - - - - - - - - tipo N - -Fig.
- - -11d
Barrera de potencial
en formación
- - - - - - - - - tipo N - - - -
+fig.
11
f
V
= 0.7(progresiva),
v
D
esta condición conocida como polarización directa
el polo positivo de la fuente
repela a los huecos del material P y el polo negativo repela a los electrones libres del
material N, permitiendo que atraviesen la unión y la zona de agotamiento se estrecha y
P
N
unión presenta unatipo
resistencia
baja al paso de la corrientetipo
comportándose
como un
conductor.
zona de agotamiento pequeña
un voltaje
Unión Al aplicar
polarización
directaexterno fig. 11 g, el efecto de la barrera+ se -acentúa, y bajo esta
PN
condición,
la polarización es inversa, el polo positivo de la fuente atrae a los electrones libres del
Polarizada
fig. 11 g
material tipo N y el polo negativo de la fuente atrae a los huecos del material
tipo
P
y
la
zona
de
tipo N
tipo P
agotamiento se ensancha por lo que la unión PN presenta una resistencia alta al paso de la
zona de agotamiento amplio
corriente y se
comporta como
un aislante. Algunos portadores minoritarios
en el material
polarización
inversa
- (huecos
+
tipo N y electrones en el una
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En la unión PN existe un exceso de electrones libres en el material tipo N y huecos en el
material tipo P. Algunos electrones del lado N serán atraídos por algunos huecos del lado P y
viceversa, fig. 11 d, hasta formar una barrera de voltaje llamada región de agotamiento en la
frontera de los dos materiales, la cual impide el paso de un mayor número de portadores
mayoritarios de un lado a otro, fig. 11 e.
El potencial de barrera es aproximadamente 0.7 v para la unión PN de silicio y de
0.3 v las de germanio.
Al aplicar un voltaje externo fig. 11 f el efecto de la barrera de potencial se atenúa, y
bajo esta condición conocida como polarización directa (progresiva), el polo positivo de la
fuente repela a los huecos del material P y el polo negativo repela a los electrones libres del
material N, permitiendo que atraviesen la unión y la zona de agotamiento se estrecha y
unión presenta una resistencia baja al paso de la corriente comportándose como un
conductor.
Al aplicar un voltaje externo fig. 11 g, el efecto de la barrera se acentúa, y bajo esta
condición, la polarización es inversa, el polo positivo de la fuente atrae a los electrones libres del
material tipo N y el polo negativo de la fuente atrae a los huecos del material tipo P y la zona de
agotamiento se ensancha por lo que la unión PN presenta una resistencia alta al paso de la
corriente y se comporta como un aislante. Algunos portadores minoritarios (huecos en el material
tipo N y electrones en el material tipo P) logran atravesar la barrera, y circular una corriente de
fuga débil.
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Diodos
Nociones previas
El diodo es el más sencillo de los dispositivos semiconductores, desempeña un papel vital
en los sistemas electrónicos, ya que sus características se asemejan a las de un interruptor.
Los primeros diodos (rectificador o detector) era un cristal colocado en una vasija con un
alambre flexible llamado bigote de gato que hacia contacto con el cristal, fig. 12.
Brazo de ajuste
cristal
Alambre bigote de gato
Posteriormente salieron los diodos de punto de contacto, fig. 13; los rectificadores
metálicos secos, fig. 14; tubos al vacío y su respectivo símbolo, fig. 15 a, 15 b. Hacia el año
1949 salieron los diodos de unión, que son los que se conocen actualmente.
Alambre exterior
semiconductor
alambre exterior
Base metálica
punto de contacto metálico
Fig. 13 diodo de contacto
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Fig. 14 diodo de placas metálicas
símbolo
cátodo
Fig. 15 diodos de tubos al vacío
símbolo
filamento
El término diodo significa componentes de dos electrodos. Un diodo de estado sólido, se
compone de dos partes una N y la otra P, llamada unión PN. La función o trabajo elemental de
un diodo es el de comportarse como una válvula o compuerta al paso de la corriente eléctrica.
Las terminales de un diodo se denominan ánodo (A), cátodo (K), fig. 16.
A
K
P
Fig. 16
N
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Polarización
Dependiendo de la forma como el diodo esté conectado en un circuito, puede estar
polarizado directa o inversamente.
Polarización directa
Existe cuando se aplica un voltaje positivo a la terminal P con respecto a la terminal N de
un diodo. En estas condiciones el diodo presenta una baja resistividad, por lo que conduce una
corriente considerable en el sentido convencional y se comporta como un conductor o
interruptor, fig. 17
R
Sw
+
Vs
IDF
VDF
-
Fig. 17
Polarización inversa
Existe cuando se aplica un voltaje negativo a la terminal P con respecto a la terminal N de
un diodo. En estas condiciones el diodo presenta una alta resistividad y prácticamente no
conduce corriente, comportándose como un aislante o interruptor abierto, fig. 18
R
VS
VDR
Fig. 18
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Tipos de diodos más conocidos
Existen alrededor de 6000 tipos de diodos semiconductores, dependiendo de sus
características constructivas particulares que son las que determinan su aplicación, ya sea como
rectificadores, reguladores, detectores, mezcladores, interruptores, triplicadores, etc.
1.
zener: trabaja en la zona de ruptura, en polarización directa se comporta como diodos
rectificadores y en inversa como referencias de voltaje
reguladores de voltaje en las fuentes.
(Vz
), usados como
Usa notaciones como BZX o 1N _ _ _
_
IF
VR
VF
IR
2.
LCD: no emiten luz, depende de la luminosidad ambiental y reflejan la luz. Sus
funciones son similares al LED.
3.
IRED: emiten luz invisible para el ojo humano.
4.
Diodos detectores: llamados diodos de señal, hechos de semiconductor de germanio.
Operan a altas frecuencias y señales pequeñas. Separa la componente de baja
frecuencia que es la información audible o de audiofrecuencia ( AF ).
5.
Laser: emiten luz altamente concentrada y coherente, llamados ILC de luz infrarroja.
Usados en CD para leer, en comunicaciones para enviar información a través de
cables de fibra óptica, en las lectores de códigos de barras, apuntadores luminosos.
6.
Tunel: llamados Esaki, su zona de agotamiento es delgada, útiles como detectores,
amplificadores, osciladores, interruptores. Tiene una región de resistencia negativa, la
corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje.
I
A
B
V
A - B región de resistencia negativa
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7.
19
Varicap: llamados varactores o diodos de sintonía. Trabajan polarizados
inversamente y actúan como capacitores variables controlados por voltaje. Usados en
sintonía de TV, radio, osciladores, generadores de FM. Uno de los variantes de los
varicap son los SNAP usados en UHF.
IF
-V
IR
Schottky: diodos de recuperación rápida. Tiene caída de voltaje directa de
aproximadamente 0.25 v. se usan en fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta
frecuencias.
8.
Diodos usados en microondas o diodos de microondas: existen los llamados GUN,
PIN, IMPATT, TRAPATT, BARTT, ILSA,APD.
9.
Fotodiodos: reciben señales de luz a través de pequeñas aberturas, usados como
sensores de luz en fotografía, contadores, receptores de comunicaciones.
10.
LED: usados para visualizadores o detectores de luz. Fabricados con arseniro de galio
fosfatado (GaAsP), emiten luz al polarizarslo en directa. Su voltaje de ruptura en
inversa es aproximadamente de 3 v. La corriente en directa es de aproximadamente
entre 20 mA como mínimo y de 100 mA como máximo. Se protegen con resistencia
en serie.
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11.
20
Rectificadores: tipo normal de diodos usados para convertir el voltaje de corriente a.c
en voltaje de c.c.
Curvas características de corriente contra voltaje del diodo ideal
Al considerar un diodo ideal, para proporcionar una base comparativa con un dispositivo
real. El diodo ideal debería comportarse como un interruptor perfecto, presentando una resistencia
igual a cero, cuando esta polarizado directamente y una resistencia igual a infinito cuando esta
polarizado en inversa, como se muestra en la fig. 19.
IF
VR
VF
IR
Fig. 19
Se puede observar que el diodo ideal es un corto circuito o circuito cerrado para i D > 0 y
un circuito abierto para iD = 0. En la práctica, sin embargo, los diodos rectificadores presentan
una curva como la que se muestra en la fig. 20.
IF
A
partir
VR
VF
de
esta
IR
Fig. 20
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21
curva, se deducen los siguientes aspectos de cómo trabajan los diodos reales:
a.)
En polarización directa la conducción empieza cuando el voltaje aplicado
externamente supera el voltaje de umbral (VT) que es de aproximadamente de 0.7 v
para el silicio y de 0.3 v para el germanio.
b.)
La caída de voltaje en polarización directa VF es ligeramente superior al potencial de
barrera y depende de IF , donde esta caída de voltaje se llama voltaje de conducción
directa.
c.)
La corriente a través de un diodo polarizado inversamente tiene un valor del orden de
los microamper (μ A) y depende del voltaje de polarización inversa aplicado, a dicha
corriente se le denomina corriente inversa de fuga.
d.)
Un diodo polarizado inversamente puede llegar a conducir, cuando el voltaje aplicado
alcanza un valor de voltaje de ruptura o voltaje de avalancha. Cuando un diodo entra
en la región de avalancha, la corriente inversa de fuga crece y destruye al diodo.
e.)
Los diodos rectificadores se especifican principalmente por la corriente máxima
promedio que puede conducir en polarización directa sin destruirse por
sobrecalentamiento y por el voltaje máximo que puede soportar en polarización
inversa sin entrar en avalancha.
Circuitos equivalentes o modelos gráficos del diodo
Un circuito equivalente es una combinación de elementos elegidos en forma adecuada
para la mejor representación de las características reales del dispositivo. Este tipo de circuito
equivalente recibe el nombre de modelo grafico del diodo. Los segmentos de la recta en una
gráfica no proporcionan una equivalencia exacta al diodo ideal, pero se pueden realizar
aproximaciones: cada una de las aproximaciones se analizaran por separado con respectiva
curvas y comportamiento, para tener en cuenta el efecto del voltaje de conducción en
polarización directa.
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Tercera aproximación
Solo existe una dirección de conducción a través del dispositivo, en polarización inversa
corresponde a un estado de circuito abierto. Ya que el diodo de silicio alcanza su estado de
conducción a los 0.7 v aproximadamente, tanto debe aparecer una batería de oposición (VT) en
el circuito. VT no es una fuente independiente de energía del sistema solo es una representación
útil del desajuste horizontal del diodo. La resistencia que se elija es la resistencia promedio, que
se puede determinar a partir de los valores numéricos dados en las hojas de especificaciones.
IF
Polarización inversa
polarización directa
VR
VF
IR
Segunda aproximación
En la mayoría de las aplicaciones, la resistencia promedio es suficientemente pequeña,
que puede ignorarse si se compara con otros elementos de la red. Se establece que un diodo es un
sistema electrónico en condiciones de cd, tiene una caída de 0.7 v y de 0.3 v para el Si y Ge
respectivamente, en conducción sin importar cual es la corriente del diodo.
IF
VR
VF
IR
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23
primera aproximación
Los 0.7 v
y
0.3 v
en comparación con los voltajes aplicados puede a menudo
ignorarse, por lo tanto nos quedaría solo el diodo ideal como equivalente para el dispositivo
semiconductor.
PROCESO DE RECTIFICACIÓN CON DIODOS
Un rectificador convierte la corriente alterna en corriente directa pulsante, es más simple
y económico generar, transmitir y distribuir corriente alterna que corriente directa, por lo que las
empresas de energía eléctrica suministran potencia de ca. Sin embargo, muchas aplicaciones de
la energía eléctrica, tales como los circuitos electrónicos, los de carga de baterías de almacenaje,
procesos químicos y otros necesitan corriente directa; por ello es necesario rectificar (cambiar) la
energía de ca a voltajes y corriente de cd.
Un circuito convierte ca en cd pulsante, que luego puede filtrarse (alisarse) en corriente directa.
Para hacerlo, el rectificador debe pasar corriente con el mínimo de resistencia en dirección hacia
delante y bloquear su flujo en dirección inversa. El diodo, con sus características de corriente
unidireccional (en un sentido), es muy adecuado para rectificación.
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
La figura muestra un diodo en serie con una resistencia de carga RL y una fuente de corriente
alterna. La fuente Vs suministra una tensión sinusoidal al circuito.
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Cuando Vs es positiva, se produce una corriente en la dirección positiva Indicada en la figura.
Esta corriente se produce cuando el diodo esta polarizado en directa ( diodo actuando como
interruptor cerrado o corto circuito) y la magnitud de la corriente está determinada por Í=(VsVo)/R, Esta corriente esta definida solo para el semiciclo comprendido entre O y T/2 o semiciclo
positivo (0° a 180°).
Cuando Vs es negativa polariza al diodo en inversa (diodo actúa como interruptor abierto o
circuito abierto) y no fluye corriente en el circuito.
1=0 La tensión en la carga VL es positiva y consta de una componente de corriente continua cd
RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA.
La figura muestra un circuito rectificador de onda completa que alimenta a una carga
resistiva. El circuito consiste en esencia de dos rectificadores de media onda conectados a una
única resistencia de carga y alimentados con tensiones de entrada sinusoidales de igual amplitud.
Pero
opuestas en fase.
Durante el semiciclo positivo de Vs el diodo DI actúa como un corto circuito (diodo en
conducción) y el diodo 02 actúa como un circuito abierto en ese mismo semiciclo.
Durante el semiciclo negativo el diodo D2 conduce y DI actúa como un circuito abierto.
En ambos casos la corriente que circula por el circuito es i=2(Vs-Vo)/RL La ventaja del
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rectificador de onda completa sobre el rectificador de media onda es que la corriente media en la
carga es dos veces mayor. Hay que notar la toma central del transformador. Se ha asumido que la
toma central está justamente en el centro y que las tensiones a través de las dos mitades son
iguales. Es importante anotar que la tensión inversa de pico a través de los diodos para el (o
rectificador de onda completa debe tener un mínimo valor que es del orden del doble de la
tensión del secundario del transformador. Este valor debe ser así para que no se destruya el diodo
por la acción de la tensión de pico inversa.
EL PUENTE RECTIFICADOR
En la figura se muestra un rectificador del tipo puente. Se observa la necesidad do cuatro
diodos, pero ya no se necesita la toma central del transformador. Este puente opera la siguiente
manera:
Durante el semiciclo positivo de Vs la corriente fluye a través de DI, RL y D3 y durante
el semiciclo negativo de Vs la comente pasa por D4, RL Y D2. En ambos casos la corriente fluye
por RL en la misma dirección.