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Microscopio de Fuerza Atómica Rivera Cieza Milton Fernando Facultad de Procesos – Escuela de Ingenieria Metalurgica.UNSA Av. Independencia. S/N – AREQUIPA-PERÙ Gmail: wasitho.12@gmail.com Resumen: — Este trabajo, se describe el principio físico de operación así como los diferentes modos de operación del Microscopio de Fuerza Atómica AFM. Además, presentamos las imágenes obtenidas de la caracterización de diferentes materiales como: polímeros, cerámicos, metales y muestras biológicas para determinar sus propiedades físicas y conocer la morfología. Abstract : — In this work, we are describing the physical principle of operation and the different modes of operation of Atomic Force Microscope AFM. Besides, we are presenting the results obtained in the characterization of different materials as: polymers, ceramics, metals and biologic samples for determining their physical properties and to know the morphology. Palabras clave — AFM, Caracterización de materiales, Micrografía, Tapping. PRINCIPIO FÍSICO DE OPERACIÓN La técnica SPM proporciona imágenes tridimensionales en tiempo real, permitiendo monitorear un área localizada para obtener las propiedades físicas de los materiales simultáneamente.[1] Todos los SPM´s tienen 5 elementos fundamentales: la punta, el escáner, el detector, el sistema de control electrónico y el sistema de aislamiento de vibración, como se muestra en la Figura 1.[2-4] La punta se selecciona de acuerdo al tipo de muestra y a las propiedades que se desean obtener; ésta puede ser de diferentes materiales, las más comunes son de Nitruro de Silicio o de Silicio. El diseño del escáner tiene forma de tubo y es de un material cerámico piezoeléctrico que cambia de dimensiones como respuesta a un voltaje aplicado. Estos escáneres se caracterizan por tener tres grados de libertad, expandiéndose en una dirección y contrayéndose en otra como resultado del voltaje aplicado a sus electrodos. También se caracterizan por su frecuencia de resonancia, su rango de barrido el cual depende del material piezoeléctrico, sus dimensiones y el voltaje aplicado. El mayor intervalo de operación de un escáner es de ≈100 micras en movimiento lateral y ≈10 micras en movimiento vertical. Los sistemas de control y aislamiento de vibración son similares para la mayoría de SPM´s. La microscopia de fuerza de barrido (MFB) es hoy una técnica analítica bien establecida para el estudio de la morfología superficial en la escala nanométrica. También es, junto con el microscopio de túnel de barrido, la prueba de barrido más utilizada de la familia de los microscopios. A pesar de que el MFB ha sido utilizado ampliamente en la investigación de Ciencia de Materiales y Biología, su impacto no ha alcanzado los laboratorios de enseñanza. Esto se debe al alto costo del típico MFB. Por un lado aquellas universidades investigadoras que tienen uno o más, no los hacen accesibles a los estudiantes de Ciencias. Por otro, las universidades más pequeñas o colegios pudieran no poder costear dicho sistema. Sin embargo, debido al impacto que ha tenido en el campo de la Ciencia de los Materiales durante la última década, es deseable que cualquier estudiante graduado en la Licenciatura de Ciencias entienda los principios operativos del MFB. APLICACIONES DEL AFM EN LA CIENCIA DE MATERIALES La aplicación de las técnicas de SPM en la investigación de las propiedades (viscoelasticidad y dureza) y la microestructura de los materiales permite obtener imágenes con resolución del orden de los nanómetros. Además, estas técnicas proporcionan imágenes tridimensionales que permiten cuantificar la profundidad y morfología de las muestras. Las Figuras 4 a 6 muestran las micrografías que se obtuvieron con un Microscopio de Fuerza Atómica Nanoscope IV de Digital Instruments en modo Tapping usando puntas de nitruro de silicio. En la Figura 4 se muestran las micrografías de un polímero depositado en un sustrato de vidrio. La Figura 4. a) proporciona información topográfica de la superficie conocida como su microestructura y las mediciones de altura del depósito. En la Figura 4. b) se muestra la imagen de contraste de fases para la misma muestra, la cual proporciona información cualitativa del grado de dureza de la superficie. Las Figuras 5 a y b muestran las micrografías obtenidas de un cerámico que corresponden a la imagen de contraste de fases y amplitud que proporcionan información acerca de la homogeneidad y dureza de la superficie de la muestra. Las Figuras 6 a y b corresponden a la imagen obtenida de una fibra de Nylon 6, 12 que proporcionan información morfológica y dureza de la superficie de la muestra. REFERENCIAS [1] D. A. Bonnell, "Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy" 2nd ed. Ed. WileyVCH 2001. [2] J. D. Jacson, "Classical Electrodynamics, John Wiley and sons, New York, 1998. [3] S. M. Sze, "Physics of Semiconductor Devices" John Wiley and sons, New York, 1981 [4] A. Zangwill, "Physics at Surfaces" Cambridge University Prees, Cambridge, UK, 1988. [5] H. J. Guentherodt, R. Wiesendanger "Scanning bTunneling Microscopy I" SpringerVerlag, Berlin, 1992. 1. S. H. Cohen, M. T. Bray, M. L. Lightbody, Atomic Force Microscopy/Scanning Tunneling Microscopy, Plenum Press, New York, NY, 1994. 2. Fredy R. Zypman, Steven J. Eppell, High Frequency Response of a Scanning Force Microscope Cantilever, J. Vac. Sci. Technol. B16, 2099 (1998). 3. Radio Shack piezoelectric buzzer, Cat. No. 273-075b. [1] A.J. Bard, Integrated Chemical Systems: A Chemical Approach to Nanotechnology, Wiley-Interscience, 1994. [2] Henrik Ljungcrantz., Ph.D. Thesis, Linköping Studies in Science and Technology, Sweden Disertation Nº 408. [3] T.Bell, Surface Engineering, 6 (1990) 31. [4] Ohring, The Materials Science of Thin Films, Elseiver, 1993. [5] JwoHuei Jou, Cheng-Sheng Chung, Thin Solid Films, 235 (1993) 149-155. [6] R. Wiesendanger, Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy, Cambridge University Press, 1994. [7] W. Kern, D.A. Puotinen, RCA Review, Jun. 1970, 187. [8] C.R. Fuller and P.B.Ghate, Proceedings of the International Conference on Metallurgical Coating, San Diego, California, EE.UU., Abril 23-27, 1979. [9] D.A. Egidi, P.A.Corengia, M.O. Quinteiro, G.O. Ybarra, C.A. Moina, Jornadas de Desarrollo Tecnológico 2000, Instituto Nacional de Tecnología Industrial.